公开(公告)号：CN108701729A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011654.6

申请日：2017-01-16

申请人： 赫普塔冈微光有限公司

发明人： 伯恩哈德·比特根 ,  格宗·格克鲁 ,  西奥多·沃尔特·洛利格

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/111 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/33 ,  H01L31/11

CPC分类号： H01L27/1461 ,  H01L21/266 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L31/101

摘要： 一种可操作来解调入射的调制电磁辐射的半导体装置，所述半导体装置包括：钉扎光电二极管结构，包括第一类型的基板、设置在基板内的第二类型的注入层、设置在基板内且各自邻近第二类型的注入层设置的第二类型的第一辅助性注入层和第二辅助性注入层、设置在第二类型的注入层内且延伸到第二类型的第一辅助性注入层和第二辅助性注入层中的第一类型的注入层、设置在基板的表面上的绝缘体、以及光检测区域；第一传送栅极和第二传送栅极，设置在绝缘体的表面上，传送栅极可操作来在基板内产生场；以及第二类型的第一浮动扩散注入层和第二浮动扩散注入层，设置在基板内。

公开(公告)号：CN108701729B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201780011654.6

申请日：2017-01-16

申请人： 赫普塔冈微光有限公司

发明人： 伯恩哈德·比特根 ,  格宗·格克鲁 ,  西奥多·沃尔特·洛利格

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/111 ,  H01L21/265 ,  H01L21/329 ,  H01L21/33 ,  H01L31/11

摘要： 一种可操作来解调入射的调制电磁辐射的半导体装置，所述半导体装置包括：钉扎光电二极管结构，包括第一类型的基板、设置在基板内的第二类型的注入层、设置在基板内且各自邻近第二类型的注入层设置的第二类型的第一辅助性注入层和第二辅助性注入层、设置在第二类型的注入层内且延伸到第二类型的第一辅助性注入层和第二辅助性注入层中的第一类型的注入层、设置在基板的表面上的绝缘体、以及光检测区域；第一传送栅极和第二传送栅极，设置在绝缘体的表面上，传送栅极可操作来在基板内产生场；以及第二类型的第一浮动扩散注入层和第二浮动扩散注入层，设置在基板内。