公开(公告)号：CN101777622B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201010030152.8

申请日：2010-01-12

申请人： 郑州大学

发明人： 王新昌 ,  田四方 ,  王俊喜 ,  贾建峰

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/22

摘要： 本发明涉及LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜及其制备方法，有效解决SAW器件的温度稳定性和高c轴取向LiNbO3薄膜制备问题，技术方案是，在金刚石衬底和LiNbO3压电薄膜之间引入非晶SiO2缓冲层，其制备方法是，首先在金刚石衬底上以硅作靶材，用脉冲激光沉积法将非晶SiO2沉积在金刚石衬底上，构成非晶SiO2缓冲层；再将制备好的非晶SiO2/金刚石衬底升温，以LiNbO3为靶材，用脉冲激光将LiNbO3沉积在非晶SiO2缓冲层上，构成LiNbO3压电薄膜层和金刚石衬底之间有非晶SiO2缓冲层的复合压电薄膜；LiNbO3压电薄膜层沉积后，降温至18-25℃，本发明结构简单，方法先进、科学，提高SAW器件工作频率，温度稳定性高。

公开(公告)号：CN101777622A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010030152.8

申请日：2010-01-12

申请人： 郑州大学

发明人： 王新昌 ,  田四方 ,  王俊喜 ,  贾建峰

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/22

摘要： 本发明涉及LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜及其制备方法，有效解决SAW器件的温度稳定性和高c轴取向LiNbO3薄膜制备问题，技术方案是，在金刚石衬底和LiNbO3压电薄膜之间引入非晶SiO2缓冲层，其制备方法是，首先在金刚石衬底上以硅作靶材，用脉冲激光沉积法将非晶SiO2沉积在金刚石衬底上，构成非晶SiO2缓冲层；再将制备好的非晶SiO2/金刚石衬底升温，以LiNbO3为靶材，用脉冲激光将LiNbO3沉积在非晶SiO2缓冲层上，构成LiNbO3压电薄膜层和金刚石衬底之间有非晶SiO2缓冲层的复合压电薄膜；LiNbO3压电薄膜层沉积后，降温至18-25℃，本发明结构简单，方法先进、科学，提高SAW器件工作频率，温度稳定性高。