公开(公告)号：CN116904314B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310860621.6

申请日：2023-07-13

Applicant: 西湖大学

Inventor： 孟利园 ,  李西军 ,  黄欢欢 ,  张公开

IPC: C12M3/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y5/00

Abstract: 一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法，半导体模具的制备方法包括：以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体晶片，在掩膜开口底部的半导体晶片中形成第一开孔；在第一开孔的侧壁表面和底部表面形成保护膜；对第一开孔底部的保护膜和半导体晶片进行特征刻蚀，在特征刻蚀中，对第一开孔底部表面的保护膜的中心区的刻蚀速率大于对第一开孔底部表面的保护膜的周缘区的刻蚀速率，对第一开孔底部的半导体晶片的中心区的刻蚀深度大于对第一开孔底部的半导体晶片的周缘区的刻蚀深度，以在第一开孔底部的半导体晶片中形成与第一开孔的侧壁连接的V型开口；之后，去除图形化的掩膜层。降低加工难度，提高加工效率，降低加工成本。

公开(公告)号：CN119517742A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411442516.1

申请日：2024-10-16

Applicant: 西湖大学

Inventor： 李冉冉 ,  汪康 ,  王云生 ,  张公开 ,  李西军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种光刻胶形貌修饰的刻蚀方法、装置及半导体器件，包括：获取初步光刻后的目标硅片，目标硅片上具备待修正的光刻胶，光刻胶的表面包括水平面和斜面；对光刻胶进行循环刻蚀；在循环刻蚀的一次刻蚀过程中，包括沉积阶段和消耗阶段；沉积阶段用于在光刻胶的表面沉积有机物钝化层，其中，有机物钝化层在水平面的单位面积上沉积的量多于在斜面的单位面积上沉积的量；消耗阶段用于在下电极射频电源的作用下，沿垂直于水平面的方向消耗光刻胶，并且在有机物钝化层的作用下，斜面的光刻胶的消耗量多于水平面的光刻胶的消耗量。其有益效果是提高光刻胶侧壁的陡直性。

公开(公告)号：CN116904314A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310860621.6

申请日：2023-07-13

Applicant: 西湖大学

Inventor： 孟利园 ,  李西军 ,  黄欢欢 ,  张公开

IPC: C12M3/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y5/00

Abstract: 一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法，半导体模具的制备方法包括：以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体晶片，在掩膜开口底部的半导体晶片中形成第一开孔；在第一开孔的侧壁表面和底部表面形成保护膜；对第一开孔底部的保护膜和半导体晶片进行特征刻蚀，在特征刻蚀中，对第一开孔底部表面的保护膜的中心区的刻蚀速率大于对第一开孔底部表面的保护膜的周缘区的刻蚀速率，对第一开孔底部的半导体晶片的中心区的刻蚀深度大于对第一开孔底部的半导体晶片的周缘区的刻蚀深度，以在第一开孔底部的半导体晶片中形成与第一开孔的侧壁连接的V型开口；之后，去除图形化的掩膜层。降低加工难度，提高加工效率，降低加工成本。

公开(公告)号：CN117623213A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311643236.2

申请日：2023-12-01

Applicant: 西湖大学

Inventor： 孟利园 ,  李西军 ,  曹杰 ,  王云生 ,  苏德香 ,  李冉冉 ,  张公开

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体，加工方法包括：提供单晶材料基体，包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的第一区域和第二区域；在第一区域的表面形成图形化的掩膜层；掩膜层具有若干第一图形；以掩膜层为掩膜刻蚀第一区域，使第一区域形成若干初始通孔；在初始通孔的侧壁形成保护层，保护层暴露出初始通孔底部的第二区域的表面；以掩膜层和保护层为掩膜刻蚀第二区域，使初始通孔在第二区域形成贯穿第二区域的扩孔区，从而形成包括初始通孔和扩孔区的深层形变通孔；其中，扩孔区在掩膜层的投影的形状与第一图形的形状不同，且面积大于第一图形。本发明发可在单晶材料基体中形成自上而下结构有变化的通孔。