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公开(公告)号：CN113345815B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110609332.X
申请日：2021-06-01
申请人： 通威太阳能(金堂)有限公司 , 通威太阳能(成都)有限公司
摘要： 一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。测量方法包括：提供具有钝化层的测试样片；确定钝化层的期望获得的目标参数；根据钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数；利用第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第一测量结果参数。该测量方法简单易于实施，且能够获得合理精度的测量数据。
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公开(公告)号：CN117542924A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311619529.7
申请日：2023-11-29
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本申请涉及一种太阳电池的制备方法和太阳电池。太阳电池的制备方法包括如下步骤：在衬底的表面制备第一硅材料层。对所述第一硅材料层进行激光刻蚀，在所述第一硅材料层上形成刻蚀区域，制备激光刻蚀产品。对所述激光刻蚀产品的所述刻蚀区域进行退火处理，制备退火产品。对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀。太阳电池的制备方法中，在激光刻蚀之后，对激光刻蚀产品的刻蚀区域进行退火处理。通过退火处理可以提高刻蚀区域的第一硅材料层的晶化率，进而可以降低后续湿法刻蚀对刻蚀区域的刻蚀难度，有利于降低湿法刻蚀过程中刻蚀不净的风险。
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公开(公告)号：CN113990961B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111256035.8
申请日：2021-10-27
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳能电池，其基底的背面具有交替分布的发射极区域和背表面场区域。发射极区域形成有发射极，发射极的材质为掺硼单晶硅。背表面场区域形成有背表面场；背表面场包括层叠分布的隧穿氧化层和多晶硅层，多晶硅层的材质为掺磷多晶硅，隧穿氧化层位于基底和多晶硅层之间。太阳能电池的正电极与发射极电性连接，太阳能电池的负电极于背表面场电性连接。太阳能电池的制备方法用于实现上述结构的太阳能电池的制备。该太阳能电池能够增大正面的受光面积并降低电子空穴对的复合速率，从而能够有效提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112531035B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011414696.4
申请日：2020-12-03
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜。背面复合钝化膜设置于硅衬底背面；所述背面复合钝化膜包括沿所述硅衬底背面依次向外设置的第一氧化硅膜、钝化层、第一钝化膜、反射膜、第二钝化膜以及第二氧化硅膜；反射膜为折射率为1.45～1.7的氧化硅膜；或者，所述反射膜为折射率为1.7～1.9的氮氧化硅膜。本申请提供的太阳电池可以降低正面入射可见光的反射率，背面多层复合膜可以提高可见光穿透硅基体后的反射率，形成二次反射，可以显著改善“氢钝化”效果和“场效应钝化”效果，降低PID衰减，提高电池可靠性。
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公开(公告)号：CN113345815A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110609332.X
申请日：2021-06-01
申请人： 通威太阳能(金堂)有限公司 , 通威太阳能(成都)有限公司
摘要： 一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。测量方法包括：提供具有钝化层的测试样片；确定钝化层的期望获得的目标参数；根据钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数；利用第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第一测量结果参数。该测量方法简单易于实施，且能够获得合理精度的测量数据。
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公开(公告)号：CN112531035A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011414696.4
申请日：2020-12-03
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜。背面复合钝化膜设置于硅衬底背面；所述背面复合钝化膜包括沿所述硅衬底背面依次向外设置的第一氧化硅膜、钝化层、第一钝化膜、反射膜、第二钝化膜以及第二氧化硅膜；反射膜为折射率为1.45～1.7的氧化硅膜；或者，所述反射膜为折射率为1.7～1.9的氮氧化硅膜。本申请提供的太阳电池可以降低正面入射可见光的反射率，背面多层复合膜可以提高可见光穿透硅基体后的反射率，形成二次反射，可以显著改善“氢钝化”效果和“场效应钝化”效果，降低PID衰减，提高电池可靠性。
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公开(公告)号：CN117712231A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311869248.7
申请日：2023-12-28
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0368
摘要： 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池的制备方法，包括：于衬底的表面上制备依次层叠设置的第一掺杂硅材料层、第一本征硅材料层以及第一保护层；于第一保护层上通过激光形成凹槽，凹槽仅贯穿第一保护层，或者，凹槽贯穿第一保护层且部分贯穿第一本征硅材料层；刻蚀去除凹槽处的第一掺杂硅材料层；退火使得第一掺杂硅材料层和第一本征硅材料层转化为第一掺杂多晶硅层。上述太阳电池的制备方法能够使得激光不与掺杂硅材料层接触，减少在激光开槽的过程中局部高掺杂区域的形成，进而降低对后续湿法刻蚀的影响。
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公开(公告)号：CN117712227A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311777833.4
申请日：2023-12-21
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0368
摘要： 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述制备方法在第一隧穿层上形成第一掺杂多晶硅层，在第一掺杂多晶硅层上形成保护层，并进一步形成掺杂类型相同的第二掺杂多晶硅层，并且第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度高于第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度。由于杂质在低掺杂浓度与高掺杂浓度的分凝系数不同，杂质会趋向在高浓度掺杂区进行聚集，在工艺过程中，掺杂浓度更高的第二掺杂多晶硅层能够将下层膜层的杂质以及工艺过程中引入的杂质吸引在该层中。第一掺杂多晶硅层表层中的杂质更多地被吸引至第二掺杂多晶硅层，从而能够降低第一掺杂多晶硅层表层的杂质含量。后续将第二掺杂多晶硅层去除，获得杂质含量更均匀的第一掺杂多晶硅层提高钝化效果。
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