公开(公告)号：CN113754440A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111271983.9

申请日：2021-10-29

申请人： 郑州航空工业管理学院

发明人： 关莉 ,  张锐 ,  陈家辉 ,  王海龙 ,  李明亮 ,  赵彪 ,  张新月 ,  范冰冰 ,  郭少杰 ,  周逸凡 ,  李永欢

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

摘要： 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，提供了一种SiC陶瓷材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。本发明采用不同粒径的SiC颗粒，按照不同比例进行颗粒级配，加入聚碳硅烷，在不添加烧结助剂条件下，通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。

公开(公告)号：CN113754440B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202111271983.9

申请日：2021-10-29

申请人： 郑州航空工业管理学院

发明人： 关莉 ,  张锐 ,  陈家辉 ,  王海龙 ,  李明亮 ,  赵彪 ,  张新月 ,  范冰冰 ,  郭少杰 ,  周逸凡 ,  李永欢

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

摘要： 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，提供了一种SiC陶瓷材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。本发明采用不同粒径的SiC颗粒，按照不同比例进行颗粒级配，加入聚碳硅烷，在不添加烧结助剂条件下，通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。