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公开(公告)号：CN101337676A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810068862.2
申请日：2008-08-12
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光扫描直接制备α－FeSi2薄膜的工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－100nm的金属Fe膜，随后在空气中采用二极管泵浦激光器(Nd:YAG)产生的脉冲激光进行扫描，直接获得Fe－Si化合物中的高温金属相α－FeSi2薄膜，本工艺加工的α－FeSi2薄膜厚度均匀、面积大，采用脉冲激光扫描直接形成金属相α－FeSi2，在基于β－FeSi2的微电子或光电子器件中作电极和金属连接，不用引入其它材料，使工艺过程大大简化，这对新型环境友好半导体材料β－FeSi2的开发和应用具有重要价值。
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