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公开(公告)号：CN102938403B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210493251.9
申请日：2012-11-28
申请人： 辽宁大学
摘要： 本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发，从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，第一PMOS和第二PMOS首先被触发导通，第一PMOS开通之后，给Nwell施加一触发电流，第二PMOS开通之后给第三PMOS施加一触发电压。第一PMOS施加的Nwell触发电流和第三PMOS的沟道电流触发晶闸管导通，晶闸管电流（SCR current）导通大部分ESD电流，从而实现了ESD保护。
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公开(公告)号：CN103178105B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310123051.9
申请日：2013-04-10
申请人： 辽宁大学
摘要： 本发明创造涉及一种Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是：包括P型衬底，P型衬底上设置N阱，在N阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区，第一N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；在P型衬底上设有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；第一P+注入区接阳极，第二N+注入区接阴极；Native NMOS源接第一N+注入区，Native NMOS漏接第二P+注入区，Native NMOS衬底接电路的Vss。本发明Native NMOS导通后，Native NMOS的导通电流充当SCR期间的触发电流，触发晶闸管SCR导通，晶闸管导通后，晶闸管电流导通大部分ESD 电流，从而实现了ESD保护。
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公开(公告)号：CN102938403A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210493251.9
申请日：2012-11-28
申请人： 辽宁大学
摘要： 本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发，从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，第一PMOS和第二PMOS首先被触发导通，第一PMOS开通之后，给Nwell施加一触发电流，第二PMOS开通之后给第三PMOS施加一触发电压。第一PMOS施加的Nwell触发电流和第三PMOS的沟道电流触发晶闸管导通，晶闸管电流（SCRcurrent）导通大部分ESD电流，从而实现了ESD保护。
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公开(公告)号：CN103178105A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310123051.9
申请日：2013-04-10
申请人： 辽宁大学
摘要： 本发明创造涉及一种Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件。采用的技术方案是：包括P型衬底，P型衬底上设置N阱，在N阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区，第一N+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；在P型衬底上设有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区临近N阱和P型衬底的交界处；第一P+注入区接阳极，第二N+注入区接阴极；Native NMOS源接第一N+注入区，NativeNMOS漏接第二P+注入区，Native NMOS衬底接电路的Vss。本发明Native NMOS导通后，Native NMOS的导通电流充当SCR期间的触发电流，触发晶闸管SCR导通，晶闸管导通后，晶闸管电流导通大部分ESD电流，从而实现了ESD保护。
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