公开(公告)号：CN1582256A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02821830.2

申请日：2002-10-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 马克·P·德伊夫林 ,  戴维·C·彭德 ,  休尔什·S·瓦高拉里 ,  朴东实

IPC: C01B21/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: B01J3/062 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/0685

Abstract: 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49％－55％，表观密度为约5.5－6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃－1300℃温度和约1－10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃－1800℃温度和约5－80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。

公开(公告)号：CN1280182C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02821830.2

申请日：2002-10-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 马克·P·德伊夫林 ,  戴维·C·彭德 ,  休尔什·S·瓦高拉里 ,  朴东实

IPC: C01B21/06 ,  C23C14/34

CPC classification number: B01J3/062 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/0685

Abstract: 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49%-55%，表观密度为约5.5-6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃-1300℃温度和约1-10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃-1800℃温度和约5-80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。