一种二氧化铪涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109112501A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810972105.1

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/448

    摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。

    一种二氧化铪涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109112501B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201810972105.1

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/448

    摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。