公开(公告)号：CN115900996A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310141937.X

申请日：2023-02-13

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 万坤 ,  解靖飞 ,  黄永 ,  薛军帅 ,  陈兴 ,  王东 ,  吴勇 ,  龚子刚 ,  艾月 ,  韩超 ,  李园 ,  邵语嫣

IPC: G01K11/00 ,  G01K11/20

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的温度测量方法，包括如下步骤：将荧光温敏材料与分散剂混合形成涂布溶液，并将涂布溶液涂敷于待检测器件的有源表面上；给待检测器件施加预设偏压，并获取荧光温敏材料在预设偏压下的荧光强度；根据荧光强度和荧光温敏材料的温敏荧光特性曲线得到待检测器件的有源表面温度；根据有源表面温度得到待检测器件内的空间电荷区处的温度。本发明中的方法，使用范围较广且温度检测精度较高。