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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100358621C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN02828503.4
申请日：2002-11-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 马克·P·德伊夫林 , 克里斯蒂·J·纳兰 , 罗伯特·A·吉丁斯 , 小罗伯特·V·莱昂尼利 , 斯蒂芬·L·多尔
CPC classification number: B01J19/006 , B01J3/062 , B01J19/0013 , B01J19/0073 , B01J19/02 , B01J2203/067 , B01J2219/00063 , B01J2219/00094 , B01J2219/00135 , B01J2219/0236 , B01J2219/0277 , B01J2219/1943 , C30B7/00
Abstract: 一种在超临界流体中处理至少一种材料的压力容器(10)，包括：在大致上没有空气的环境中容纳至少一种材料和所述超临界流体的一自行加压的包囊(12)；包围所述包囊(12)的用于保持该包囊(12)上的外压力的压力传递介质(14)；可插入所述压力传递介质(14)中的至少一个加热元件(18)，使该加热元件(18)包围包囊(12)；用于测量包囊(12)的温度的温度测量装置；控制温度和向加热元件(18)提供电力的温度控制器(22)；一个容纳并保持包囊(12)，压力传递介质(14)和加热元件(18)的限制器(24)；和放置在限制器(24)和压力传递介质(14)之间的至少一个密封(120，122)保持在适当的位置的限制器(24)。还说明了在包囊(12)内存在超临界流体条件下，在高温和高压下利用所述压力容器(10)处理材料的方法。
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公开(公告)号：CN1744942A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN02828503.4
申请日：2002-11-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 马克·P·德伊夫林 , 克里斯蒂·J·纳兰 , 罗伯特·A·吉丁斯 , 小罗伯特·V·莱昂尼利 , 斯蒂芬·L·多尔
CPC classification number: B01J19/006 , B01J3/062 , B01J19/0013 , B01J19/0073 , B01J19/02 , B01J2203/067 , B01J2219/00063 , B01J2219/00094 , B01J2219/00135 , B01J2219/0236 , B01J2219/0277 , B01J2219/1943 , C30B7/00
Abstract: 一种在超临界流体中处理至少一种材料的压力容器(10)，包括：在大致上没有空气的环境中，容纳至少一种材料和所述超临界流体的一自行加压的包囊(12)；包围所述包囊(12)的用于保持该包囊(12)上的外压力的一压力传递介质(14)；可插入所述压力传递介质(14)中的至少一个加热元件(18)，使该加热元件(18)包围包囊(12)；用于测量包囊(12)的温度的一个温度测量装置；控制温度和向加热元件(18)提供电力的温度控制器(22)；一个容纳和将包囊(12)，压力传递介质(14)，加热元件(18)和放置在限制器(24)和压力传递介质(14)之间的至少一个密封(120，122)保持在适当的位置的限制器(24)。还说明了在包囊(12)内存在超临界流体条件下，在高温和高压下利用所述压力容器(10)处理材料的方法。
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公开(公告)号：CN1280182C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02821830.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 马克·P·德伊夫林 , 戴维·C·彭德 , 休尔什·S·瓦高拉里 , 朴东实
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/0665 , B01J2203/0685
Abstract: 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49%-55%，表观密度为约5.5-6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃-1300℃温度和约1-10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃-1800℃温度和约5-80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。
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公开(公告)号：CN1799150A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015116.7
申请日：2004-10-22
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L33/105 , C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/007 , Y10T117/1064
Abstract: 本发明提供一种用于制造谐振腔发光器件的方法。该方法中，种子氮化镓晶体(14)和源材料(30)布置在含氮过热流体(44)中，所述含氮过热流体(44)设置在置于多区熔炉(50)中的密封容器(10)中。氮化镓材料生长在所述种子氮化镓晶体(14)上从而产生单晶氮化镓衬底(106、106′)。所述生长包括施加时间变化的温度梯度(100、100′、102、102′)在所述种子氮化镓晶体(14)和所述源材料(30)之间从而在至少一部分生长期间产生增大的生长速率。III族氮化物层的堆叠(112)沉积在所述单晶氮化镓衬底(106、106′)上，其包括第一镜子堆叠(116)和适于制造成一个或者更多个谐振腔发光器件(108、150、160、170、180)的有源区(120)。
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公开(公告)号：CN1582256A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02821830.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 马克·P·德伊夫林 , 戴维·C·彭德 , 休尔什·S·瓦高拉里 , 朴东实
CPC classification number: B01J3/062 , B01J2203/0665 , B01J2203/0685
Abstract: 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49％－55％，表观密度为约5.5－6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃－1300℃温度和约1－10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃－1800℃温度和约5－80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。
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