一种氟硅酸除砷的方法

    公开(公告)号:CN101033067A

    公开(公告)日:2007-09-12

    申请号:CN200710077736.9

    申请日:2007-04-20

    IPC分类号: C01B33/10

    摘要: 本发明公开了一种氟硅酸除砷的方法,将含砷量50-100毫克/升的氟硅酸溶液置于带搅拌器的反应器内;以蒸汽进行加热升温到30~90℃,在搅拌情况下,搅拌速度为50~400转/分,向反应器内逐步加入除砷剂,其添加量为氟硅酸溶液重量的0.1~0.6%,将反应器内反应30~200分钟后的氟硅酸溶液放入澄清槽静置陈放;在澄清槽内经静置陈放1~6小时后的氟硅酸溶液送去过滤,分离砷的硫化物沉淀,得到砷含量低的氟硅酸溶液。具有氟硅酸溶液脱砷效果好,工艺流程简单,投资少且不会引起氟硅酸的非机械性损失的特点。

    用氟硅酸生产高纯度四氟化硅的方法

    公开(公告)号:CN101973553A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010529961.3

    申请日:2010-11-03

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 用氟硅酸生产高纯度四氟化硅的方法,包括:①将氟硅酸与浓硫酸混合加热,产生气态混合物;②将气态混合物通入浓硫酸,除去水分;③将干燥的气态混合物通入含氟化氢的浓硫酸中,除去CO2、含氧氟硅化合物;④将气态混合物通入纯浓硫酸中,进一步除去水分、氟化氢;⑤气体混合物依次用活性炭、硅藻土过滤;⑥过滤后的四氟化硅再经过两段低温分离,调节气体温度、压力,得到液态/固态的高纯度产品;置于常温下,得到气体产品。本方法利用生产高纯度无水氟化氢过程中副产的四氟化硅制成高纯度四氟化硅产品,作为电子工业、光伏产业的晶体硅、非晶体硅原料的新来源,作为光纤行业基础原料二氧化硅的新原料来源。适用于副产氟硅酸的化工企业。

    一种化学萃取法提纯浓缩稀氟硅酸溶液的工艺

    公开(公告)号:CN117208912A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311418788.3

    申请日:2023-10-30

    IPC分类号: C01B33/10

    摘要: 本发明公开了一种化学萃取法提纯浓缩稀氟硅酸溶液的工艺,主要操作过程为:1、萃取:稀氟硅酸与萃取液按一定相比混合进行化学萃取。萃取后,分离水相和萃取有机相。2、反萃:萃取有机相与反萃液按一定相比混合,在一定的操作条件下,从萃取有机相中反萃出氟硅酸,得到浓氟硅酸溶液和萃余液。3、萃余液处理:在萃余液中按一定相比加入可溶性重金属盐饱和溶液,在一定操作条件下进行化学反应。反应完成后离心分离,得重金属硫酸盐,作为副产品回收。之后有机相进行减压蒸馏,分出萃取助剂。剩余有机物进一步减压加热分解,得有机萃取剂和无机酸蒸汽,有机萃取剂回用,无机酸蒸汽冷凝回收。本发明提纯效果好,工艺简单,萃取剂可循环使用。

    利用真空膜分离技术分离浓缩含氟水蒸气的方法

    公开(公告)号:CN113603058A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202111035775.9

    申请日:2021-09-06

    IPC分类号: C01B7/19 C01B33/107 B01D53/22

    摘要: 本发明提供了一种利用真空膜分离技术分离浓缩含氟水蒸气的方法。该方法的步骤包括:(1)原料含氟水蒸汽从膜组件的入口端进入,经过膜分离作用,含氟水蒸汽的浓缩汽从膜组件出口流出,含少量氟化氢的大量水蒸汽从膜侧口渗透侧流出;(2)所述原料含氟水蒸汽的浓度为0.1%‑5%,浓缩含氟水蒸汽的浓缩汽浓度1%‑30%,含少量氟的水蒸汽渗透汽的浓度为0.2%‑3%;(3)水蒸汽温度控制在50‑120℃,流量为0.1‑10 L∙min‑1;热空气温度在50‑120℃,流速在0.10‑10 L∙min‑1;渗余侧和渗透侧压力均为0.01‑0.1MPa;膜内外压差为0.005MPa‑0.06MPa。本发明的工艺简单,能耗低。

    用氟硅酸生产高纯度四氟化硅的方法

    公开(公告)号:CN101973553B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201010529961.3

    申请日:2010-11-03

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 用氟硅酸生产高纯度四氟化硅的方法,包括:①将氟硅酸与浓硫酸混合加热,产生气态混合物;②将气态混合物通入浓硫酸,除去水分;③将干燥的气态混合物通入含氟化氢的浓硫酸中,除去CO2、含氧氟硅化合物;④将气态混合物通入纯浓硫酸中,进一步除去水分、氟化氢;⑤气体混合物依次用活性炭、硅藻土过滤;⑥过滤后的四氟化硅再经过两段低温分离,调节气体温度、压力,得到液态/固态的高纯度产品;置于常温下,得到气体产品。本方法利用生产高纯度无水氟化氢过程中副产的四氟化硅制成高纯度四氟化硅产品,作为电子工业、光伏产业的晶体硅、非晶体硅原料的新来源,作为光纤行业基础原料二氧化硅的新原料来源。适用于副产氟硅酸的化工企业。

    四氟化硅气体中杂质碘的净化方法

    公开(公告)号:CN103011172A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210492934.2

    申请日:2012-11-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了四氟化硅气体中杂质碘的净化方法,包括:①收集湿法处理磷矿石过程中产生的含氟气体,并将此气体引入一加有硫酸和二氧化硅的反应器中,使其中的HF转化为SiF4气体;或将氟硅酸与浓硫酸混合加热,将产生的气态化合物引入一装有浓硫酸的容器中,除去杂质,得到SiF4气体;②将得到的气体引入净化槽,用浓硫酸或浓硫酸与氢氟酸的混合物除去气体中的水分和含氧氟硅化物;③SiF4气体依次进入装有预先干燥过的活性炭、硅藻土的过滤器中过滤其中杂质;④将净化的SiF4气体引入冷冻装置,冷冻除去HI及I2。本方法利用磷肥工业副产物氟硅酸分解生产高纯度四氟化硅,为电子、光伏、光纤行业提供生产硅系列产品的高纯原料。

    一种从含砷废渣中回收硫化砷的方法

    公开(公告)号:CN101786659A

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN200910102850.1

    申请日:2009-11-16

    IPC分类号: C01G28/00 B09B3/00

    摘要: 本发明公开了一种从含砷废渣中回收硫化砷的方法,包括:取砷含量为7.1~16.8%的硫化砷渣与水搅拌混合,其中水量按100~150mL/100g渣计;混合均匀后,在室温~60℃逐步添加碱进行浸取处理,其中碱量按2.0~3.5g/g硫化砷计;待加完碱后再继续维持浸取过程40~120min并过滤;并用按50mL/100g硫化砷渣计的水分步洗涤残渣,合并滤液和洗涤液并用浓度93~98%硫酸中和,控制pH为9~11,过滤,滤液再以浓度93~98%硫酸继续中和至pH为1~3.5,添加硫化钠使pH为2~4,然后过滤,沉淀经2~3次再浆洗涤和过滤洗涤,得到二次沉淀,经干燥得到硫化砷成品。本发明能降低反应温度、缩短浸取时间、提高砷的回收率。

    一种纳米碘化亚铜的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116768259A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310797303.X

    申请日:2023-07-03

    IPC分类号: C01G3/04 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种纳米碘化亚铜的制备方法。包括以下步骤:(1)按摩尔比1:2‑2:1将水合肼与碘源混合制备含碘混合溶液;(2)取铜与碘摩尔比1:1,按2:1‑1:2体积流量比,分别将0.1‑5mol·L‑1铜源与步骤(1)制得含碘混合溶液泵入通道直径为500‑900 mm的微反应器中,于常温进行反应,过滤、洗涤、烘干至恒重,制得纳米碘化亚铜。本发明采用微化学连续反应技术制备碘化亚铜纳米功能粉体,具有传质传热快,过程可控、产品粒径可控;同时,本发明能有效避免碘化亚铜晶粒二次团聚,产品质量稳定。本发明可控制得粒径在30‑80 nm纳米级碘化亚铜粉体,产率可达90%‑99%,适合规模化生产和推广应用。

    一种气体膜分离装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110882610A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN202010008838.0

    申请日:2020-01-06

    IPC分类号: B01D53/22

    摘要: 本发明公开了一种气体膜分离装置。该装置包括:上盖板,下盖板,上下盖板上有错流隔板;上下盖板间设置了多个腔体,腔体间有分离膜片和支撑筛板;腔体有进气口和出气口;前述的上下盖板可以压紧腔体形成密闭装置;所述的盖板,腔体和支撑板由树脂材料加工而成。本发明可以采用并联的方式安装以增加处理量,也可以采用串联的方式,在盖板间增加腔体和分离膜片和支撑板,提高分离效果。本发明具有结构简单,易组装,气体阻力小,耐强腐蚀。