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公开(公告)号：CN108359833A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
摘要： 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75-85％，Sn：15-25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15-25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2-4毫米长度2-8毫米AuSn15-25合金规则颗粒，每粒重0.2-2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15-25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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公开(公告)号：CN108677029B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810264365.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法，提出有别于传统熔炼、铸锭、轧制、拉丝、切粒工艺在制备过程对高纯金蒸发材料带来污染的工艺，全新制备集成电路用高纯金蒸发规则颗粒的新方法。具体工艺是，采用电解法进行一次提纯，去除4N金中大部分金属及非金属杂质，再通过化学法进行二次提纯，高纯金原料纯度大于99.999％以上，且能有效控制特定杂质元素C，N，O，S，Fe，Pb，Sb，Bi等，通过可控精密铸造直接成型生产出高纯金蒸发规则颗粒。本发明提出的产品纯度达到99.999％以上，C含量低于1ppm；产品粒径0.3‑3mm，误差±0.2mm，重量误差±0.1g，清洁性达到电子行业1级标准。
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公开(公告)号：CN108359833B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
摘要： 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75‑85％，Sn：15‑25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15‑25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2‑4毫米长度2‑8毫米AuSn15‑25合金规则颗粒，每粒重0.2‑2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15‑25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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公开(公告)号：CN108677029A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810264365.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法，提出有别于传统熔炼、铸锭、轧制、拉丝、切粒工艺在制备过程对高纯金蒸发材料带来污染的工艺，全新制备集成电路用高纯金蒸发规则颗粒的新方法。具体工艺是，采用电解法进行一次提纯，去除4N金中大部分金属及非金属杂质，再通过化学法进行二次提纯，高纯金原料纯度大于99.999％以上，且能有效控制特定杂质元素C，N，O，S，Fe，Pb，Sb，Bi等，通过可控精密铸造直接成型生产出高纯金蒸发规则颗粒。本发明提出的产品纯度达到99.999％以上，C含量低于1ppm；产品粒径0.3‑3mm，误差±0.2mm，重量误差±0.1g，清洁性达到电子行业1级标准。
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