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公开(公告)号：CN109817621A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910222142.5
申请日：2019-03-22
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L27/108 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 本发明公开了一种基于Mg2Si半导体材料的存储器结构，它包括：Mg2Si衬底，Mg2Si衬底上设置有设置有第一存储单元，所述第一存储单元包括分区沟槽，分区沟槽边缘处设置有Mg2Si固定薄片，Mg2Si固定薄片顶端设置有绝缘晶片；分区沟槽两侧分别设置有源区和漏区，分区沟槽上设置有第一绝缘镀膜，第一绝缘镀膜上设置有栅极区，分区沟槽内设置有通电二极管，栅极区上设置Mg2Si隔离层（8），Mg2Si隔离层上设置有第二绝缘镀膜；第二绝缘镀膜上设置有第二存储单元；解决了现有的导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大的问题。
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公开(公告)号：CN109387262A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811477425.6
申请日：2018-12-05
申请人： 贵州大学
IPC分类号： G01F23/26
摘要： 本发明公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器结构，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）；解决了现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。
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公开(公告)号：CN104018124B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410273829.9
申请日：2014-06-19
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种半导体材料SiC薄膜的制备工艺，它包括下述步骤：步骤1、选取石墨片为衬底材料，并将石墨片打磨清洗干燥；步骤2、将石墨片固定在蒸镀室上方的样品架上，Si颗粒放置在蒸发坩埚内；步骤3、蒸镀；步骤4、蒸镀后冷却；步骤5、将蒸镀冷却后的石墨片固定在磁控溅射溅射室的转盘上，C靶材放置在射频靶上，溅射气体为Ar气；步骤6、溅射；步骤7、溅射后冷却，再取出置于高真空退火炉中退火，形成半导体SiC多晶薄膜；解决了传统采用单晶硅衬底作为基片制备碳化硅薄膜存在的成本高、工艺繁琐以及硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，严重限制了其器件的性能和使用寿命等问题。
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公开(公告)号：CN105483617A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511002465.1
申请日：2015-12-29
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/22 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN105441877A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510905584.1
申请日：2015-12-10
申请人： 贵州大学
CPC分类号： C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取耐高温石英片和单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，将铁颗粒和硅颗粒按不同配比进行备料；第三步骤，按上述步骤得到的不同配比镀料，在衬底上蒸镀一层Fe-Si混合薄膜；第四步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中800～900℃退火2小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si铁磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN101798680B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010147304.2
申请日：2010-04-15
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控溅射系统在Si单晶上沉积200-500nm纯金属Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后放置于真空退火炉内。对真空退火炉抽真空，退火炉背底真空小于等于10-3Pa，往高真空的退火炉内通入氩气，然后封闭退火炉进行退火处理。整个退火过程中，保持退火炉腔体内氩气气压为10-104Pa的氩气氛围、350-550℃退火3-8小时,直接形成环境友好半导体Mg2Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺，具有镀膜层与基片的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点，适用于工业化的大规模批量生产。
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公开(公告)号：CN101820005A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010148152.8
申请日：2010-04-16
申请人： 贵州大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/16 , C23C14/35
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Mn掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Mn/Fe或Fe/Mn双层膜，或Fe/Mn/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Mn的含量，使Mn取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Mn/Fe或Fe/Mn双层膜或Fe/Mn/Fe多层膜在真空退火炉中退火，获得Mn掺杂的β-FeSi2薄膜。通过XRD测量表明，该掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。
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公开(公告)号：CN109467088B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811599765.6
申请日：2018-12-26
申请人： 贵州大学
IPC分类号： C01B32/956 , B03C1/12
摘要： 本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。
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公开(公告)号：CN113088902B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN113088902A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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