公开(公告)号：CN1862840B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610082694.3

申请日：2006-05-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： V·曼尼文南 ,  A·U·埃邦 ,  J·-R·J·黄 ,  T·P·费斯特 ,  J·N·约翰逊

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。

公开(公告)号：CN100391620C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN02808452.7

申请日：2002-04-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·B·赖茨 ,  M·程 ,  A·G·迪茨三世 ,  T·P·费斯特 ,  R·R·加卢茨 ,  T·B·戈尔茨卡

IPC: B05D1/00

CPC classification number: G11B5/84 ,  B05D1/005 ,  C03C17/32 ,  C03C2218/116 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2472 ,  G11B7/248 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2532 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/256 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B7/266 ,  G11B11/10582

Abstract: 在一个实施方案中，旋涂方法包含：分配由溶剂与基于溶液总重量为约3～约30%的热塑性聚合物构成的溶液，其中该溶剂在常压下的沸点约为110℃～约250℃，极性指数大于或等于4.0，pH值约为5.5～约9；旋转基底；然后除去溶剂，获得包含涂层的涂布基底，该涂层在整个涂布基底表面内的起伏点少于或等于10个。

公开(公告)号：CN1862840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610082694.3

申请日：2006-05-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： V·曼尼文南 ,  A·U·埃邦 ,  J·-R·J·黄 ,  T·P·费斯特 ,  J·N·约翰逊

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。

公开(公告)号：CN1525888A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02808452.7

申请日：2002-04-18

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·B·赖茨 ,  M·程 ,  A·G·迪茨三世 ,  T·P·费斯特 ,  R·R·加卢茨 ,  T·B·戈尔茨卡

IPC: B05D1/00

CPC classification number: G11B5/84 ,  B05D1/005 ,  C03C17/32 ,  C03C2218/116 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2472 ,  G11B7/248 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2532 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/256 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/258 ,  G11B7/266 ,  G11B11/10582

Abstract: 在一个实施方案中，旋涂方法包含：分配由溶剂与基于溶液总重量为约3～约30％的热塑性聚合物构成的溶液，其中该溶剂在常压下的沸点约为110℃～约250℃，极性指数大于或等于4.0，pH值约为5.5～约9；旋转基底；然后除去溶剂，获得包含涂层的涂布基底，该涂层在整个涂布基底表面内的起伏点少于或等于10个。