作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯

    公开(公告)号:CN101176217A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200680016379.9

    申请日:2006-05-03

    IPC分类号: H01L51/00

    摘要: 包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体的新半导体设备,其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、Si(R11)3、XR6;或一个或多个R1和R2、R2和R3、R3和R4,与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环;R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基;R6为Si(R11)3、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基;R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基;X为O、S、NR8;R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基,R11为C1-C20-烷基或-烷氧基。

    作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯

    公开(公告)号:CN101176217B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN200680016379.9

    申请日:2006-05-03

    IPC分类号: H01L51/00

    摘要: 包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体的新半导体设备,其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、Si(R11)3、XR6;或一个或多个R1和R2、R2和R3、R3和R4,与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环;R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基;R6为Si(R11)3、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基;R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基;X为O、S、NR8;R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基,R11为C1-C20-烷基或-烷氧基。