一种钽涂层的表面活化方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114622189A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210263417.1

    申请日:2022-03-17

    IPC分类号: C23C16/56

    摘要: 本发明提供了一种钽涂层的表面活化方法,属于表面活化技术领域。采用氩气等离子对钽涂层进行等离子体活化处理后浸泡在水中。本发明提出一种等离子体表面活化法处理钽涂层的方法,利用氩离子轰击钽涂层表面,清除钽涂层表面杂质,提高钽涂层表面活性,且不引入杂质元素及化学反应,经等离子体活化处理后的钽涂层空位缺陷增加,可促进Ta2O5氧化膜生成,提高涂层的耐蚀性能,适用于提高化工领域小型部件表面钽涂层的耐蚀性能;且等离子体活化处理效率高,可控性强;同时在水中浸泡能够增加氧化膜的耐污性能,进一步提高耐蚀性能。

    一种二氧化铪涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109112501B

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201810972105.1

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/448

    摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。

    一种铼坩埚及其制备方法和应用
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113512713A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110771475.0

    申请日:2021-07-08

    IPC分类号: C23C16/14 C30B35/00

    摘要: 本发明提供了一种铼坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明提供了一种铼坩埚的制备方法,包括以下步骤:在真空条件下,将铼与氯气发生氯化反应,得到ReCl5气体;对基体进行加工,得到沉积铼坩埚用模芯;将所述沉积铼坩埚用模芯预热,得到预热沉积铼坩埚用模芯;将所述ReCl5气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积,得到铼坩埚。本发明采用现场氯化化学气相沉积(CVD)法制备铼坩埚,具有流程短、工艺成熟、沉积速率快及原材料利用率高的优点,可以得到高致密性、高纯度的铼坩埚。

    一种二氧化铪涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109112501A

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201810972105.1

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C23C16/40 C23C16/448

    摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。