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公开(公告)号：CN117133852B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310894404.9
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , C22C5/06 , C23F11/10 , C23F3/04 , B21C1/02 , B21C9/02 , B21C47/02 , B21C47/16 , H01L23/49 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种低光衰抗变色键合银丝及其制备方法，该键合银丝的成分和质量含量为：锶为5～10ppm,钙为7‑15ppm,铍为10‑20ppm；金为5‑15ppm,钯为5‑15ppm；铈为1‑20ppm；余量为原料纯度99.99％的银；针对Ф0.050mm以下的键合银丝，设计变形量逐级递减的在线热拉拔与逐级表面处制备方式，设计抗变色表面活性剂成分及浓度配比，制备一种低光衰抗变色键合银键合银丝。采用此方法制备的键合银丝光通量平均值达到28.791m，高温硫化试验后表面光亮不变色，光通量维持率不低于94％。该方法突破了键合银丝易硫化变色，光通量维持率低的技术难题，提升了银合金丝封装的LED反射光线的效率，推动了光源器件微组装技术的发展。
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公开(公告)号：CN113702202B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110866480.X
申请日：2021-07-29
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种测试键合丝热影响区拉伸性能的方法及装置，属于微电子封装用键合丝材料技术领域。包括以下步骤：将夹持嘴嘴尖向下固定在键合机瓷嘴固定装置上，用镊子将键合丝穿入夹持嘴孔内并使线尾伸出嘴尖，利用键合机打火装置烧球，将键合丝在上部剪断并随夹持嘴一起从键合机上取下；带球键合丝随夹持嘴安装于拉力测试仪测试夹具上，施加拉伸载荷并实时记录拉伸载荷与拉伸位移直至断裂。本发明可准确测量键合丝球焊过程中形成的热影响区的拉伸性能，解决了该领域键合丝热影响区的性能无法测试的难题，对指导键合丝材料的研发和键合参数的设置具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113702202A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110866480.X
申请日：2021-07-29
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种测试键合丝热影响区拉伸性能的方法及装置，属于微电子封装用键合丝材料技术领域。包括以下步骤：将夹持嘴嘴尖向下固定在键合机瓷嘴固定装置上，用镊子将键合丝穿入夹持嘴孔内并使线尾伸出嘴尖，利用键合机打火装置烧球，将键合丝在上部剪断并随夹持嘴一起从键合机上取下；带球键合丝随夹持嘴安装于拉力测试仪测试夹具上，施加拉伸载荷并实时记录拉伸载荷与拉伸位移直至断裂。本发明可准确测量键合丝球焊过程中形成的热影响区的拉伸性能，解决了该领域键合丝热影响区的性能无法测试的难题，对指导键合丝材料的研发和键合参数的设置具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108421986B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810471481.2
申请日：2018-05-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯铱粉的制备方法，尤其涉及一种三氯化铱分离提纯制备高纯铱粉的方法，其步骤包括：(1)溶解；(2)钛盐还原；(3)络合沉淀；(4)盐酸溶解；(5)离子交换；(6)氧化沉淀；(7)煅烧还原；(8)混酸煮洗。本发明工艺简单，主要通过钛盐还原、化学沉淀、离子交换、酸煮等方式进行联合除杂，钛盐还原除去铑、钯等杂质；化学络合沉淀铱，实现铱与其他贵贱金属杂质的有效分离；沉淀采用盐酸溶解，所得铱溶液通过离子交换进一步除去微量阳离子杂质，再经氧化沉淀、煅烧还原、混酸煮洗除去微量杂质；最终制备出纯度大于99.999％的铱粉。
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公开(公告)号：CN112086365A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010909054.5
申请日：2020-09-02
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种提高超细金丝单根丝长度的方法，在99.99％以上的高纯金中添加1～2种质量含量为5～50ppm的碱土金属和1～2种2～20ppm的稀土金属；制备Φ8～12mm的铸锭，通过粗拉、中拉、细拉制备成Ф0.050mm细丝；从Ф0.050mm到Φ0.008mm～Φ0.015mm，采用分段式不同变形量的配模工艺，按从粗到细，每段变形量依次递减；在主动放线装置和拉丝系统中间增加退火装置，实现超细金丝在线热拉拔。针对Ф0.050mm以下的金丝，设计变形量自上而下逐级递减的配模工艺，采用在线热拉拔技术，配合不同润滑方式，使用特殊尺寸钻石拉丝模以提高目标线径为0.008mm～0.015mm超细金丝的单根丝长度。该方法突破了超细金丝高精度制备断线频繁的技术难题，加快了超细金丝的产业化进程，推动了微组装技术的发展。
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公开(公告)号：CN117403050A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310894424.6
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种能够延缓脆化现象发生的封装用键合铜丝及制备方法，旨在解决键合铜丝在生产和应用过程中脆化的问题，采用的技术方案是：在高纯铜中添加2～8ppm的P和5～12ppm的Ag，5～15ppm Cr、Ge、Ni的一种或者两种，8～30ppm的Zn、Co的一种，按照以上配比熔炼拉拔加工到Φ1mm～Φ3mm，经高温淬火后再低温回火，接着拉拔加工到Φ0.05mm～Φ0.1mm，经氮气保护退火处理，再冷冻。拉拔加工到最终成品，再对成品丝去应力连续退火处理，退火后在键合铜丝表面敷一层抗氧化剂。通过以上技术方案处理的键合铜丝可以降低拉断力和伸长率同时下降的速度，为键合铜丝的大批量生产和应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN117133852A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310894404.9
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , C22C5/06 , C23F11/10 , C23F3/04 , B21C1/02 , B21C9/02 , B21C47/02 , B21C47/16 , H01L23/49 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种低光衰抗变色键合银丝及其制备方法，该键合银丝的成分和质量含量为：锶为5～10ppm,钙为7‑15ppm,铍为10‑20ppm；金为5‑15ppm,钯为5‑15ppm；铈为1‑20ppm；余量为原料纯度99.99％的银；针对Ф0.050mm以下的键合银丝，设计变形量逐级递减的在线热拉拔与逐级表面处制备方式，设计抗变色表面活性剂成分及浓度配比，制备一种低光衰抗变色键合银键合银丝。采用此方法制备的键合银丝光通量平均值达到28.791m，高温硫化试验后表面光亮不变色，光通量维持率不低于94％。该方法突破了键合银丝易硫化变色，光通量维持率低的技术难题，提升了银合金丝封装的LED反射光线的效率，推动了光源器件微组装技术的发展。
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公开(公告)号：CN116790902A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310768615.8
申请日：2023-06-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种再生粗金制备低氧含量高纯金的方法，包括：(1)向再生粗金中加入盐酸并鼓入空气，在一定的条件下预先浸出杂质；(2)将预浸除杂后的金物料采用盐酸+氯气进行溶解，稀释，过滤，获得氯金酸溶液；(3)往氯金酸溶液先加入适量三氯化铁，再用氢氧化钠溶液调节pH值，静置，过滤，得到纯净的金溶液；(4)将除杂后的金溶液，加入过氧化氢溶液进行还原，过滤、洗涤，得到海绵金；(5)将海绵金置于熔炼精炼装置中进行精炼脱氧，冷却后，得到低氧含量高纯金。本发明具有工艺流程简单、杂质去除效果好、反应过程易于控制等优点，采用本发明制备的高纯金的纯度大于99.999％，氧含量不大于1ppm。
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公开(公告)号：CN109811138B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910119310.8
申请日：2019-02-18
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种从含铱有机废液中回收铱的方法，其特征在于，调整含铱有机废液的pH值，往其中加入消泡剂，将废液与固体还原剂进行还原反应，废液中的铱化合物被还原为金属铱沉淀，过滤，洗涤，干燥后，得到铱粉。本发明工艺简单，回收效率高，对原料适应性强，能处理多种含铱有机废液。
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公开(公告)号：CN110340373A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910615881.0
申请日：2019-07-09
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯钯粉的制备方法，采用常规阳离子交换除杂、选择性化学沉淀、煅烧氢还原及稀盐酸+氢氟酸混合溶液煮洗除杂相结合的工艺制备高纯钯粉。本发明的制备工艺流程简单，容易实施，均使用常规化学试剂及设备，制备条件温和，成本低，金属钯收率高，无有害有毒污染物排放，所得钯粉纯度高达99.999％，杂质含量小于10ppm，适用于电子行业、高纯贵金属材料领域。
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