公开(公告)号：CN114679171A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111481474.9

申请日：2021-12-06

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘术彬 ,  安泽帅 ,  韩昊霖 ,  丁瑞雪 ,  朱樟明

IPC分类号： H03K19/0185 ,  H03K19/003

摘要： 本发明提供的一种基于自举电容的宽带高线性度输入信号缓冲器，采用抽取电容C3技术、基于自举电容C1和交流浮空电阻R技术的输入管M2，低输出阻抗共源共栅结构组成，采用抽取电容技术的电容C3可以补偿高频大幅度正向输入时输入信号缓冲器的摆率，达到改善线性度的目的；同时低输出阻抗共源共栅结构可以降低输入缓冲器的输出阻抗，基于自举电容和交流浮空电阻技术保证了输入管的漏源电压恒定，消除了沟长调制效应，从而可以提升数模转化器ADC的整体性能。

公开(公告)号：CN114389615A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111517920.7

申请日：2021-12-13

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘术彬 ,  曹越 ,  韩昊霖 ,  安泽帅 ,  丁瑞雪 ,  朱樟明

IPC分类号： H03M1/12

摘要： 本发明公开了一种基于环形放大器的MDAC，该MDAC呈上下对称的伪差分结构，本实施例的环形放大器没有内部极点，相比传统多级米勒补偿运放，在实现相同带宽下所用功耗更低，即能效更高；并且本发明的环形放大器在第三级引入增益补偿MOS管，在输出电压接近电源轨时，增益补偿MOS管形成的正反馈机制会补偿输出电压接近电源轨时的增益下降，从而得到一个范围更大更平坦的开环增益与输出电压的曲线，相比传统运放，在相同的线性度指标下，本实施例的环形放大器的输出摆幅更大。同时本发明的环形放大器在电源轨之间堆叠的MOS管最多是三个，适用于低压的先进工艺。

公开(公告)号：CN114389615B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202111517920.7

申请日：2021-12-13

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘术彬 ,  曹越 ,  韩昊霖 ,  安泽帅 ,  丁瑞雪 ,  朱樟明

IPC分类号： H03M1/12

摘要： 本发明公开了一种基于环形放大器的MDAC，该MDAC呈上下对称的伪差分结构，本实施例的环形放大器没有内部极点，相比传统多级米勒补偿运放，在实现相同带宽下所用功耗更低，即能效更高；并且本发明的环形放大器在第三级引入增益补偿MOS管，在输出电压接近电源轨时，增益补偿MOS管形成的正反馈机制会补偿输出电压接近电源轨时的增益下降，从而得到一个范围更大更平坦的开环增益与输出电压的曲线，相比传统运放，在相同的线性度指标下，本实施例的环形放大器的输出摆幅更大。同时本发明的环形放大器在电源轨之间堆叠的MOS管最多是三个，适用于低压的先进工艺。