公开(公告)号：CN109713030B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201811587937.8

申请日：2018-12-25

申请人： 郑州师范学院

发明人： 张海泉 ,  张碧莹 ,  黄丹丹 ,  崔晓 ,  李建国 ,  朱大磊 ,  赵高 ,  滕达

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种RC‑IGBT器件。所述RC‑IGBT器件的介质层与栅极层之间设有第一栅极氧化层；栅极层与所述P阱区之间设有第二栅极氧化层；P阱区的两侧设有P型重掺杂区；P阱区的底部设有载流子存储层；载流子存储层设于所述漂移区内；漂移区的底部，由下往上依次设有集电极、集电区以及截止区；第一截止区设于第一集电区的上部，第二截止区设于第二集电区的上部，由第一集电区的竖直端隔离第一截止区以及第二截止区；第一集电区与第二集电区相接触。采用本发明所提供的RC‑IGBT器件能够有效抑制负阻现象的发生。

公开(公告)号：CN109713030A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811587937.8

申请日：2018-12-25

申请人： 郑州师范学院

发明人： 张海泉 ,  张碧莹 ,  黄丹丹 ,  崔晓 ,  李建国 ,  朱大磊 ,  赵高 ,  滕达

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种RC-IGBT器件。所述RC-IGBT器件的介质层与栅极层之间设有第一栅极氧化层；栅极层与所述P阱区之间设有第二栅极氧化层；P阱区的两侧设有P型重掺杂区；P阱区的底部设有载流子存储层；载流子存储层设于所述漂移区内；漂移区的底部，由下往上依次设有集电极、集电区以及截止区；第一截止区设于第一集电区的上部，第二截止区设于第二集电区的上部，由第一集电区的竖直端隔离第一截止区以及第二截止区；第一集电区与第二集电区相接触。采用本发明所提供的RC-IGBT器件能够有效抑制负阻现象的发生。