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公开(公告)号：CN105206622A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510630050.2
申请日：2012-03-08
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1251
摘要： 本发明公开一种互补式半导体元件及其制造方法。第一半导体层配置于基底上且具有通道区与位于通道区两侧的两个掺杂区。第一介电层配置于基底上且覆盖第一半导体层。栅极配置于第一介电层上，其中栅极对应第一半导体层的通道区。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖栅极。第二半导体层配置于第二介电层上且对应栅极。第二半导体层的边界不超出栅极的边界。至少一第一导电插塞贯穿第一介电层与第二介电层并与第一半导体层的掺杂区其中一者接触。至少一接点与第二半导体层接触。
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公开(公告)号：CN102651383A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110076465.1
申请日：2011-03-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L27/3232 , G02F1/167 , G02F2201/44 , G09G3/3233 , G09G3/344 , G09G2300/023 , G09G2300/0842
摘要： 一种复合式显示器的像素结构、驱动方法以及驱动系统。所述像素结构包括扫描线、数据线、第一主动元件、第一信号线、第二信号线、电泳显示元件、第二主动元件以及有机发光二极管元件。第一主动元件与扫描线以及数据线电性连接。电泳显示元件与第一主动元件以及第一信号线电性连接。第二主动元件与第一主动元件以及第一信号线电性连接。有机发光二极管元件与第二主动元件以及第二信号线电性连接。在此，更提出针对上述像素结构的驱动方法以及驱动系统，其可以电泳显示模式、有机发光显示模式或是复合显示模式显示。
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公开(公告)号：CN103219469B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210075693.1
申请日：2012-03-19
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L51/5228 , H01L27/3244
摘要： 本发明一实施例提供一种发光组件，包括：一基板；多个发光结构，配置于基板上，各发光结构包括：一辅助电极，配置于基板上，且适于作为阴极；一第一绝缘层，配置于基板上并覆盖辅助电极；一电极，配置于第一绝缘层上，且适于作为阳极；一第二绝缘层，配置于第一绝缘层上，且具有一第一开口暴露出电极；一有机发光层，配置于第一开口中以连接电极；一阴极，配置于有机发光层上；至少一导通结构，贯穿第一绝缘层与第二绝缘层，并连接阴极与辅助电极；以及一封闭环形结构，配置于第二绝缘层上且围绕阴极，其中封闭环形结构的厚度大于阴极的厚度。
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公开(公告)号：CN103187417B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210059206.2
申请日：2012-03-08
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1251
摘要： 本发明公开一种互补式金属氧化物半导体元件及其制造方法。第一半导体层配置于基底上且具有通道区与位于通道区两侧的两个掺杂区。第一介电层配置于基底上且覆盖第一半导体层。栅极配置于第一介电层上，其中栅极对应第一半导体层的通道区。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖栅极。第二半导体层配置于第二介电层上且对应栅极。第二半导体层的边界不超出栅极的边界。至少一第一导电插塞贯穿第一介电层与第二介电层并与第一半导体层的掺杂区其中一者接触。至少一接点与第二半导体层接触。另提出互补式金属氧化物半导体元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN103187417A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210059206.2
申请日：2012-03-08
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1251
摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。第一半导体层配置于基底上且具有通道区与位于通道区两侧的两个掺杂区。第一介电层配置于基底上且覆盖第一半导体层。栅极配置于第一介电层上，其中栅极对应第一半导体层的通道区。第二介电层配置于第一介电层上且覆盖栅极。第二半导体层配置于第二介电层上且对应栅极。第二半导体层的边界不超出栅极的边界。至少一第一导电插塞贯穿第一介电层与第二介电层并与第一半导体层的掺杂区其中一者接触。至少一接点与第二半导体层接触。另提出半导体元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN103186278A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210108766.2
申请日：2012-04-10
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/0416
摘要： 本发明提出一种感测装置，包括第一扫描线、第二扫描线、读取线、第一感测单元及第二感测单元。第一感测单元耦接至第一扫描线及读取线，感测第一能量。第一感测单元反应于第一扫描线上的一第一扫描信号而输出对应于第一能量的第一读取信号至读取线，并且该第一感测单元反应于第一扫描信号与读取线上的参考信号而被重置。第二感测单元耦接至第二扫描线及读取线，感测第二能量。第二感测单元反应于第二扫描线上的第二扫描信号而输出对应于第二能量的第二读取信号至读取线。一种驱动方法亦被提出。
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公开(公告)号：CN102955604A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110293357.X
申请日：2011-09-29
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/0421 , G06F3/044
摘要： 一种感测装置与感测方法，所述感测装置包括第一扫描线、第二扫描线、读取线、第一感测单元及第二感测单元。第一感测单元耦接至第一扫描线、第二扫描线及读取线，且用以感测第一能量。第一感测单元响应于第一扫描线上的第一扫描信号而输出对应于第一能量的第一读取信号至读取线。第二感测单元耦接至第二扫描线及读取线，且用以感测第二能量。第二感测单元响应于第二扫描线上的第二扫描信号而输出对应于第二能量的第二读取信号至读取线。第二扫描信号协同第一扫描信号以重置第一感测单元。
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公开(公告)号：CN103227186B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210055693.5
申请日：2012-03-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H05B33/22 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3267 , H01L51/5218 , H01L51/5234
摘要： 本发明公开了一种双面发光显示面板，其包括衬底、多个向下发光像素结构以及多个向上发光像素结构。所述向下发光像素结构位于衬底上。所述多个向上发光像素结构位于衬底上，其中所述向上发光像素结构与所述向下发光像素结构交错排列于同一衬底上。
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公开(公告)号：CN103227186A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210055693.5
申请日：2012-03-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H05B33/22 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3267 , H01L51/5218 , H01L51/5234
摘要： 本发明公开了一种双面发光显示面板，其包括衬底、多个向下发光像素结构以及多个向上发光像素结构。所述向下发光像素结构位于衬底上。所述多个向上发光像素结构位于衬底上，其中所述向上发光像素结构与所述向下发光像素结构交错排列于同一衬底上。
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公开(公告)号：CN103219469A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210075693.1
申请日：2012-03-19
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L51/5228 , H01L27/3244
摘要： 本发明一实施例提供一种发光组件，包括：一基板；多个发光结构，配置于基板上，各发光结构包括：一辅助电极，配置于基板上，且适于作为阴极；一第一绝缘层，配置于基板上并覆盖辅助电极；一电极，配置于第一绝缘层上，且适于作为阳极；一第二绝缘层，配置于第一绝缘层上，且具有一第一开口暴露出电极；一有机发光层，配置于第一开口中以连接电极；一阴极，配置于有机发光层上；至少一导通结构，贯穿第一绝缘层与第二绝缘层，并连接阴极与辅助电极；以及一封闭环形结构，配置于第二绝缘层上且围绕阴极，其中封闭环形结构的厚度大于阴极的厚度。
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