公开(公告)号：CN101860261A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010162373.0

申请日：2010-04-12

申请人： 辽宁师范大学

发明人： 李梦轲 ,  张竞 ,  王军艳 ,  冯秋菊 ,  耿渊博 ,  姜春华

IPC分类号： H02N2/18

摘要： 本发明公开了一种逆压电纳米半导体发电机，包括半导体纳米线阵列、金属薄片、外壳和外接电路。所述的纳米线阵列由具有逆压电和极化特性的取向半导体纳米线组成、生长在对应的导电金属基片上，所述的金属薄片与半导体纳米线阵列的另一边紧密接触，所述的半导体纳米线阵列和金属薄片通过上下叠压接触后、通过悬挂弹簧系统直接固定在外壳中，并与外接电路相连接。当空间电磁辐射信号作用在纳米线上时，纳米线将产生逆压电和极化现象，纳米线表面将有正负电荷积累。同时，金属-N型半导体的接触面间将形成使电流单向导通的肖特基接触效应，并将纳米线表面的一种极化电荷直接以电子流的形式输出到外接电路，完成电磁辐射能到电能的能量转换。

公开(公告)号：CN101860261B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201010162373.0

申请日：2010-04-12

申请人： 辽宁师范大学

发明人： 李梦轲 ,  张竞 ,  王军艳 ,  冯秋菊 ,  耿渊博 ,  姜春华

IPC分类号： H02N2/18

摘要： 本发明公开了一种逆压电纳米半导体发电机，包括半导体纳米线阵列、金属薄片、外壳和外接电路。所述的纳米线阵列由具有逆压电和极化特性的取向半导体纳米线组成、生长在对应的导电金属基片上，所述的金属薄片与半导体纳米线阵列的另一边紧密接触，所述的半导体纳米线阵列和金属薄片通过上下叠压接触后、通过悬挂弹簧系统直接固定在外壳中，并与外接电路相连接。当空间电磁辐射信号作用在纳米线上时，纳米线将产生逆压电和极化现象，纳米线表面将有正负电荷积累。同时，金属-N型半导体的接触面间将形成使电流单向导通的肖特基接触效应，并将纳米线表面的一种极化电荷直接以电子流的形式输出到外接电路，完成电磁辐射能到电能的能量转换。