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公开(公告)号:CN117364052B
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202311322575.0
申请日:2023-10-13
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/01 , C23F1/10
摘要: 本发明公开一种高发射率铼涂层及其制备方法,属于CVD涂层制备技术领域。本发明所述高发射率铼涂层的制备方法包括:将钼基体在熔盐中腐蚀;熔盐为NaNO3和KNO3混合反应物;然后在真空中依次氯化、沉积得到沉积样品;接下来停止加热,通入氯气流量为30~50ml/min,时间为30~60min,得到铼涂层钼基材料;最后使用电火花线切割方法分离铼涂层和钼基体。本发明通过对基体进行熔盐腐蚀及对沉积样品进行氯气腐蚀调控铼涂层生长取向,得到的铼涂层组织致密,涂层表面形状呈现出树枝状,具有(002)择优取向,表面发射率可高达0.83,远高于粉末冶金方法制备得到的铼的发射率。
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公开(公告)号:CN117447237A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311547453.1
申请日:2023-11-20
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C04B41/87
摘要: 本发明公开了一种HfC梯度涂层的制备方法,属于涂层制备技术领域。所述HfC梯度涂层制备方法,采用化学气相沉积方法,通过调控氯化温度、沉积温度、氯气流量、氢气流量、甲烷流量及沉积室压力制备HfC梯度涂层,所述梯度涂层由4‑8层涂层构成,自与碳基基体接触的涂层往外依次为:第一层为热解碳层,中间层为HfC与C构成的混合层,最后一层为HfC层,且梯度涂层中Hf含量自内而外递增。本发明获得组分与结构呈梯度变化的HfC梯度涂层材料的相对密度为99.2~99.5%,室温热导率为4.55~4.96W.m‑1.K‑1;梯度涂层能有效缓解HfC涂层与碳基基体间的残余应力,相比单一HfC涂层下降60%以上,室温‑2000℃热震20次后,未出现涂层剥落现象。
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公开(公告)号:CN117364474A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311340208.3
申请日:2023-10-17
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
摘要: 本发明公开一种含铂涂层的连续SiC纤维及其制备方法,属于SiC纤维复合材料技术领域。所述含铂涂层的连续SiC纤维,包括负载在SiC纤维上的Pt涂层,所述Pt涂层的厚度为0.4‑1.1微米。本发明在连续SiC纤维表面沉积了晶粒尺寸0.05‑0.1微米的8‑10层梯度晶粒尺寸的Pt涂层,梯度Pt涂层与连续SiC纤维结合牢固,即使在高温环境下也不易脱落。而且所沉积的铂涂层光滑致密,有效弥补了连续SiC纤维表面缺陷,不仅增加了连续SiC纤维的拉伸强度,而且提升了连续SiC纤维在700‑1400℃高温下的抗氧化性能。
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公开(公告)号:CN117364052A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311322575.0
申请日:2023-10-13
申请人: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/01 , C23F1/10
摘要: 本发明公开一种高发射率铼涂层及其制备方法,属于CVD涂层制备技术领域。本发明所述高发射率铼涂层的制备方法包括:将钼基体在熔盐中腐蚀;熔盐为NaNO3和KNO3混合反应物;然后在真空中依次氯化、沉积得到沉积样品;接下来停止加热,通入氯气流量为30~50ml/min,时间为30~60min,得到铼涂层钼基材料;最后使用电火花线切割方法分离铼涂层和钼基体。本发明通过对基体进行熔盐腐蚀及对沉积样品进行氯气腐蚀调控铼涂层生长取向,得到的铼涂层组织致密,涂层表面形状呈现出树枝状,具有(002)择优取向,表面发射率可高达0.83,远高于粉末冶金方法制备得到的铼的发射率。
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公开(公告)号:CN114622189A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202210263417.1
申请日:2022-03-17
申请人: 昆明贵金属研究所
IPC分类号: C23C16/56
摘要: 本发明提供了一种钽涂层的表面活化方法,属于表面活化技术领域。采用氩气等离子对钽涂层进行等离子体活化处理后浸泡在水中。本发明提出一种等离子体表面活化法处理钽涂层的方法,利用氩离子轰击钽涂层表面,清除钽涂层表面杂质,提高钽涂层表面活性,且不引入杂质元素及化学反应,经等离子体活化处理后的钽涂层空位缺陷增加,可促进Ta2O5氧化膜生成,提高涂层的耐蚀性能,适用于提高化工领域小型部件表面钽涂层的耐蚀性能;且等离子体活化处理效率高,可控性强;同时在水中浸泡能够增加氧化膜的耐污性能,进一步提高耐蚀性能。
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公开(公告)号:CN109112501B
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201810972105.1
申请日:2018-08-24
申请人: 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号: C23C16/40 , C23C16/448
摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。
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公开(公告)号:CN113512713A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202110771475.0
申请日:2021-07-08
申请人: 贵研铂业股份有限公司
摘要: 本发明提供了一种铼坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明提供了一种铼坩埚的制备方法,包括以下步骤:在真空条件下,将铼与氯气发生氯化反应,得到ReCl5气体;对基体进行加工,得到沉积铼坩埚用模芯;将所述沉积铼坩埚用模芯预热,得到预热沉积铼坩埚用模芯;将所述ReCl5气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积,得到铼坩埚。本发明采用现场氯化化学气相沉积(CVD)法制备铼坩埚,具有流程短、工艺成熟、沉积速率快及原材料利用率高的优点,可以得到高致密性、高纯度的铼坩埚。
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公开(公告)号:CN109112501A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810972105.1
申请日:2018-08-24
申请人: 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号: C23C16/40 , C23C16/448
摘要: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法,属于涂层制备领域。本发明中,原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单,HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上,且不会带来杂质污染;化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生,可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积;CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子,HfO2分子逐个堆积形成涂层,涂层密度超过其理论密度的99%;HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向,涂层形成了择优取向的织构组织,使涂层的辐射系数提高至0.90以上,高温散热性能优良。
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公开(公告)号:CN115896528A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211353391.6
申请日:2022-11-01
申请人: 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号: C22C5/04 , C22C1/047 , B22F9/04 , B22F1/14 , B22F3/10 , B22F3/02 , C22F1/14 , B22F5/00 , C03B37/095 , C30B35/00 , F02K1/00
摘要: 本发明提供了一种难熔金属间化合物增强铂铑基高温合金,包括如下质量含量的组分:Rh 0~10wt%,Re3Nb 0.05~1.0wt%和余量的Pt。本发明采用一定量的新型的高熔点难熔的χ相金属间化合物即Re3Nb作为增强相,且增强相Re3Nb在Pt‑Rh合金中的均匀弥散分布,使得χ相增强的低Rh含量的Pt‑Rh基合金具有优异的高温力学性能和抗氧化能力,并大幅降低贵金属Rh的用量和合金成本,利用具有较高熔点的Pt元素和Rh元素,以提高制备的难熔金属间化合物增强铂铑基高温合金的抗氧化、耐腐蚀性能和化学稳定性。
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公开(公告)号:CN113512714A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202110771701.5
申请日:2021-07-08
申请人: 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号: C23C16/14 , C23C16/448 , C30B35/00 , C30B29/16
摘要: 本发明提供了一种铼‑钨复合坩埚及其制备方法和应用,属于金属材料制备技术领域。本发明的铼‑钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层,所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来,创新设计并制备铼‑钨复合坩埚,可大幅降低坩埚的成本;本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层,且铼层与氧化物熔体直接接触,在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时,还能保证所制备激光晶体的高品质,所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物,如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。
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