基于柱状微电极阵列的细胞电融合芯片装置及电融合方法

    公开(公告)号:CN101693875B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200910191052.0

    申请日:2009-09-30

    Applicant: 重庆大学

    CPC classification number: C12M35/02

    Abstract: 本发明提出基于柱状微电极阵列的细胞电融合芯片装置,由柱状微电极阵列芯片、印制电路板和流路控制模块组成。柱状微电极阵列芯片从下至上依次为石英基底层、金属导线层、多聚物绝缘层和柱状微电极层组成;柱状微电极阵列芯片的金属导线层通过键合的方式与外围印制电路板形成电连接,将外界电信号引入到柱状微电极上,使相邻的柱状微电极间形成足够强度的梯度电场;流路控制模块覆盖在所述柱状微电极阵列芯片之上。本发明通过在柱状微电极上加载电信号,控制细胞间的排队与融合,同时,利用柱状微电极阵列有利细胞在腔道内流动的优势,实现细胞的连续流融合,结合阵列化柱状微电极的设计,实现细胞在装置内部连续、高效、高通量的融合。

    应用于弱相干光数字全息成像的图像传感器参数自动寻优设置方法

    公开(公告)号:CN117939305A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410150514.9

    申请日:2024-02-01

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明涉及一种应用于弱相干光数字全息成像的图像传感器参数自动寻优设置方法,属于数字全息成像技术领域,包括以下步骤:在暗箱中放置弱相干光数字全息成像装置并通电,打开计算机电源及已安装的配套图像采集软件,图像传感器感光面上不放置任何样本,保持空置状态;将图像传感器所有参数初始化;取消低亮度补偿;对曝光参数进行初步筛选,获得曝光备选寻优值;对曝光‑亮度、饱和度、白平衡、伽马值、对比度、清晰度参数进行综合寻优,并根据最优值进行设置。

    基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置及加工工艺

    公开(公告)号:CN102517207A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110395164.5

    申请日:2011-12-02

    Applicant: 重庆大学

    CPC classification number: C12M35/02

    Abstract: 一种基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置,由细胞电融合芯片和流路控制层组成。细胞电融合芯片具有硅基底层,在硅基底层上有二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上有顶层低阻硅层,在顶层低阻硅层中有微通道,微通道以二氧化硅绝缘层为底,微通道的两侧相对为齿状侧壁微电极,在相邻的齿状侧壁微电极之间采用绝缘隔离结构隔离低阻硅与齿状侧壁微电极,被隔离的低阻硅的端面与齿状侧壁微电极的端面齐平,使微通道为光滑的通道。本芯片既保证了齿状微电极阵列在微通道内部形成非均匀电场,又形成光滑的直线型微通道侧壁,可避免传统的齿状微电极结构带来的细胞堵塞问题。

    基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置及加工工艺

    公开(公告)号:CN102517207B

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201110395164.5

    申请日:2011-12-02

    Applicant: 重庆大学

    CPC classification number: C12M35/02

    Abstract: 一种基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置,由细胞电融合芯片和流路控制层组成。细胞电融合芯片具有硅基底层,在硅基底层上有二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上有顶层低阻硅层,在顶层低阻硅层中有微通道,微通道以二氧化硅绝缘层为底,微通道的两侧相对为齿状侧壁微电极,在相邻的齿状侧壁微电极之间采用绝缘隔离结构隔离低阻硅与齿状侧壁微电极,被隔离的低阻硅的端面与齿状侧壁微电极的端面齐平,使微通道为光滑的通道。本芯片既保证了齿状微电极阵列在微通道内部形成非均匀电场,又形成光滑的直线型微通道侧壁,可避免传统的齿状微电极结构带来的细胞堵塞问题。

    基于柱状微电极阵列的细胞电融合芯片装置及电融合方法

    公开(公告)号:CN101693875A

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200910191052.0

    申请日:2009-09-30

    Applicant: 重庆大学

    CPC classification number: C12M35/02

    Abstract: 本发明提出基于柱状微电极阵列的细胞电融合芯片装置,由柱状微电极阵列芯片、印制电路板和流路控制模块组成。柱状微电极阵列芯片从下至上依次为石英基底层、金属导线层、多聚物绝缘层和柱状微电极层组成;柱状微电极阵列芯片的金属导线层通过键合的方式与外围印制电路板形成电连接,将外界电信号引入到柱状微电极上,使相邻的柱状微电极间形成足够强度的梯度电场;流路控制模块覆盖在所述柱状微电极阵列芯片之上。本发明通过在柱状微电极上加载电信号,控制细胞间的排队与融合,同时,利用柱状微电极阵列有利细胞在腔道内流动的优势,实现细胞的连续流融合,结合阵列化柱状微电极的设计,实现细胞在装置内部连续、高效、高通量的融合。

    一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置

    公开(公告)号:CN101693874A

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200910191051.6

    申请日:2009-09-30

    Applicant: 重庆大学

    CPC classification number: C12M35/02

    Abstract: 本发明提出了一种基于微小室结构的细胞电融合微电极阵列芯片装置,它由微小室阵列芯片,外围印制电路板和流路控制模块组成。微小室阵列芯片是由石英基底层、金属微电极阵列、多聚物侧壁和多聚物围水栏构成,相对的两金属微电极和相对的两多聚物侧壁构成一个微小室,微小室呈阵列排布;微小室阵列芯片键合于外围印制电路板上,形成电气连接;流路控制模块覆盖在所述微小室阵列芯片之上。本发明通过外界电信号在微小室中形成一定的电场,控制微小室内部的细胞的高效排队与电融合,从而实现每个微小室中仅有一对细胞进行融合,提高细胞融合的通量和安全性。

    一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置

    公开(公告)号:CN101693874B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200910191051.6

    申请日:2009-09-30

    Applicant: 重庆大学

    CPC classification number: C12M35/02

    Abstract: 本发明提出了一种基于微小室结构的细胞电融合微电极阵列芯片装置,它由微小室阵列芯片,外围印制电路板和流路控制模块组成。微小室阵列芯片是由石英基底层、金属微电极阵列、多聚物侧壁和多聚物围水栏构成,相对的两金属微电极和相对的两多聚物侧壁构成一个微小室,微小室呈阵列排布;微小室阵列芯片键合于外围印制电路板上,形成电气连接;流路控制模块覆盖在所述微小室阵列芯片之上。本发明通过外界电信号在微小室中形成一定的电场,控制微小室内部的细胞的高效排队与电融合,从而实现每个微小室中仅有一对细胞进行融合,提高细胞融合的通量和安全性。

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