公开(公告)号：CN118543948A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410685178.8

申请日：2024-05-30

申请人： 贵研先进新材料(上海)有限公司 ,  昆明贵金属研究所 ,  云南贵金属实验室有限公司

发明人： 王传军 ,  彭海 ,  闻明 ,  沈月 ,  施晨琦 ,  许彦亭 ,  巢云秀 ,  李思勰 ,  刘牛

IPC分类号： B23K20/00 ,  C23C14/34 ,  C22F1/10 ,  C25F3/22 ,  B23K20/24 ,  B23K103/08

摘要： 本发明公开了一种镍钒合金靶材的绑定方法，属于溅射靶材技术领域。本发明通过对镍钒合金的焊接端面依次进行机械加工、表面纳米化和电解抛光处理，然后将处理后的镍钒合金与铜或铜背板进行扩散焊连接。本发明所述方法能有效提高靶材的绑定性能，提升靶材的成品率。同时，在扩散焊接时，焊接温度比现有技术的温度大大降低，从而能在几乎不改变镍钒合金结构的条件下实现靶材与背板的有效连接。

公开(公告)号：CN118516627A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410555866.2

申请日：2024-05-07

申请人： 贵研先进新材料(上海)有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司 ,  云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司

发明人： 沈月 ,  闻明 ,  王传军 ,  普志辉 ,  黄通 ,  李思勰 ,  唐可 ,  彭海 ,  许彦亭 ,  黎林根

IPC分类号： C22F1/04 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768 ,  G01N29/06 ,  G01N23/2251

摘要： 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。

公开(公告)号：CN118326345A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410349567.3

申请日：2024-03-26

申请人： 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 ,  昆明贵金属研究所

发明人： 李思勰 ,  闻明 ,  王传军 ,  何云帅 ,  许永刚 ,  普志辉 ,  杨建明 ,  彭海

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本发明公开了一种平面溅射靶材的绑定方法，该方法包括：首先对待绑定的绑定面进行表面处理，分别涂抹高分子胶粘剂，再依次将金属铜网和靶坯放置于背板上，将靶材组件压合后再进行加热以加快固化，最后对固化冷却后的靶材组件进行机加工，得到高分子胶粘绑定的平面溅射靶材组件。采用上述方法绑定的平面溅射靶材焊缝处均匀、无空洞，焊合率＞95％，导电性及散热性良好，焊接抗剪切强度≥15MPa，机加工边角料中高分子胶粘剂碎屑容易去除，旧靶材回收时对靶坯及背板不会造成破坏，特别对于贵金属溅射靶材，能够有效提高贵金属回收率、降低贵金属损耗。