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公开(公告)号：CN101752367A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910179027.0
申请日：2009-10-09
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/402
摘要： 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。
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公开(公告)号：CN102095198B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201010601870.6
申请日：2010-12-10
申请人： 通用电气公司
摘要： 本发明涉及燃烧器系统中的杂质检测。具体而言，本发明公开了一种燃烧器系统(10)和测量燃烧系统(10)中的杂质的方法。该燃烧系统(10)包括上游的燃料喷射点(18)；下游的涡轮燃烧器(20)；位于涡轮燃烧器(20)中的包括多个轴向子区(32，34，36，38)的火焰区(22)；构造成用以实现对多个轴向子区(32，34，36，38)中的至少一个进行非轴向的、直接光学观察的光学端口组件(24)；以及与光学端口组件(24)构成光学通信的杂质检测系统(26)。
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公开(公告)号：CN102095198A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010601870.6
申请日：2010-12-10
申请人： 通用电气公司
摘要： 本发明涉及燃烧器系统中的杂质检测。具体而言，本发明公开了一种燃烧器系统(10)和测量燃烧系统(10)中的杂质的方法。该燃烧系统(10)包括上游的燃料喷射点(18)；下游的涡轮燃烧器(20)；位于涡轮燃烧器(20)中的包括多个轴向子区(32，34，36，38)的火焰区(22)；构造成用以实现对多个轴向子区(32，34，36，38)中的至少一个进行非轴向的、直接光学观察的光学端口组件(24)；以及与光学端口组件(24)构成光学通信的杂质检测系统(26)。
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公开(公告)号：CN104282683B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410445232.8
申请日：2014-06-27
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786
摘要： 本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。
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公开(公告)号：CN104282683A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410445232.8
申请日：2014-06-27
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L21/8213 , H01L21/8232 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/7786
摘要： 本发明为半导体组件及制造方法。提出了一种单片集成半导体组件。该半导体组件包括具有碳化硅(SiC)的衬底，和在衬底上制造的氮化镓(GaN)半导体器件。该半导体组件还包括制造在衬底中或衬底上的至少一个瞬态电压抑制器(TVS)结构，其中TVS结构与GaN半导体器件电接触。该TVS结构被配置成当跨GaN半导体器件施加的电压大于阈值电压时，在击穿模式、雪崩模式或其组合模式下操作。还提出了一种制造单片集成半导体组件的方法。
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公开(公告)号：CN102249681A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110064653.2
申请日：2011-03-09
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/52 , G01D3/028
CPC分类号： C04B35/58092 , C04B35/5607 , C04B35/5626 , C04B35/565 , C04B2235/3826 , C04B2235/3839 , C04B2235/3847 , C04B2235/3891 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9676 , G01N27/125
摘要： 本发明名称为用于环境传感的传感器系统和方法。提供传感器系统和用于检测严酷环境条件的关联方法。该传感器系统包括至少一个传感器，其具有电传感元件。该电传感元件基于某些类别的复合材料：(a)碳化硅(SiC)；(Mo，W)5Si3C；(Mo，W)Si2；或(b)(Mo，W)5Si3C；(Mo，W)Si2；(Mo，W)5Si3。该传感器系统对于确定严酷环境条件是有用的。还描述包括传感器系统中的至少一个的气化系统。
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公开(公告)号：CN101752367B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910179027.0
申请日：2009-10-09
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/402
摘要： 本发明涉及半导体器件及系统。本发明公开了一种半导体器件(400)。该半导体器件包括：第一导电类型的第一区域(402)；第二导电类型的第二区域(404)，邻近于第一区域设置以形成p-n结结构；第二导电类型的电阻修改区域(406)；和第二导电类型的场响应修改区域(408)，设置在电阻修改区域与第二区域之间，其中，场响应修改区域包括沿着该场响应修改区域的厚度方向(450)的变化的掺杂剂浓度分布。
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公开(公告)号：CN100520318C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200410032977.8
申请日：2004-04-14
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： G01J1/04
CPC分类号： H01L31/103 , C02F2201/326 , G01J1/429 , G02B5/208 , H01L31/02164 , H01L31/0312
摘要： 一种紫外线传感器(10)，监测在消毒系统中使用的紫外线灯的效力。该传感器包括被配置为用于检测200-300nm波长的光的协同操作的紫外线光电探测器(12)和滤波器(14，32)。用于空气或水的净化系统结合将紫外光指向空气或水的紫外线灯(44)使用该传感器。
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公开(公告)号：CN1538151A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410032977.8
申请日：2004-04-14
申请人： 通用电气公司
IPC分类号： G01J1/04
CPC分类号： H01L31/103 , C02F2201/326 , G01J1/429 , G02B5/208 , H01L31/02164 , H01L31/0312
摘要： 一种紫外线传感器(10)，监测在消毒系统中使用的紫外线灯的效力。该传感器包括被配置为用于检测200－300nm波长的光的协同操作的紫外线光电探测器(12)和滤波器(14，32)。用于空气或水的净化系统结合将紫外光指向空气或水的紫外线灯(44)使用该传感器。
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