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公开(公告)号：CN111620711B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010438326.8
申请日：2020-05-21
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/645 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证错排层叠结构的形成，形成错排层叠结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN111620711A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010438326.8
申请日：2020-05-21
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
IPC分类号： C04B35/81 , C04B35/645 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了无机陶瓷材料技术领域的一种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该种仿生氮化硅陶瓷材料的原料包括：β氮化硅晶须晶种；α氮化硅颗粒粉末；分散剂；粘结剂；塑化剂；溶剂，所述β氮化硅晶须直径为10～1000nm，长径比为4：1～100：1，所述α氮化硅颗粒粒径为0.01～10微米，氮化硅原料中β氮化硅晶须晶种占比5～50wt％，该种仿生氮化硅陶瓷材料及其制备方法，该方法以晶须定向增强薄膜为基元，提高基元的强度，薄层层叠形成陶瓷的氮化硅陶瓷材料，通过仿生人骨结构，溅射助剂形成梯度助剂，保证层状结构的形成，形成层状结构后，提高氮化硅陶瓷的强度和韧性。
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公开(公告)号：CN217123513U
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202123084024.4
申请日：2021-12-09
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
摘要： 本实用新型公开一种陶瓷板材混料生产线，包括混料装置、烘干装置、氮气制备增压装置和粉碎装置，其特征在于混料装置与烘干装置间通过传送带连接，所述混料装置包括供粉装置和供液装置和球磨装置，烘干装置的入料端有氮气进入口，出料端有氮气出口，其四面由密封加热板组成，所述粉碎装置由陶瓷粉碎搅拌机和筛网过滤装置构成，工作过程中，供粉装置和供液装置在氮气制备增压装置的作用下将粉体输送至球磨装置中，球磨结束后在传送皮带上进入烘干装置，再进入粉碎装置，最后得到粒径较小的氮化硅陶瓷粉体，本实用新型提供的一种陶瓷板材混料生产线具有生产效率高和可生产粒径较小的优点。
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公开(公告)号：CN216558270U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202123100147.2
申请日：2021-12-10
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
摘要： 本实用新型公开一种陶瓷板材连续流延烧结生产线，包括流延装置、烘干装置和烧结装置，其特征在于流延装置与烘干装置间通过传送带连接，烘干装置的出料端与发热辊轧装置连接，热辊轧装置由三对发热轧辊组成，所述发热轧辊由陶瓷辊轴和内嵌发热体构成，工作过程中，发热轧辊对烘干后的陶瓷坯料带材可同时起到烧结、矫正和传输作用，本实用新型提供的一种陶瓷板材连续流延烧结生产线具有生产效率高和可生产超长带材的优点。
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公开(公告)号：CN217621185U
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202123084267.8
申请日：2021-12-09
申请人： 贵研铂业股份有限公司 , 福建工程学院 , 东北大学
摘要： 本实用新型公开一种陶瓷板材刮涂预成坯体生产线，包括刮涂装置、烘干装置、喷涂装置和切削装置，其特征在于刮涂装置、烘干装置、喷涂装置和切削装置间通过一条传送带连接，所述刮涂装置包括供料箱，刮刀，所述烘干装置采用微波等离子预热器，工作过程中，刮刀刮出一定厚度的氮化硅陶瓷带，经过烘干装置，再经喷涂装置在表面喷层烧结助剂，切削装置切削，叠放后形成预成坯体，本实用新型提供的一种陶瓷板材刮涂预成坯体生产线具有生产效率高和可生产多层结构坯体的优点。
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公开(公告)号：CN117821793A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310466784.6
申请日：2023-04-27
申请人： 福建工程学院
摘要： 本发明公开了一种WC颗粒增强CoCrNi中熵合金材料及其制备方法。该方法首先将气雾化CoCrNi粉末与WC粉末通过卧式球磨机混合，保证粉体均匀分散，而后采用放电等离子烧结，得到(CoCrNi)100‑x(WC)x中熵合金材料。本发明所得中熵合金的晶粒尺寸小，成分均匀，实现了添加微量WC即可有效提升材料的强度和硬度，且其制备方法简单，可经一次烧结制得，能够显著降低能耗和减少设备损耗，具有良好的经济效益和市场前景。
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公开(公告)号：CN113441719B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202110699225.0
申请日：2021-06-23
申请人： 福建工程学院
摘要： 本发明公开一种多主元金属氧化物增强的电触头材料及其制备方法，包括如下步骤：S1，称取高熵氧化物粉末和银粉末；S2，将高熵氧化物粉末和银粉末进行混合，制备银基高熵氧化物复合粉体；S3，将银基高熵氧化物复合粉体转置于石墨模具中，进行热压烧结得到银‑高熵氧化物复合材料；S4，将银‑高熵氧化物复合材料置于箱式炉中，进行退火，温度降至室温时，制得成品银‑多主元金属氧化物复合电触头材料。本发明与现有常用的电触头第二相相比较，具有以下有优势：没有用到镉元素，避免了环境污染的问题；利用多主元金属氧化物在电弧作用下的固态相变吸热起到抗电弧侵蚀作用；相变产物为高熵氧化物，具有很好的稳定性，可以继续弥散强化电触头。
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公开(公告)号：CN113387335A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110843491.6
申请日：2021-07-26
申请人： 福建工程学院
IPC分类号： C01B19/00
摘要： 本发明公开了一系列多层高熵结构化合物及其制备方法。所述的多层高熵结构化合物为一系列的过渡金属层状化合物，分子式表达为(HEMB)x(HEMA)X2，HEM为高熵金属元素组合，由四种或四种以上金属元素组成，HEMA、HEMB分别为两组高熵元素，x为HEMB高熵金属元素的插层量，元素总量为x，0＜x≤1，X为S、Se、Te元素中的一种或多种的组合。本发明在本就是在MX2层状结构的M位由高熵金属元素组合HEMA替换的基础上，在层与层之间再引入一层高熵金属原子HEMB，同时可对其插层量进行调控，得到具有多层高熵结构的一系列化合物，该系列材料在能源转换、能源存储等应用领域具有巨大潜力。本发明多层高熵的结构设计理念为人们探索新高熵化合物提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN114634366B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210145157.8
申请日：2022-02-17
申请人： 福建闽航电子有限公司 , 福建工程学院
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种基于纤维氧化铝的陶瓷管壳制备方法，包括：配制陶瓷浆料，所述陶瓷浆料包括陶瓷粉末、塑化剂、表面活性剂和溶剂；将陶瓷浆料注入带有齿梳出口的流延机，流延并烘干，形成纤维沿流延方向定向排列的生坯带材；将生坯带材切割成板坯，印刷上导线，其中相邻板坯印刷导线时翻转90度；将印刷导线后的板坯层叠压实，进行冲孔，注浆后烧结获得陶瓷管壳，使得产品达到限位强化作用，并且避免基板翘曲。
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公开(公告)号：CN113441719A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110699225.0
申请日：2021-06-23
申请人： 福建工程学院
摘要： 本发明公开一种多主元金属氧化物增强的电触头材料及其制备方法，包括如下步骤：S1，称取高熵氧化物粉末和银粉末；S2，将高熵氧化物粉末和银粉末进行混合，制备银基高熵氧化物复合粉体；S3，将银基高熵氧化物复合粉体转置于石墨模具中，进行热压烧结得到银‑高熵氧化物复合材料；S4，将银‑高熵氧化物复合材料置于箱式炉中，进行退火，温度降至室温时，制得成品银‑多主元金属氧化物复合电触头材料。本发明与现有常用的电触头第二相相比较，具有以下有优势：没有用到镉元素，避免了环境污染的问题；利用多主元金属氧化物在电弧作用下的固态相变吸热起到抗电弧侵蚀作用；相变产物为高熵氧化物，具有很好的稳定性，可以继续弥散强化电触头。
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