-
公开(公告)号：CN109384258B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811542186.8
申请日：2018-12-17
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明公开一种无需催化剂、操作简单、重复性好、可降低制作成本且减少污染的采用化学气相沉积法生长β‑Ga2O3微米线的方法，按如下步骤进行：将纯度大于99%的氧化镓粉末和碳粉按质量比1：1.5混合后作为反应的源材料，将源材料放入石英舟内铺平，在石英舟上放置有位于源材料正上方且长度大于源材料铺平长度1~2cm的盖片，然后再将石英舟推入化学气相沉积设备石英管内的高温加热区，所述盖片材质为蓝宝石或石英；向石英管中通入氩气作为载气，氩气流量为100ml/min；当加热温度达到1100～1200℃时通入氧气，氧气流量为100ml/min，生长时间为30分钟；d.关闭氧气，保持氩气流量，降温后取出石英舟，获得产品。
-
公开(公告)号：CN103695866B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310729355.X
申请日：2013-12-26
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： C23C16/40
摘要： 本发明公开一种采用简单化学气相沉积法制备Sb掺杂p型ZnO薄膜的方法，是将锌源和锑源按质量比为5：1充分混合制成反应源材料，所述锌源为纯度至少为99.99%的固态Zn粉，所述锑源为纯度为99.999%的Sb2O3粉与纯度为99.99%的Sb粉的混合物，Sb2O3粉与Sb粉的质量比为2：1；将反应源材料及衬底放入石英舟内，衬底位于反应源材料下方1.5cm处，然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区，生长室内的压力为10Pa，生长温度为600℃，载气为流量300sccm的高纯氩气，氧气流量为20sccm，生长时间为30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，生长温度降温至300℃以下后，即可取出制品。
-
公开(公告)号：CN101860261B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010162373.0
申请日：2010-04-12
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： H02N2/18
摘要： 本发明公开了一种逆压电纳米半导体发电机，包括半导体纳米线阵列、金属薄片、外壳和外接电路。所述的纳米线阵列由具有逆压电和极化特性的取向半导体纳米线组成、生长在对应的导电金属基片上，所述的金属薄片与半导体纳米线阵列的另一边紧密接触，所述的半导体纳米线阵列和金属薄片通过上下叠压接触后、通过悬挂弹簧系统直接固定在外壳中，并与外接电路相连接。当空间电磁辐射信号作用在纳米线上时，纳米线将产生逆压电和极化现象，纳米线表面将有正负电荷积累。同时，金属-N型半导体的接触面间将形成使电流单向导通的肖特基接触效应，并将纳米线表面的一种极化电荷直接以电子流的形式输出到外接电路，完成电磁辐射能到电能的能量转换。
-
公开(公告)号：CN101967668A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010284740.4
申请日：2010-09-08
申请人： 辽宁师范大学
CPC分类号： C23C18/32
摘要： 本发明公开了一种用化学镀或电镀工艺制备Ni-P-UFD复合镀层的方法，该方法采用镀制前的表面活化处理，选择合适的化学镀或电镀镀液配方，加入特殊的两性表面活性剂，利用射频超声分散技术使超微金刚石颗粒(UFD)均匀分散在Ni-P化学镀和电镀溶液中，在化学镀或电镀工艺过程中通过持续不断地在镀液容器底部通入Ar气并连续机械搅拌的方法，在保证镀液不分解、沉淀和化学物理特性稳定可靠的同时，制备出了比传统的Ni-P镀层具有更高硬度、耐磨及高温性能的Ni-P-UFD复合镀层，解决了超微金刚石第二相颗粒在镀液和膜层的均相分散问题。
-
公开(公告)号：CN106816523A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710049491.2
申请日：2017-01-23
申请人： 辽宁师范大学
摘要： 一种由常规导电聚合物构成的复合热电材料及pn结叠层型热电转换装置。其p‑型导电层由P3HT与PVDF混合构成，n‑型导电层由PANI及PVDF混合构成，p‑型和n‑型导电层之间由PVDF聚合物绝缘层进行隔离。该种pn结叠层型热电转换装置由喷涂法制备，制备工艺简单、成本低廉。
-
公开(公告)号：CN105197983A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510453146.6
申请日：2015-07-29
申请人： 辽宁师范大学
摘要： 本发明公开一种采用化学气相沉积法制备Zn掺杂p型β-Ga2O3纳米线的方法，按如下步骤进行：在清洗干净的衬底上蒸镀一层厚度为1~50nm的金属催化剂；将镓源和锌源按质量比充分混合制成反应源材料；将反应源材料及蒸镀有金属催化剂的衬底放入石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积系统生长室内的高温加热区，衬底位于气流下游距离反应源材料1~2cm处，通入高纯度氩气为载气，氩气流量为50~500ml/min；当加热温度达到600～1100℃时通入氧气，氧气流量为1～5ml/min，保持15~30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至100℃以下，取出样品。
-
公开(公告)号：CN104085914A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410339790.6
申请日：2014-07-17
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： C01G9/03
摘要： 一种通过外加纵向电场控制ZnO生长形貌的方法：取纯度大于99.9%的锌源，称重后将锌源放入石英舟内，在锌源的下游方向0.5-4cm处设置上金属片和下金属片，外加电压为5-50V，将清洗干净的衬底放置到下金属片上，向石英舟所在的石英管中通入载气氩气和反应气体氧气，石英管内的压力控制在10万Pa以下，氩气流量控制在10-1000ml/min，氧气流量控制在1-500ml/min，生长温度控制在400-1000℃，生长时间为10-60min，生长完成后，关闭氧气，保持10-1000ml/min的流量继续通入氩气，当石英管内的温度降到室温后，取出生长出ZnO材料的衬底。这是一种能够对ZnO的生长形貌进行控制，以获得高效、稳定紫外发光器件的方法，以及该种方法所应用的装置。
-
公开(公告)号：CN103052235A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210589049.6
申请日：2012-12-29
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本发明公开一种结构简单、功率因素高、输入（输出）电压范围宽且可降低使用成本的功率因素高且电压范围宽的LED恒流驱动电源，设有EMI滤波电路，EMI滤波电路的输出通过分压电路分压后与功率因素校正电路相接，与功率因素校正电路相接有零电流检测电路及输出电路，输出电路通过电流检测电路将电流信号反馈至功率因素校正电路，输出电路还分别对应地通过欠压检测电路、欠压反馈电路及过压检测电路、过压反馈电路将欠压、过压信号反馈至功率因素校正电路。
-
公开(公告)号：CN108286043A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810038960.5
申请日：2018-01-16
申请人： 辽宁师范大学
摘要： 本发明公开一种无需催化剂、操作简单、重复性好的采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法，按如下步骤进行：将纯度大于99%的氧化镓粉末和活性炭粉按照质量比1：1～2充分混合制成反应源材料，将反应源材料放入石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积系统石英管的高温加热区，硅衬底位于反应源材料的正上方1~2cm处；通入氩气为载气，氩气流量为30~90ml/min；当加热温度达到1120～1200℃时通入氧气，氧气流量为30～100ml/min，生长时间为30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至室温取出样品。
-
公开(公告)号：CN105481002B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510735744.2
申请日：2015-11-03
申请人： 辽宁师范大学
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明公开一种无需催化剂，操作简单、重复性好，可降低制作成本且减少衬底污染，利于后期纳米器件制作的自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法，按如下步骤进行：将纯度至少为99%的金属镓单质作为反应源材料，将反应源材料放在石英舟内，然后再将石英舟放入化学气相沉积设备石英管内的高温加热区；将生长室内的压力控制为10Pa，通入氩气为载气，氩气流量为50~150ml/min；当加热温度达到800～1200℃时通入氧气，氧气流量为5～10ml/min，生长时间为30分钟；关闭氧气，保持氩气流量，降温至100℃以下，取出产品。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
25 条记录 (耗时 0.025 秒)
