-
公开(公告)号：CN116904314A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310860621.6
申请日：2023-07-13
Applicant: 西湖大学
Abstract: 一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法，半导体模具的制备方法包括：以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体晶片，在掩膜开口底部的半导体晶片中形成第一开孔；在第一开孔的侧壁表面和底部表面形成保护膜；对第一开孔底部的保护膜和半导体晶片进行特征刻蚀，在特征刻蚀中，对第一开孔底部表面的保护膜的中心区的刻蚀速率大于对第一开孔底部表面的保护膜的周缘区的刻蚀速率，对第一开孔底部的半导体晶片的中心区的刻蚀深度大于对第一开孔底部的半导体晶片的周缘区的刻蚀深度，以在第一开孔底部的半导体晶片中形成与第一开孔的侧壁连接的V型开口；之后，去除图形化的掩膜层。降低加工难度，提高加工效率，降低加工成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117623213A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311643236.2
申请日：2023-12-01
Applicant: 西湖大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体，加工方法包括：提供单晶材料基体，包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的第一区域和第二区域；在第一区域的表面形成图形化的掩膜层；掩膜层具有若干第一图形；以掩膜层为掩膜刻蚀第一区域，使第一区域形成若干初始通孔；在初始通孔的侧壁形成保护层，保护层暴露出初始通孔底部的第二区域的表面；以掩膜层和保护层为掩膜刻蚀第二区域，使初始通孔在第二区域形成贯穿第二区域的扩孔区，从而形成包括初始通孔和扩孔区的深层形变通孔；其中，扩孔区在掩膜层的投影的形状与第一图形的形状不同，且面积大于第一图形。本发明发可在单晶材料基体中形成自上而下结构有变化的通孔。
-
公开(公告)号：CN116666192A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310397673.4
申请日：2023-04-04
Applicant: 西湖大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065
Abstract: 一种半导体纤维的制备方法，包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括在半导体晶片的厚度方向上由下至下排布的第一区晶片和第二区晶片；在所述第一区晶片的表面形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀第一区晶片，使所述第一区晶片形成若干个间隔的初始纤维条；在所述初始纤维条的侧壁形成保护膜，所述保护膜暴露出初始纤维条侧部的第二区晶片的表面；以所述掩膜层和所述保护膜为掩膜侧向刻蚀第二区晶片，使初始纤维条形成与第二区晶片分立的半导体纤维；去除半导体纤维表面的保护膜和掩膜层。所述半导体纤维的制备方法制备半导体纤维的难度较小。
-
公开(公告)号：CN116454000A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310415933.6
申请日：2023-04-17
Applicant: 西湖大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 一种工艺腔设备、晶圆传送系统及晶圆传送方法，工艺腔设备包括：工艺腔室；位于工艺腔室的内部的基座，基座中具有贯穿基座的开口；顶针，位于所述开口中且能沿着开口上下往复运动，顶针适于支撑晶圆；位置校正单元，位置校正单元包括第一驱动单元和若干个晶圆限位件，所述若干个晶圆限位件位于所述工艺腔室内且高于所述基座，所述若干个晶圆限位件围绕所述基座的中心轴周向排布，所述第一驱动单元用于驱动所述晶圆限位件沿着平行于基座的上表面的中心至边缘的方向往复移动，以使得晶圆限位件与晶圆的侧壁在接触状态和间隔状态之间切换。所述工艺腔设备对传输晶圆过程中晶圆的位置偏差的校正能力提高。
-
公开(公告)号：CN116620390A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310703541.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 西湖大学
Abstract: 本发明涉及汽车驾驶控制技术领域，公开了一种汽车方向控制系统、方法、信号处理器及存储介质，系统包括：至少一组压力传感器、信号处理器、驱动马达、转向传动轴及机械转向系统，压力传感器用于实时采集驾驶者输出的压力信息并发送给信号处理器；信号处理器对压力信息进行分析处理转化为驱动马达旋转角度和轮毂偏转角度并生成马达旋转角度指令；驱动马达根据驱动马达旋转角度指令驱动转向传动轴旋转对应角度；转向传动轴带动机械转向系统运行，使两侧车轮同时偏转对应的角度，该角度实际与轮毂偏转角度一致。本发明通过驾驶者左右不同程度活动身体，利用压力传感器输出主观驾驶转向意愿，减小驾驶中对双手的依赖程度。
-
公开(公告)号：CN116904314B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310860621.6
申请日：2023-07-13
Applicant: 西湖大学
Abstract: 一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法，半导体模具的制备方法包括：以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体晶片，在掩膜开口底部的半导体晶片中形成第一开孔；在第一开孔的侧壁表面和底部表面形成保护膜；对第一开孔底部的保护膜和半导体晶片进行特征刻蚀，在特征刻蚀中，对第一开孔底部表面的保护膜的中心区的刻蚀速率大于对第一开孔底部表面的保护膜的周缘区的刻蚀速率，对第一开孔底部的半导体晶片的中心区的刻蚀深度大于对第一开孔底部的半导体晶片的周缘区的刻蚀深度，以在第一开孔底部的半导体晶片中形成与第一开孔的侧壁连接的V型开口；之后，去除图形化的掩膜层。降低加工难度，提高加工效率，降低加工成本。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
