-
公开(公告)号：CN105481002A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510735744.2
申请日：2015-11-03
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明公开一种无需催化剂，操作简单、重复性好，可降低制作成本且减少衬底污染，利于后期纳米器件制作的自催化生长大尺寸β-Ga2O3微米线的方法，按如下步骤进行：将纯度至少为99%的金属镓单质作为反应源材料，将反应源材料放在石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积设备石英管内的高温加热区；将生长室内的压力控制为10Pa，通入氩气为载气，氩气流量为50~150ml/min；当加热温度达到800～1200℃时通入氧气，氧气流量为5～10ml/min，生长时间为30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至100℃以下，取出产品。
-
公开(公告)号：CN105481002B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510735744.2
申请日：2015-11-03
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明公开一种无需催化剂，操作简单、重复性好，可降低制作成本且减少衬底污染，利于后期纳米器件制作的自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法，按如下步骤进行：将纯度至少为99%的金属镓单质作为反应源材料，将反应源材料放在石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积设备石英管内的高温加热区；将生长室内的压力控制为10Pa，通入氩气为载气，氩气流量为50~150ml/min；当加热温度达到800～1200℃时通入氧气，氧气流量为5～10ml/min，生长时间为30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至100℃以下，取出产品。
-
公开(公告)号：CN105197983B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510453146.6
申请日：2015-07-29
申请人： 辽宁师范大学
摘要： 本发明公开一种采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法，按如下步骤进行：在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为1~50nm的金属催化剂；将镓源和锌源按质量比充分混合制成反应源材料；将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区，衬底位于气流下游距离反应源材料1~2cm处，通入高纯度氩气为载气，氩气流量为50~500ml/min；当加热温度达到600～1100℃时通入氧气，氧气流量为1～5ml/min，保持15~30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至100℃以下，取出样品。
-
公开(公告)号：CN105197983A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510453146.6
申请日：2015-07-29
申请人： 辽宁师范大学
摘要： 本发明公开一种采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法，按如下步骤进行：在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为1~50nm的金属催化剂；将镓源和锌源按质量比充分混合制成反应源材料；将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区，衬底位于气流下游距离反应源材料1~2cm处，通入高纯度氩气为载气，氩气流量为50~500ml/min；当加热温度达到600～1100℃时通入氧气，氧气流量为1～5ml/min，保持15~30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至100℃以下，取出样品。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.021 秒)
