应用于软性电子器件的基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101997087B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN200910163396.0

    申请日:2009-08-17

    Abstract: 本发明涉及一种应用于软性电子器件的基板,包括:一支撑载体;一第一材料层,以一第一面积覆盖该支撑载体;一第二材料层,以一第二面积覆盖该第一材料层与该支撑载体,其中该第二面积大于或等于该第一面积;以及一软性基板,以一第三面积覆盖该第二材料层、第一材料层与该支撑载体,其中该第三面积大于该第二面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该第一材料层对该支撑载体的密着度。本发明还涉及一种上述基板的制造方法。

    应用于软性电子器件的基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101997087A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200910163396.0

    申请日:2009-08-17

    Abstract: 本发明涉及一种应用于软性电子器件的基板,包括:一支撑载体;一第一材料层,以一第一面积覆盖该支撑载体;一第二材料层,以一第二面积覆盖该第一材料层与该支撑载体,其中该第二面积大于或等于该第一面积;以及一软性基板,以一第三面积覆盖该第二材料层、第一材料层与该支撑载体,其中该第三面积大于该第二面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该第一材料层对该支撑载体的密着度。本发明还涉及一种上述基板的制造方法。

    可固化组成物及包含其的电子装置

    公开(公告)号:CN115926470B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202111172212.4

    申请日:2021-10-08

    Abstract: 本发明涉及一种可固化组成物及包含其的电子装置。该可固化组成物包含:100摩尔份的具有式(I)结构#imgabs0#所示的第一硅氧烷化合物,其中n为8至232,其中R1独立为C1‑3烷基;1至15摩尔份的具有式(II)结构#imgabs1#所示的第二硅氧烷化合物,其中x≧2,y≧2,且x/y为0.1至3,其中R2、R3及R4独立为C1‑3烷基;1至15摩尔份的具有式(III)结构#imgabs2#所示的第三硅氧烷化合物;以及,90至250摩尔份的具有式(IV)结构#imgabs3#固化剂,其中m为7至230,以及R5独立为C1‑3烷基。

    可固化组成物及包含其的电子装置

    公开(公告)号:CN115926470A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202111172212.4

    申请日:2021-10-08

    Abstract: 本发明涉及一种可固化组成物及包含其的电子装置。该可固化组成物包含:100摩尔份的具有式(I)结构所示的第一硅氧烷化合物,其中n为8至232,其中R1独立为C1‑3烷基;1至15摩尔份的具有式(II)结构所示的第二硅氧烷化合物,其中x≧2,y≧2,且x/y为0.1至3,其中R2、R3及R4独立为C1‑3烷基;1至15摩尔份的具有式(III)结构所示的第三硅氧烷化合物;以及,90至250摩尔份的具有式(IV)结构固化剂,其中m为7至230,以及R5独立为C1‑3烷基。

    用于电子组件的基板结构及其制法

    公开(公告)号:CN105789245A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201410815467.1

    申请日:2014-12-24

    Inventor: 黄月娟 吕奇明

    Abstract: 本发明公开一种用于电子组件的基板结构及其制法,该基板结构包括支撑载体;脱模层,其表面具有第一微结构,且该脱模层与该支撑载体之间具有第一黏合度;以及设置于该支撑载体及该脱模层上的挠性基板,其中,该挠性基板与该脱模层之间具有第二黏合度,且该第一黏合度大于该第二黏合度,而与该脱模层表面接触的该挠性基板表面具有相对于该第一微结构的第二微结构。本发明还提供该基板结构的制法。

Patent Agency Ranking