公开(公告)号：CN109526136B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201811587940.X

申请日：2018-12-25

申请人： 郑州师范学院

发明人： 周金成 ,  张明慧 ,  黄丹丹 ,  赵高 ,  武冰洁 ,  陈卫光 ,  李成刚

IPC分类号： H05K1/02

摘要： 本发明公开了一种功率器件散热装置。所述功率器件散热装置包括第一散热模块和第二散热模块；所述第一散热模块和所述第二散热模块的结构相同；由于两个散热模块的安装面上都具有螺栓连接孔，可以将一个功率器件的两端分别固定在第一散热模块和第二散热模块上，因此本发明提供的功率器件散热装置能够适用于各种规格的功率器件，通用性好。而单个散热模块由上、下两组散热片组构成，第一散热模块和第二散热模块共具有四组散热片，四组散热片紧凑设置，在不增加散热装置体积的情况下有效增大了单个功率器件散热装置的散热面积，提高了散热能力。

公开(公告)号：CN109713030B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201811587937.8

申请日：2018-12-25

申请人： 郑州师范学院

发明人： 张海泉 ,  张碧莹 ,  黄丹丹 ,  崔晓 ,  李建国 ,  朱大磊 ,  赵高 ,  滕达

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种RC‑IGBT器件。所述RC‑IGBT器件的介质层与栅极层之间设有第一栅极氧化层；栅极层与所述P阱区之间设有第二栅极氧化层；P阱区的两侧设有P型重掺杂区；P阱区的底部设有载流子存储层；载流子存储层设于所述漂移区内；漂移区的底部，由下往上依次设有集电极、集电区以及截止区；第一截止区设于第一集电区的上部，第二截止区设于第二集电区的上部，由第一集电区的竖直端隔离第一截止区以及第二截止区；第一集电区与第二集电区相接触。采用本发明所提供的RC‑IGBT器件能够有效抑制负阻现象的发生。

公开(公告)号：CN109526136A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811587940.X

申请日：2018-12-25

申请人： 郑州师范学院

发明人： 周金成 ,  张明慧 ,  黄丹丹 ,  赵高 ,  武冰洁 ,  陈卫光 ,  李成刚

IPC分类号： H05K1/02

摘要： 本发明公开了一种功率器件散热装置。所述功率器件散热装置包括第一散热模块和第二散热模块；所述第一散热模块和所述第二散热模块的结构相同；由于两个散热模块的安装面上都具有螺栓连接孔，可以将一个功率器件的两端分别固定在第一散热模块和第二散热模块上，因此本发明提供的功率器件散热装置能够适用于各种规格的功率器件，通用性好。而单个散热模块由上、下两组散热片组构成，第一散热模块和第二散热模块共具有四组散热片，四组散热片紧凑设置，在不增加散热装置体积的情况下有效增大了单个功率器件散热装置的散热面积，提高了散热能力。

公开(公告)号：CN109713030A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811587937.8

申请日：2018-12-25

申请人： 郑州师范学院

发明人： 张海泉 ,  张碧莹 ,  黄丹丹 ,  崔晓 ,  李建国 ,  朱大磊 ,  赵高 ,  滕达

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种RC-IGBT器件。所述RC-IGBT器件的介质层与栅极层之间设有第一栅极氧化层；栅极层与所述P阱区之间设有第二栅极氧化层；P阱区的两侧设有P型重掺杂区；P阱区的底部设有载流子存储层；载流子存储层设于所述漂移区内；漂移区的底部，由下往上依次设有集电极、集电区以及截止区；第一截止区设于第一集电区的上部，第二截止区设于第二集电区的上部，由第一集电区的竖直端隔离第一截止区以及第二截止区；第一集电区与第二集电区相接触。采用本发明所提供的RC-IGBT器件能够有效抑制负阻现象的发生。