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公开(公告)号：CN118326345A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410349567.3
申请日：2024-03-26
申请人： 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了一种平面溅射靶材的绑定方法，该方法包括：首先对待绑定的绑定面进行表面处理，分别涂抹高分子胶粘剂，再依次将金属铜网和靶坯放置于背板上，将靶材组件压合后再进行加热以加快固化，最后对固化冷却后的靶材组件进行机加工，得到高分子胶粘绑定的平面溅射靶材组件。采用上述方法绑定的平面溅射靶材焊缝处均匀、无空洞，焊合率＞95％，导电性及散热性良好，焊接抗剪切强度≥15MPa，机加工边角料中高分子胶粘剂碎屑容易去除，旧靶材回收时对靶坯及背板不会造成破坏，特别对于贵金属溅射靶材，能够有效提高贵金属回收率、降低贵金属损耗。
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公开(公告)号：CN118516627A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410555866.2
申请日：2024-05-07
IPC分类号： C22F1/04 , C23C14/34 , H01L21/768 , G01N29/06 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。
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公开(公告)号：CN118357461A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465239.X
申请日：2024-04-18
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC分类号： B22F3/14 , C23C14/35 , B22F9/04 , B22F1/145 , B22F1/142 , B22F3/02 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059
摘要： 本发明公开了一种铁铂基靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯铂粉和纯铁粉进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段铁铂之间的合金化进程；2)添加第三组分粉体与铁铂粉体进行二次均匀化球磨，作为隔离剂使烧结过程中能产生完全相互隔离的铁铂晶粒；3)对混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；4)利用冷压成型与热压相结合的方式实现铁铂靶材坯料微观结构可控性制备。本发明实现了对于铁铂基靶材坯料致密度的提高、含氧量降低和微观结构的可控性制备，提高了所制备铁铂靶材的服役性能。
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公开(公告)号：CN116657109A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310631607.9
申请日：2023-05-31
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种抗氧化性的磁控溅射银合金靶材及其制备方法、应用。所述磁控溅射银合金靶材，由Ag、Pt、In组成，其中Pt的质量百分比为0.1~3%，In的质量百分比为1~3.5%，其余为Ag。所得银合金靶材结构均匀，有效提高了其溅射利用率，在相同的溅射时间内体积损失更小，减少了靶材材料的浪费，节约成本，有效缩短了机加工时间，并提高实际生产过程中的经济效益。同时，所制备的银合金靶材在硅片上沉积得到的银合金膜在保证较低电阻率的同时相较于普通Ag薄膜有着更强的抗氧化能力。
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公开(公告)号：CN104561913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410775474.3
申请日：2014-12-15
申请人： 昆明贵金属研究所
CPC分类号： C23C14/3407 , B22F3/14 , C23C14/3414
摘要： 本发明公开了一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相,所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10-1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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公开(公告)号：CN104458370A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410674371.8
申请日：2014-11-23
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种辉光放电质谱仪分析试样的制备方法，其包括如下步骤：a)将需要分析的难熔金属粉末放置于内部涂有脱模剂的石墨模具中；b)使用加压烧结的方法对粉末进行成型；c)对成型的坯料进行车削。使用本发明的分析方法：在尽可能保持本身杂质含量的同时，具有较高的致密度，同时表面洁净，从而保证辉光放电质谱分析结果的准确性和精确度，同时本制备方法制备的样品还有分析速度快，效率高的优点。
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公开(公告)号：CN118543948A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410685178.8
申请日：2024-05-30
申请人： 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 昆明贵金属研究所 , 云南贵金属实验室有限公司
摘要： 本发明公开了一种镍钒合金靶材的绑定方法，属于溅射靶材技术领域。本发明通过对镍钒合金的焊接端面依次进行机械加工、表面纳米化和电解抛光处理，然后将处理后的镍钒合金与铜或铜背板进行扩散焊连接。本发明所述方法能有效提高靶材的绑定性能，提升靶材的成品率。同时，在扩散焊接时，焊接温度比现有技术的温度大大降低，从而能在几乎不改变镍钒合金结构的条件下实现靶材与背板的有效连接。
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公开(公告)号：CN107723656A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710776679.7
申请日：2017-08-31
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种含Au纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法，为工业纯Ti表面上含Au纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法。该方法主要包括工业纯Ti的再结晶退火、表面机械研磨处理、磁控共溅射、硝酸选择性溶解、热氧化。本发明通过具有良好润滑和韧性的Au纳米粒子和高硬度的TiO2的结合获得具有高韧性和高硬度的耐磨表层，同时通过设计并获得的梯度涂层有效改善涂层与金属基体之间界面应力、提高了涂层与基体的结合，从而使工业纯Ti的摩擦磨损性能得到明显提高。
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公开(公告)号：CN104561913B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410775474.3
申请日：2014-12-15
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相,所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10‑1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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公开(公告)号：CN102922231A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210411249.2
申请日：2012-10-25
申请人： 昆明贵金属研究所
IPC分类号： B23P15/00
摘要： 本发明公开了一种钌及钌合金靶材的加工方法，包括：提供钌及钌合金靶材坯料；对所述的钌及钌合金靶材坯料进行车削，所述车削采用HRC大于70的刀具，所述车削时加工的转速为50-200转/分钟，所述车削时的进刀量为0.1-0.5mm；对车削后的钌及钌合金靶材进行磨削，所述磨削时的进刀量0.005-0.02mm，所述磨削加工时砂轮的线速度为20-45米/秒；对磨削后的靶材进行超声清洗。本发明提供的钌及钌合金靶材的加工方法，减少了崩边、掉块等现象的发生，减少了应力层、避免了微裂纹的产生，使靶材的表面粗糙度较低，同时具有较高的加工效率。
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