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公开(公告)号：CN109931785B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910205669.7
申请日：2019-03-18
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： F27D3/00 , H01L21/677 , H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种新型高温传送履带，涉及太阳能电池烘干烧结装置技术领域，本发明包括履带本体，履带本体中部开设有若干镂空区，镂空区内侧均设置有至少三个与履带本体连接的用于承载太阳能电池的上翘顶杆，上翘顶杆顶部在同一高度且均高于履带本体，上翘顶杆均包括由耐高温金属丝弯折成螺旋结构的减振支撑部，减振支撑部顶部均连接有与太阳能电池底部接触的石英棉圆球，本发明具有结构简单、减振作用好、降低了与电池片接触部位的受损几率的优点。
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公开(公告)号：CN112509726B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202011391535.8
申请日：2020-12-01
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01B1/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法。一种背场掺杂用硼铝浆，按照质量分数计，所述背场掺杂用硼铝浆包括：35％～55％的硼源，15％～25％的铝源，15％～30％的硅源以及20～40％的有机载体。上述背场掺杂用硼铝浆在掺杂后会在硅衬底上形成铝硅合金，降低了掺杂层与背银电极导出层接触的空洞，降低接触电阻，进而降低了电池的串联电阻，增加了太阳电池的填充因子，提高太阳电池的开路电压，最终提升太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN112531035B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011414696.4
申请日：2020-12-03
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种太阳电池及其制备方法、太阳电池背面多层复合钝化膜。背面复合钝化膜设置于硅衬底背面；所述背面复合钝化膜包括沿所述硅衬底背面依次向外设置的第一氧化硅膜、钝化层、第一钝化膜、反射膜、第二钝化膜以及第二氧化硅膜；反射膜为折射率为1.45～1.7的氧化硅膜；或者，所述反射膜为折射率为1.7～1.9的氮氧化硅膜。本申请提供的太阳电池可以降低正面入射可见光的反射率，背面多层复合膜可以提高可见光穿透硅基体后的反射率，形成二次反射，可以显著改善“氢钝化”效果和“场效应钝化”效果，降低PID衰减，提高电池可靠性。
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公开(公告)号：CN113345815A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110609332.X
申请日：2021-06-01
申请人： 通威太阳能(金堂)有限公司 , 通威太阳能(成都)有限公司
摘要： 一种钝化层的测量方法和太阳电池的制备方法，属于太阳电池领域。测量方法包括：提供具有钝化层的测试样片；确定钝化层的期望获得的目标参数；根据钝化层的简化测试模型，确定测量所需的第一条件参数；利用第一条件参数，通过椭圆偏光法在椭圆偏振光谱仪上对测试样片中的钝化层进行检测，以获得对应于目标参数的第一测量结果参数。该测量方法简单易于实施，且能够获得合理精度的测量数据。
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公开(公告)号：CN112509726A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011391535.8
申请日：2020-12-01
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01B1/02 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及太阳电池领域，具体而言，涉及一种背场掺杂用硼铝浆、太阳电池及其制备方法。一种背场掺杂用硼铝浆，按照质量分数计，所述背场掺杂用硼铝浆包括：35％～55％的硼源，15％～25％的铝源，15％～30％的硅源以及20～40％的有机载体。上述背场掺杂用硼铝浆在掺杂后会在硅衬底上形成铝硅合金，降低了掺杂层与背银电极导出层接触的空洞，降低接触电阻，进而降低了电池的串联电阻，增加了太阳电池的填充因子，提高太阳电池的开路电压，最终提升太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN110578176A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910835141.8
申请日：2019-09-05
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司 , 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/0236
摘要： 本发明公开了小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂及其使用方法，其目的在于克服现有技术中的不足之处，提出一种小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂，促进剂包含以下组分及重量百分比含量：正酸正丁脂0.8-4.5％、维生素A 1-4％、维生素C 0.5-4％、乳酸0.5-6％，将促进剂加入到含碱和乙醇的混合溶液的单晶制绒槽中，制绒槽的温度控80℃，进行搅拌均匀，将单晶硅片浸入制绒槽中进行反应。单晶硅的太阳电池织构化形成陷光结构的金字塔尺寸稳定在1.2-1.5um范围，有利单晶高方阻密栅太阳电池的浅pn结形成，降低扩散后的表面复合速率，减少死层，其次增加了入射光的光程，增加了光通量，提高单晶太阳电池的短路电流和光电转化效率。
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公开(公告)号：CN110492002A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910811358.5
申请日：2019-08-30
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司 , 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5-2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本发明适用于太阳能电池。
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公开(公告)号：CN114583012A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210217977.3
申请日：2022-03-07
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
发明人： 王璞
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： 本申请实施例提供一种金属电极、晶硅太阳电池及制备方法，涉及晶硅太阳电池生产技术领域。金属电极的制备方法主要是在基片的表面刮涂正性光刻胶，定形、光刻，形成对应图形的凹槽；使用磁控溅射技术或反应等离子体沉积技术在凹槽内依次形成种子层和铜电极，且种子层和铜电极的总高度低于正性光刻胶层的高度。晶硅太阳电池的制备方法主要是采用如上述的金属电极的制备方法形成正面和背面金属电极；分别在正面和背面金属电极上刮涂负性光刻胶，移除正性光刻胶层；在硅衬底的正面和背面形成减反射膜和钝化膜，移除负性光刻胶层。金属电极的的制备方法、晶硅太阳电池及其制备方法，电极品质优异，高宽比高，电池的效率高。
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公开(公告)号：CN110464173A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910880121.2
申请日：2019-09-18
申请人： 通威太阳能(合肥)有限公司 , 通威太阳能(成都)有限公司
摘要： 本发明公开了一种太阳电池片展示装置，包括底板，所述底板中开设有放置槽，所述放置槽中固定设置有驱动电机，所述驱动电机输出轴伸出放置槽并固定连接有支撑板，所述顶板两侧分别固定设置有第一电动推杆和第二电动推杆，所述第一电动推杆和第二电动推杆共同固定连接有空心支板，所述空心支板中开设有存放槽。本发明通过将太阳电池片与空心支板平行，并将吸盘吸附在太阳电池片上，进而对太阳电池片起到了固定的效果，并且控制第一电动推杆和第二电动推杆，带动空心支板在竖直方向的位置发生改变，形成倾斜角度，使得整个装置适用于不同大小太阳电池片的展示。
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公开(公告)号：CN110350051A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910694685.7
申请日：2019-07-30
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种含氮化合物晶硅叠瓦双面太阳电池及其制备方法，属于晶硅太阳能技术领域，其包括从上到下设置的第一氮化硅减反射层、p型掺杂层、n型硅衬底层、氮化钽背钝化层、第二氮化硅减反射层，第一氮化硅减反射层上表面和第二氮化硅减反射层下表面还设置有金属栅线电极层。本发明太阳电池背面采用氮化钽背钝化层和第二氮化硅减反射层，降低了太阳电池的背面复合速率和背面入射光的反射率，提高了背面电池的效率和背面电池的短路电流，及太阳电池的双面率。氮化钽背钝化层不仅有选择电子传输的能力，还能降低背面电极印刷的接触电阻。上述设置增加了设备利用率，工艺简单，制造出双面叠瓦太阳组件，增加了发电量，降低了生产制造成本。
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