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公开(公告)号：CN115542055A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211288383.8
申请日：2022-10-20
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种双模式IGBT加速老化试验系统及方法，包括第一老化IGBT器件阵列、第二老化IGBT器件阵列、可编程电源以及测试电流源；所述第一老化IGBT器件阵列用于功率循环加速老化试验；所述第二老化IGBT器件阵列用于高温高湿度的偏压加速老化试验；所述可编程电源用于向第一老化IGBT器件阵列提供加热电流以及向第二老化IGBT器件阵列提供偏置电压；所述测试电流源用于向第一老化IGBT器件阵列提供小于加热电流的小电流。本发明能够同时老化多个器件，并且具有两种老化模式，在满足高效率老化的同时，也能改变器件运行环境工况，进行对照试验。
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公开(公告)号：CN115144670B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202210719758.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/00 , G06N3/0499 , G06F18/22
Abstract: 本发明公开了一种轨道交通列车变流器散热状态监测方法及系统，包括：将列车在若干运行工况下的牵引功率以及环境温度作为样本数据，并将所述样本数据输入到神经网络模型进行网络训练，得到训练好的网络模型；将列车在正常工况下的牵引功率以及环境温度输入到训练好的网络模型，输出变流器在散热正常状态下的动态温度曲线lh；测量变流器在实际散热状态下的动态温度曲线l；计算动态温度曲线lh与动态温度曲线l之间的差异D1，并计算动态温度曲线lh与动态温度曲线lf之间的差异D2；将差异D1与差异D2进行比较，得到比较结果，并通过比较结果识别变流器的散热状态。本发明实现了非侵入式在线监测，保障了散热系统的长期可靠运行。
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公开(公告)号：CN116908637A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310430671.0
申请日：2023-04-19
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非侵入式IGBT模块封装焊料层热疲劳老化状态监测方法及装置，通过将壳温升温阈值拐点作为一种全新特征量，根据壳温升温阈值拐点作为特征量监测IGBT模块热疲劳老化进程，将测量变流器运行过程中待测IGBT模块的壳温升温阈值拐点tm分别与健康IGBT模块的壳温升温阈值拐点th和热疲劳失效IGBT模块的的壳温升温阈值拐点tf进行对比，判断待测IGBT模块焊料层热疲劳老化状态。该上述特征量提取过程仅需要简单的温度测量电路，测量过程并不要求改变变流器的电气工作点；实现简单、成本低，且无需损耗信息或热平衡状态，极大降低了现有技术应用于实时监测中的局限性，可以实现IGBT模块焊料层热疲劳老化的非侵入式在线监测。
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公开(公告)号：CN116520052A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310417773.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种真空和常压环境SiC MOSFET器件加速老化试验平台，包括加热控制单元、检测控制单元、数据采集模块、置于真空环境中的第一待测器件DUT1以及置于常压环境中的第二待测器件DUT2；加热控制单元与检测控制单元并联，第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2串联后与加热控制单元和检测控制单元并联；数据采集模块分别与第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2连接，用于采集第一待测器件DUT1和第二待测器件DUT2的实验数据。本发明能够同时在真空和常压环境下对SiC MOSFET器件进行加速老化，且保证了散热方式、加热和测量电流等其它变量的一致性，保证了试验数据的可对比性，确保最终能够准确的分析真空环境对SiC MOSFET器件老化的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115345000A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210964256.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 重庆大学 , 龙腾半导体股份有限公司
IPC: G06F30/20 , G01R31/00 , G01R31/26 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供的一种基于降温曲线时间常数的IGBT模块状态监测方法，包括：S1.控制IGBT模块的散热风扇以风速FS1工作，然后对IGBT模块通电并并在IGBT模块的温度达到稳态后停止通电，保持散热风扇处于风速FS1的状态直至IGBT模块的温度与环境温度相等；记录IGBT模块温度变化值；S2.基于IGBT模块的温度变化值拟合形成三阶Cauer热网络模型的温度变化曲线；基于温度变化曲线确定出时间常数τ1、τ2和τ3；S3.改变IGBT模块散热风扇的风速为FS2并保持，重复步骤S1‑S2，确定出时间常数τ′1、τ′2和τ′3,S4.构建IGBT模块的IGBT自身的热容和热阻计算模型；基于IGBT模块的IGBT自身的热容和热阻计算模型接触IBGT模块中IGBT自身的热阻和热容。
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公开(公告)号：CN115144670A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210719758.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种轨道交通列车变流器散热状态监测方法及系统，包括：将列车在若干运行工况下的牵引功率以及环境温度作为样本数据，并将所述样本数据输入到神经网络模型进行网络训练，得到训练好的网络模型；将列车在正常工况下的牵引功率以及环境温度输入到训练好的网络模型，输出变流器在散热正常状态下的动态温度曲线lh；测量变流器在实际散热状态下的动态温度曲线l；计算动态温度曲线lh与动态温度曲线l之间的差异D1，并计算动态温度曲线lh与动态温度曲线lf之间的差异D2；将差异D1与差异D2进行比较，得到比较结果，并通过比较结果识别变流器的散热状态。本发明实现了非侵入式在线监测，保障了散热系统的长期可靠运行。
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公开(公告)号：CN113381588B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110642053.3
申请日：2021-06-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于IGBT模块的热管理优化控制方法，包括步骤：S1.确定IGBT模块的寿命提升量；S2.确定IGBT模块中电流总谐波畸变增量；S3.根据寿命提升量以及电流总谐波畸变增量，计算得到IGBT模块的寿命提升效益指标；S4.判断IGBT模块运行温度是否超过热管理的调控结温，若是，则进入步骤S5，若否，则重复步骤S4；S5.调整IGBT模块的开关频率使得寿命提升效益指标取得最大值，并将寿命提升效益指标取得最大值时设置的开关频率作为热管理优化控制的最优开关频率。本发明能够优化热管理控制下寿命提升和负面影响之间的权衡利弊关系，实现热管理效益的最大化，减少对光伏系统正常运行的影响。
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公开(公告)号：CN114611803A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210255617.2
申请日：2022-03-15
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于退化特征的开关器件寿命预测方法，包括步骤：S1.采集开关器件的退化特征参数信息；S2.构建初始化的LSTM模型；S3.将退化特征参数信息制作成符合LSTM模型输入格式的训练样本数据；S4.将训练样本数据输入到LSTM模型，调整LSTM模型中目标参数值使得LSTM模型输出的剩余寿命损失值最小，并将损失值最小时设置的LSTM模型作为训练好的LSTM模型；S5.将待测开关器件的退化特征参数信息输入到训练好的LSTM模型，输出待测开关器件剩余寿命的预测值。本发明能够反映器件退化规律，避免了模型参数复杂化，对数据量依赖程度低。
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公开(公告)号：CN113381588A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110642053.3
申请日：2021-06-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于IGBT模块的热管理优化控制方法，包括步骤：S1.确定IGBT模块的寿命提升量；S2.确定IGBT模块中电流总谐波畸变增量；S3.根据寿命提升量以及电流总谐波畸变增量，计算得到IGBT模块的寿命提升效益指标；S4.判断IGBT模块运行温度是否超过热管理的调控结温，若是，则进入步骤S5，若否，则重复步骤S4；S5.调整IGBT模块的开关频率使得寿命提升效益指标取得最大值，并将寿命提升效益指标取得最大值时设置的开关频率作为热管理优化控制的最优开关频率。本发明能够优化热管理控制下寿命提升和负面影响之间的权衡利弊关系，实现热管理效益的最大化，减少对光伏系统正常运行的影响。
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