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公开(公告)号：CN100376317C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03817165.1
申请日：2003-02-12
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·P·德弗林 , 克里斯蒂·J·纳兰 , 罗伯特·A·吉丁斯 , 史蒂文·A·泰索 , 约翰·W·卢西克 , 苏雷什·S·瓦加拉里 , 小罗伯特·V·莱昂内里 , 乔尔·R·戴萨特
CPC分类号： B01J3/008 , B01J3/062 , B01J19/02 , B01J2203/0665 , B01J2219/00777 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/40 , C30B29/406 , Y02P20/544 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1024 , Y10T117/108 , Y10T117/1092
摘要： 在高压高温处理条件下，在基本上无空气的环境中，容纳至少一种反应物和超临界流体的小盒。该小盒包括封闭端；与该封闭端相邻的并从该封闭端伸出的至少一个壁；和与该至少一个壁相邻并在该封闭端对面的密封端。该至少一个壁、封闭端和密封端形成容纳该反应物和在高温高压下变成超临界流体的溶剂的腔。该小盒由可变形材料制成，并在处理条件下对于该反应物和超临界流体为流体不可透过的和化学性质惰性的，该处理条件一般为在5kbar和550℃以上，优选压力为5kbar至80kbar，温度为550℃至约1500℃。本发明还包括用溶剂充满该小盒和密封该小盒的方法及密封该小盒的装置。
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公开(公告)号：CN100342065C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03147893.X
申请日：2003-06-27
申请人： 戴蒙得创新股份有限公司
IPC分类号： C30B33/02
CPC分类号： B01J3/065 , B01J3/062 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/0665 , B01J2203/067 , B01J2203/0675 , B01J2203/069 , C30B33/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。
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公开(公告)号：CN1280182C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02821830.2
申请日：2002-10-30
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·P·德伊夫林 , 戴维·C·彭德 , 休尔什·S·瓦高拉里 , 朴东实
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/0665 , B01J2203/0685
摘要： 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49%-55%，表观密度为约5.5-6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃-1300℃温度和约1-10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃-1800℃温度和约5-80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。
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公开(公告)号：CN1480569A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03147893.X
申请日：2003-06-27
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： C30B33/02
CPC分类号： B01J3/065 , B01J3/062 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/0665 , B01J2203/067 , B01J2203/0675 , B01J2203/069 , C30B33/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。
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公开(公告)号：CN101163540B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200580047233.6
申请日：2005-10-19
申请人： 莫门蒂夫功能性材料公司
发明人： 马克·菲利普·D'伊夫林 , 罗伯特·阿瑟·吉丁斯 , 弗雷德·谢里菲 , 苏贝赫拉吉特·戴伊 , 洪慧从 , 约瑟夫·亚历山大·卡普 , 阿肖克·库马尔·哈雷
CPC分类号： B01J3/008 , B01J3/002 , B01J3/03 , B01J3/046 , B01J3/06 , B01J2203/0665 , B01J2203/068 , B01J2219/00135 , B01J2219/00155 , B01J2219/00162 , Y02P20/544 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 公开了用于在超临界流体中处理材料的装置和方法。所述装置包括：封壳，构造为包含超临界流体；高强度壳体，其围绕所述封壳设置；以及感测器，其构造为感测封壳的内部和外部之间的压力差。所述装置还包括压力控制设备，其构造为响应由感测器感测到的压力差，调节封壳的压力差。所述装置进一步包括至少一个分隔结构，所述分隔结构设置在封壳中，以将封壳分隔成籽晶成长腔室和养料腔室。
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公开(公告)号：CN1582256A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02821830.2
申请日：2002-10-30
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·P·德伊夫林 , 戴维·C·彭德 , 休尔什·S·瓦高拉里 , 朴东实
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/0665 , B01J2203/0685
摘要： 多晶氮化镓(GaN)的特征为镓的原子分数为约49％－55％，表观密度为约5.5－6.1g/cm3，维氏硬度高于约1GPa。多晶GaN可通过在约1150℃－1300℃温度和约1－10Kbar压力下经受热均匀施压(HIPing)的方式制备。另外，多晶氮化镓可通过在约1200℃－1800℃温度和约5－80Kbar压力下经受高压/高温(HP/HT)烧结的方式制备。
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公开(公告)号：CN101163540A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200580047233.6
申请日：2005-10-19
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·菲利普·D''伊夫林 , 罗伯特·阿瑟·吉丁斯 , 弗雷德·谢里菲 , 苏贝赫拉吉特·戴伊 , 洪慧从 , 约瑟夫·亚历山大·卡普 , 阿肖克·库马尔·哈雷
CPC分类号： B01J3/008 , B01J3/002 , B01J3/03 , B01J3/046 , B01J3/06 , B01J2203/0665 , B01J2203/068 , B01J2219/00135 , B01J2219/00155 , B01J2219/00162 , Y02P20/544 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 公开了用于在超临界流体中处理材料的装置和方法。所述装置包括：封壳，构造为包含超临界流体；高强度壳体，其围绕所述封壳设置；以及感测器，其构造为感测封壳的内部和外部之间的压力差。所述装置还包括压力控制设备，其构造为响应由感测器感测到的压力差，调节封壳的压力差。所述装置进一步包括至少一个分隔结构，所述分隔结构设置在封壳中，以将封壳分隔成籽晶成长腔室和养料腔室。
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公开(公告)号：CN1920124A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610108599.6
申请日：2003-06-27
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： C30B33/00
CPC分类号： B01J3/065 , B01J3/062 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/0665 , B01J2203/067 , B01J2203/0675 , B01J2203/069 , C30B33/00 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法，从提供含缺陷晶体和压力介质开始，将晶体和压力介质放置在高压小容器中，再置于高压设备中，在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。
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公开(公告)号：CN1668370A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817165.1
申请日：2003-02-12
申请人： 通用电气公司
发明人： 马克·P·德弗林 , 克里斯蒂·J·纳兰 , 罗伯特·A·吉丁斯 , 史蒂文·A·泰索 , 约翰·W·卢西克 , 苏雷什·S·瓦加拉里 , 小罗伯特·V·莱昂内里 , 乔尔·R·戴萨特
CPC分类号： B01J3/008 , B01J3/062 , B01J19/02 , B01J2203/0665 , B01J2219/00777 , B01J2219/0236 , B01J2219/024 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B29/40 , C30B29/406 , Y02P20/544 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1024 , Y10T117/108 , Y10T117/1092
摘要： 在高压高温处理条件下，在基本上无空气的环境中，容纳至少一种反应物和超临界流体的小盒。该小盒包括封闭端；与该封闭端相邻的并从该封闭端伸出的至少一个壁；和与该至少一个壁相邻并在该封闭端对面的密封端。该至少一个壁、封闭端和密封端形成容纳该反应物和在高温高压下变成超临界流体的溶剂的腔。该小盒由可变形材料制成，并在处理条件下对于该反应物和超临界流体为流体不可透过的和化学性质惰性的，该处理条件一般为在5kbar和550℃以上，优选压力为5kbar至80kbar，温度为550℃至约1500℃。本发明还包括用溶剂充满该小盒和密封该小盒的方法及密封该小盒的装置。
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