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公开(公告)号：CN102820038B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210182781.1
申请日：2012-06-05
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163
摘要： 本发明涉及一种制造用于数据存储系统的磁记录换能器的过程，该过程包括提供衬底、下层以及在下层上沉积至第一厚度并与所述下层接触的第一非磁性中间层，在第一中间层的第一部分上执行第一扫描抛光以平面化第一中间层的第一部分至第二厚度，在平面化的第一中间层的第一部分中提供主磁极，提供位于第一中间层的第一部分上并与其接触的光阻材料的第一图案，该图案包括限定侧面护罩沟槽的孔隙，执行湿蚀刻以去除第一中间层的至少部分从而暴露多个主磁极侧面中的至少一个，以及在侧面护罩沟槽中沉积侧面护罩材料。
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公开(公告)号：CN101996641B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201010260525.0
申请日：2010-08-20
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/855 , Y10T29/49048
摘要： 本发明涉及经全膜镀生产的镶嵌写入极。公开一种形成写入极的方法，该方法包括在晶片的衬底层上形成停止层，所述停止层具有位于所述衬底层中的镶嵌(大马士革)沟槽上方的开口；在所述停止层上形成缓冲层，所述缓冲层具有位于所述停止层的开口上方的开口。该方法还包括在所述晶片上镀磁性材料层，在位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料的区域上布置第一牺牲材，在所述晶片上进行铣削或蚀刻操作以去除不被第一牺牲材料覆盖的磁性材料以及去除第一牺牲材料。该方法还包括在所述晶片上布置第二牺牲材料，以及在所述晶片上进行抛光操作以去除位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料区域，以去除第二牺牲材料，以及去除所述缓冲层。
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公开(公告)号：CN102820038A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210182781.1
申请日：2012-06-05
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/315 , G11B5/3163
摘要： 本发明涉及一种制造用于数据存储系统的磁记录换能器的过程，该过程包括提供衬底、下层以及在下层上沉积至第一厚度并与所述下层接触的第一非磁性中间层，在第一中间层的第一部分上执行第一扫描抛光以平面化第一中间层的第一部分至第二厚度，在平面化的第一中间层的第一部分中提供主磁极，提供位于第一中间层的第一部分上并与其接触的光阻材料的第一图案，该图案包括限定侧面护罩沟槽的孔隙，执行湿蚀刻以去除第一中间层的至少部分从而暴露多个主磁极侧面中的至少一个，以及在侧面护罩沟槽中沉积侧面护罩材料。
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公开(公告)号：CN101996641A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260525.0
申请日：2010-08-20
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/855 , Y10T29/49048
摘要： 本发明涉及经全膜镀生产的镶嵌写入极。公开一种形成写入极的方法，该方法包括在晶片的衬底层上形成停止层，所述停止层具有位于所述衬底层中的镶嵌(大马士革)沟槽上方的开口；在所述停止层上形成缓冲层，所述缓冲层具有位于所述停止层的开口上方的开口。该方法还包括在所述晶片上镀磁性材料层，在位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料的区域上布置第一牺牲材，在所述晶片上进行铣削或蚀刻操作以去除不被第一牺牲材料覆盖的磁性材料以及去除第一牺牲材料。该方法还包括在所述晶片上布置第二牺牲材料，以及在所述晶片上进行抛光操作以去除位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料区域，以去除第二牺牲材料，以及去除所述缓冲层。
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