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公开(公告)号：CN109825803A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910165040.4
申请日：2019-03-05
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Ge薄膜的制备方法。本发明将蒸发材料放入适当的电阻加热体内，通电使蒸发材料直接加热蒸发，从而使蒸发材料以气态形式沉积到基片上形成薄膜。本发明首先采用电阻式蒸发技术沉积400nm左右纯金属Mg膜在Ge单晶基片上，形成Ge/Mg薄膜结构，随后置于真空退火炉中退火，获得较高质量Mg2Ge半导体薄膜。本发明具有生产成本较低，能够进行工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN105070806B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n‑Mg2Si薄膜，n‑Mg2Si薄膜的上表面为p‑Mg2Si薄膜，p‑Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n‑Si膜；在n‑Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p‑Si膜；将溅射后的n‑Si、Mg和p‑Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p‑Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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公开(公告)号：CN105464021A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201511011404.1
申请日：2015-12-30
Applicant: 贵州大学
CPC classification number: E01F13/042
Abstract: 本发明公开了一种智能车位锁及其控制方法，该智能车位锁包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单片机，所述的单片机分别与控制箱内的信号接收器以及红外接收器连接，信号接收器与外部的信号发射器通过无信通讯连接，红外接收器通过信号线与控制箱内的红外测距仪连接。本发明不仅可以实现主开车回来时不用下车就可以通过手中的信号发射器控制车位锁的开启，顺利驶入泊车位，而且车主将车开出后，通过红外测距仪感知车辆驶出距离便可将停车位自动锁上，无需担心忘记锁车位，有效防止车位被他人占用。
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公开(公告)号：CN105070806A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510422501.3
申请日：2015-07-17
Applicant: 贵州大学
CPC classification number: H01L33/002 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n-Mg2Si薄膜，n-Mg2Si薄膜的上表面为p-Mg2Si薄膜，p-Mg2Si薄膜的上表面有p电极；其制备方法：清洗衬底并吹干；在衬底上利用溅射一层n-Si膜；在n-Si膜上利用磁控溅射方法溅射一层Mg膜；在Mg膜上利用磁控溅射方法溅射一层p-Si膜；将溅射后的n-Si、Mg和p-Si膜进行退火处理，将衬底局部刻蚀；在衬底刻蚀处热蒸发Ag膜作为n电极层；在p-Mg2Si薄膜上表面右端热蒸发金膜作为p电极层；解决了现有技术二极管对人体有害，回收成本高；出光效率较低；不利于工业化大批量生产等问题。
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公开(公告)号：CN101781753A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010148151.3
申请日：2010-04-16
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，获得Cr掺杂的β-FeSi2薄膜。XRD测量表明掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109467088B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201811599765.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B32/956 , B03C1/12
Abstract: 本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗，所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上，所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架，所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁铁吸附辊，所述下料斗的另一侧壁上螺接有安装支架，所述安装支架的顶端通过销轴连接有粗分离电磁铁吸附板，所述粗分离电磁铁吸附板的上表面上均匀设置有分散凸块，所述安装支架的侧壁上焊接有支柱，所述支柱与粗分离电磁铁吸附板之间支撑有缓冲弹簧，所述粗分离电磁铁吸附板下表面远离销轴的一端设置有振动机构；解决了对于碳化硅的提取不够彻底，影响铁粉成品的质量的问题。
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公开(公告)号：CN113088902B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN113088902A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110390892.0
申请日：2021-04-12
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法：以含有MnO的Mn靶材作为原料，在Si衬底上通过磁控溅射的方法制备薄膜，构成“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构样品，进而在真空条件下高温退火。基于该工艺办法，通过控制“Si衬底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三层结构中的Si薄膜中间层溅射时间，可以完全消除掉本来含量占比很大的MnO，获得单一相的高锰硅薄膜材料，显著降低了获得高锰硅薄膜对原料、储存及工艺条件的要求，使得高锰硅薄膜的制备更为简单，产业化生产成本降低，生产效率得到提高。
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公开(公告)号：CN104600155A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510010905.1
申请日：2015-01-09
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器的制备方法，该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg2Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg2Si薄膜上表面上镀一层上电极，本发明所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的适应性高的元素，即对环境友好的半导体材料；能回收、再生利用、能源消耗少、对环境负荷小的半导体工艺；有助于能源和环境可持续发展的太阳能电池、热电变换元素等。
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公开(公告)号：CN101798680A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010147304.2
申请日：2010-04-15
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控溅射系统在Si单晶上沉积200-500nm纯金属Mg膜，形成Si/Mg薄膜结构；最后放置于真空退火炉内。对真空退火炉抽真空，退火炉背底真空小于等于10-3Pa，往高真空的退火炉内通入氩气，然后封闭退火炉进行退火处理。整个退火过程中，保持退火炉腔体内氩气气压为10-104Pa的氩气氛围、350-550℃退火3-8小时,直接形成环境友好半导体Mg2Si薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺，具有镀膜层与基片的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点，适用于工业化的大规模批量生产。
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