具有室内导航功能的汽车和汽车导航系统

    公开(公告)号:CN107831768B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201711053150.9

    申请日:2017-10-31

    Inventor: 左瑜

    Abstract: 本发明提供一种具有室内导航功能的汽车和汽车导航系统,其中,具有室内导航功能的汽车包括:接收器,设置于所述汽车的特定位置处,用于接收停车场的驻车地图;存储器,电连接所述接收器,用于存储所述驻车地图;处理器,电连接所述存储器,用于对所述驻车地图进行处理以生成导航路线;显示器,电连接所述处理器,设置于所述汽车的中控台上,用于向所述司机显示所述导航路线。本发明实施例提供的具有室内导航功能的汽车和汽车导航系统,可以协助司机在道路规划复杂、视线受阻的停车场中及时找到目标车位,并在行车过程中走错路时得到及时提醒,提高了停车的便利性。

    一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构

    公开(公告)号:CN109031679B

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN201810654948.7

    申请日:2018-06-22

    Inventor: 张亮 左瑜

    Abstract: 本发明涉及一种双结构组合型金属纳米薄膜手性光学结构,包括:金属膜、位于所述金属膜上的基础U型缝、位于所述金属膜上且与所述基础U型缝并列的增强C型缝,且设置在所述基础U型缝一侧。本发明实施例通过在包含基础U型缝的金属膜上添加一个增强C型缝,改变了原来U型金属薄膜上的电流流向,在存在电偶极子的基础上,横缝处出现了磁偶极子,由于电偶极子和磁偶极子共同作用,圆二色性得到了显著增强。

    一种手性金属纳米薄膜光学结构

    公开(公告)号:CN109375305B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201810654946.8

    申请日:2018-06-22

    Inventor: 左瑜 冉文方

    Abstract: 本发明涉及一种手性金属纳米薄膜光学结构,包括:金属膜、以及位于所述金属膜上的“U”型缝和横缝。本发明实施例,制备了一种手性金属“U”型纳米薄膜结构,再通过在该薄膜结构上添加一个横缝结构使得该纳米薄膜结构的圆二色性得到很大的增强。

    一种用于整流电路的复合半导体肖特基二极管的制备方法

    公开(公告)号:CN112670177A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011467430.6

    申请日:2020-12-14

    Inventor: 左瑜

    Abstract: 本发明涉及一种用于整流电路的复合半导体肖特基二极管的制备方法,包括:选取[100]晶向GeOI衬底;在GeOI衬底顶层Ge的上表面生长Pb层;在Pb层的上表面淀积SiO2保护层;对包括GeOI衬底、Pb层、SiO2保护层的整个材料进行激光再晶化工艺处理,形成DR‑Ge1‑xPbx复合层;使用离子注入工艺对复合层的第一区域注入N型离子,进行第一掺杂;使用离子注入工艺对复合层的第二区域注入N型离子,进行第二掺杂;刻蚀复合层形成凹槽,并填充凹槽;在第一区域上形成Al电极;在第二区域上形成Ti电极。本发明的制备方法能够提高SBD的整流效率。

    一种基于车联网的导航设备

    公开(公告)号:CN112414426A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011147510.3

    申请日:2020-10-23

    Inventor: 刘晨 左瑜

    Abstract: 本发明公开了一种基于车联网的导航设备,包括:主体,主体上嵌接有显示组件,包括触摸屏和显示面板;主体的内部设置有功能模块、传输模块、语音模块、电源模块和处理器;功能模块、传输模块、语音模块、电源模块分别与处理器连接;功能模块包括智能交互子模块、导航子模块、行车记录子模块、社交娱乐子模块、生活百科子模块;导航子模块内设置有采集单元,且存储有道路检测程序,当采集单元采集到道路图像并通过传输模块传输到处理器时,处理器执行道路检测程序以实现道路检测并将道路检测结果通过显示面板显示或通过语音模块播报;吸盘,固接在主体的与显示组件相反的一面上,用于将主体固定在防风玻璃上,本发明可以实现:高精度、高实时性检测。

    一种单片同层光电集成器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111354833A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811562509.X

    申请日:2018-12-20

    Inventor: 左瑜

    Abstract: 本发明涉及一种单片同层光电集成器件及其制备方法,包括:在n型掺杂Si衬底上依次生长n型掺杂Ge层、本征GeSn层、p型掺杂Ge层、p型掺杂Si层、保护层;刻蚀保护层、p型掺杂Si层、p型掺杂Ge层和本征GeSn层,形成发光器件区域、波导区域、探测器区域及隔离沟槽;在隔离沟槽中淀积隔离层;在波导区域上淀积覆盖层;在隔离层上及两侧、覆盖层上及两侧、波导区域两侧淀积压应力膜;在n型掺杂Si衬底上、探测器区域上及两侧淀积张应力膜;在发光器件区域上、n型掺杂Si衬底上和张应力膜上形成电极。本发明通过使用Si基改性Ge材料,实现发光器件、波导以及探测器的同层制备,器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。

    Si基改性Ge单片同层光电器件制备方法

    公开(公告)号:CN111354830A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811568207.3

    申请日:2018-12-20

    Inventor: 左瑜 岳庆东

    Abstract: 本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件制备方法,包括:在衬底层上依次层叠生长形成n型掺杂Si层、n型掺杂Ge层、本征Ge层、p型掺杂Ge层、p型掺杂Si层和SiO2保护层,刻蚀SiO2保护层、p型掺杂Si层和p型掺杂Ge层,以及部分本征Ge层,形成发光器件区域、波导、探测器区域和隔离沟槽;在隔离沟槽内形成SiO2隔离层;在波导上形成覆盖层α-Si;在覆盖层α-Si和SiO2隔离层上形成压应力SiN膜;在探测器区域上形成张应力SiN膜;在张应力SiN膜和所述发光区域上形成金属电极。

    一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件

    公开(公告)号:CN111354826A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811563077.4

    申请日:2018-12-20

    Inventor: 薛磊 左瑜

    Abstract: 本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电集成器件,包括:Si衬底;本征Ge层,位于Si衬底上;第一结构、第二结构、第三结构,均位于本征Ge层上;其中,第二结构位于第一结构和第三结构之间,第二结构外包裹有第一SiN膜,第三结构外包裹有第二SiN膜,本征Ge层上覆盖有第二SiN膜。本发明的同层光电集成器件通过第一SiN膜对波导的作用和第二SiN膜对探测器的作用,使波导和探测器受到张应力/压应力,从而调节了波导和探测器的禁带宽度,使得发光器件、波导和探测有源层材料的禁带宽度关系Eg满足:Eg波导>Eg光源>Eg探测器,从而调制了集成器件中能带关系,实现了采用同种材料制备单片光集成结构。

    一种半导体器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111354816A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811567572.2

    申请日:2018-12-20

    Inventor: 左瑜

    Abstract: 本发明涉及一种半导体器件,包括Si衬底、Ge层、光源GeSn层、波导GeSn层、探测器GeSn层、光源p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Ge层、光源p+掺杂Si层、探测器p+掺杂Si层、光源保护层、探测器保护层、第一氧化层、第二氧化层、α-Si层、电极各层由下至上依次层叠设置于Si衬底上;第一应力膜设置于第一氧化层、第二氧化层、α-Si层上和两侧及波导GeSn层两侧;第二应力膜设置于探测器GeSn层、探测器p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Si层、探测器保护层两侧及探测器保护层上。本发明通过使用Si基改性Ge材料,实现光源、波导以及探测器的同层制备,器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。

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