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公开(公告)号:CN117364052B
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202311322575.0
申请日:2023-10-13
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/01 , C23F1/10
摘要: 本发明公开一种高发射率铼涂层及其制备方法,属于CVD涂层制备技术领域。本发明所述高发射率铼涂层的制备方法包括:将钼基体在熔盐中腐蚀;熔盐为NaNO3和KNO3混合反应物;然后在真空中依次氯化、沉积得到沉积样品;接下来停止加热,通入氯气流量为30~50ml/min,时间为30~60min,得到铼涂层钼基材料;最后使用电火花线切割方法分离铼涂层和钼基体。本发明通过对基体进行熔盐腐蚀及对沉积样品进行氯气腐蚀调控铼涂层生长取向,得到的铼涂层组织致密,涂层表面形状呈现出树枝状,具有(002)择优取向,表面发射率可高达0.83,远高于粉末冶金方法制备得到的铼的发射率。
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公开(公告)号:CN117447237A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311547453.1
申请日:2023-11-20
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C04B41/87
摘要: 本发明公开了一种HfC梯度涂层的制备方法,属于涂层制备技术领域。所述HfC梯度涂层制备方法,采用化学气相沉积方法,通过调控氯化温度、沉积温度、氯气流量、氢气流量、甲烷流量及沉积室压力制备HfC梯度涂层,所述梯度涂层由4‑8层涂层构成,自与碳基基体接触的涂层往外依次为:第一层为热解碳层,中间层为HfC与C构成的混合层,最后一层为HfC层,且梯度涂层中Hf含量自内而外递增。本发明获得组分与结构呈梯度变化的HfC梯度涂层材料的相对密度为99.2~99.5%,室温热导率为4.55~4.96W.m‑1.K‑1;梯度涂层能有效缓解HfC涂层与碳基基体间的残余应力,相比单一HfC涂层下降60%以上,室温‑2000℃热震20次后,未出现涂层剥落现象。
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公开(公告)号:CN117364052A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311322575.0
申请日:2023-10-13
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/01 , C23F1/10
摘要: 本发明公开一种高发射率铼涂层及其制备方法,属于CVD涂层制备技术领域。本发明所述高发射率铼涂层的制备方法包括:将钼基体在熔盐中腐蚀;熔盐为NaNO3和KNO3混合反应物;然后在真空中依次氯化、沉积得到沉积样品;接下来停止加热,通入氯气流量为30~50ml/min,时间为30~60min,得到铼涂层钼基材料;最后使用电火花线切割方法分离铼涂层和钼基体。本发明通过对基体进行熔盐腐蚀及对沉积样品进行氯气腐蚀调控铼涂层生长取向,得到的铼涂层组织致密,涂层表面形状呈现出树枝状,具有(002)择优取向,表面发射率可高达0.83,远高于粉末冶金方法制备得到的铼的发射率。
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公开(公告)号:CN115194169B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202210975070.3
申请日:2022-08-15
申请人: 贵研铂业股份有限公司
摘要: 本发明提供了一种3D打印用铂或铂铑合金球形粉及其制备方法和应用,属于粉末冶金技术领域。本发明将金属棒在无坩埚电极感应气雾化制粉设备中进行雾化制粉,通过控制雾化制粉的各项工艺参数,制备得到的球形粉末具有流动性好、含氧量低、球形度高、不易空心和球形粉末粒度均匀的优点,实现了高球形度的铂及铂铑合金粉末在3D打印技术中的应用,解决了铂及铂铑合金材料在3D打印技术运用中原料限制问题,同时实现了产品质量稳定性的规模化生产,方法简便可行。
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公开(公告)号:CN115194169A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210975070.3
申请日:2022-08-15
申请人: 贵研铂业股份有限公司
摘要: 本发明提供了一种3D打印用铂或铂铑合金球形粉及其制备方法和应用,属于粉末冶金技术领域。本发明将金属棒在无坩埚电极感应气雾化制粉设备中进行雾化制粉,通过控制雾化制粉的各项工艺参数,制备得到的球形粉末具有流动性好、含氧量低、球形度高、不易空心和球形粉末粒度均匀的优点,实现了高球形度的铂及铂铑合金粉末在3D打印技术中的应用,解决了铂及铂铑合金材料在3D打印技术运用中原料限制问题,同时实现了产品质量稳定性的规模化生产,方法简便可行。
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