一种透明导电材料、太阳电池片及其制备方法

    公开(公告)号:CN114267743A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111537616.9

    申请日:2021-12-15

    摘要: 本申请提供一种透明导电材料、太阳电池片及其制备方法,属于太阳电池技术领域透明导电材料,透明导电材料包括:5~10重量份导电金属粉末、4~32重量份纳米氧化物和38~76重量份透明填料。纳米氧化物包括纳米氧化铅、纳米氧化锡和纳米氧化铟中的任意一种或多种。本申请的透明导电材料中能够形成电流通路,使透明导电材料具有导电特性以及可透过太阳光的性能,本申请的透明导电材料能够作为制备太阳电池片表面的透明电极(栅线)的原料,使太阳光能够穿过透明电极到达太阳电池内部,增加太阳电池片的受光面积,从而增强太阳电池片的光吸收,提高太阳电池片的光电转换效率。

    一种P型双面PERC太阳电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113113510A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110383232.X

    申请日:2021-04-09

    摘要: 本发明公开了一种P型双面PERC太阳电池及其制备方法和应用,方法包括如:去损‑背面硼扩散‑背面沉积保护膜‑正面制绒‑去除背面保护膜‑双面沉积超薄氧化硅层‑正面沉积多晶硅层‑高温磷扩散掺杂硅片正面的多晶硅层‑正面沉积氮化硅减反射层‑背面沉积氧化铝层和氮化硅薄膜层‑丝网印刷银浆并烧结。本发明先多晶硅沉积,然后高温磷扩散扩散注入,这样既可以将N型掺杂多晶硅与衬底P型硅形成PN结,还可以对正面硅进行全区域钝化,有效降低载流子复合,提高开路电压和短路电流,从而提升太阳电池的转换效率;同时,通过引入钝化接触多晶硅薄膜不仅可以实现PN发射结、很好地对正面进行钝化,同时还可以将硅片与金属银浆烧结形成很好的欧姆接触。

    太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜

    公开(公告)号:CN112531035A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN202011414696.4

    申请日:2020-12-03

    IPC分类号: H01L31/0216 H01L31/18

    摘要: 本申请涉及太阳电池领域,具体而言,涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜。背面复合钝化膜设置于硅衬底背面;所述背面复合钝化膜包括沿所述硅衬底背面依次向外设置的第一氧化硅膜、钝化层、第一钝化膜、反射膜、第二钝化膜以及第二氧化硅膜;反射膜为折射率为1.45~1.7的氧化硅膜;或者,所述反射膜为折射率为1.7~1.9的氮氧化硅膜。本申请提供的太阳电池可以降低正面入射可见光的反射率,背面多层复合膜可以提高可见光穿透硅基体后的反射率,形成二次反射,可以显著改善“氢钝化”效果和“场效应钝化”效果,降低PID衰减,提高电池可靠性。

    一种无主栅太阳电池、电池组件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113078226A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110383209.0

    申请日:2021-04-09

    摘要: 本发明公开了一种无主栅太阳电池、电池组件及其制备方法和应用,无主栅太阳电池包括无主栅的电池片和多个镀锡金属丝,所述电池片的正面的细栅线上分布有多个锡膏焊盘,所述镀锡金属丝通过锡膏焊盘将设置有锡膏焊盘的各个细栅线在细栅线布置方向上电串联。本发明电极图形在电池端仅印刷细栅线,取消主栅线;同时在组件端通过锡膏焊盘连接作为“主栅”的镀锡金属丝,使镀锡金属丝和太阳电池的细栅线很好的结合来收集和传输电流。本发明中,由于增加多个镀锡金属丝作为主栅线,不仅缩短了载流子输运路径来减小串联电阻,降低了串阻损耗;还通过取消主栅线,降低了栅线对太阳光的遮挡,从而增加了光生电流,提高光电转换效率。

    背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN112509726B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202011391535.8

    申请日:2020-12-01

    摘要: 本申请涉及太阳电池领域,具体而言,涉及一种背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法。一种背场掺杂用硼铝浆,按照质量分数计,所述背场掺杂用硼铝浆包括:35%~55%的硼源,15%~25%的铝源,15%~30%的硅源以及20~40%的有机载体。上述背场掺杂用硼铝浆在掺杂后会在硅衬底上形成铝硅合金,降低了掺杂层与背银电极导出层接触的空洞,降低接触电阻,进而降低了电池的串联电阻,增加了太阳电池的填充因子,提高太阳电池的开路电压,最终提升太阳电池的效率。

    太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜

    公开(公告)号:CN112531035B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202011414696.4

    申请日:2020-12-03

    IPC分类号: H01L31/0216 H01L31/18

    摘要: 本申请涉及太阳电池领域,具体而言,涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜。背面复合钝化膜设置于硅衬底背面;所述背面复合钝化膜包括沿所述硅衬底背面依次向外设置的第一氧化硅膜、钝化层、第一钝化膜、反射膜、第二钝化膜以及第二氧化硅膜;反射膜为折射率为1.45~1.7的氧化硅膜;或者,所述反射膜为折射率为1.7~1.9的氮氧化硅膜。本申请提供的太阳电池可以降低正面入射可见光的反射率,背面多层复合膜可以提高可见光穿透硅基体后的反射率,形成二次反射,可以显著改善“氢钝化”效果和“场效应钝化”效果,降低PID衰减,提高电池可靠性。