公开(公告)号：CN119912253A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510002159.5

申请日：2025-01-02

Applicant: 重庆大学 ,  国家电网公司西南分部 ,  西安西电避雷器有限责任公司 ,  南方电网科学研究院有限责任公司

Inventor： 赵学童 ,  康晟淋 ,  王祺 ,  侯欣源 ,  任成君 ,  张杰 ,  何计谋 ,  刘刚 ,  缪奎 ,  甘雨 ,  杨丽君 ,  成立 ,  廖瑞金

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种超高电压梯度和非线性系数的醋酸镝溶液法掺杂ZnO压敏陶瓷及制备方法，所述ZnO压敏陶瓷由ZnO、压敏形成剂Bi2O3和压敏增强剂CoO、Mn2O3、Cr2O3、SnO2、CaO、Dy(C2H3O2)3·4H2O组成，其中ZnO含量为95.15～96.04mol％，压敏形成剂Bi2O3含量为1.0mol％，压敏增强剂Co3O4、MnO2、Cr2O3、SnO2、CaO分别为0.5mol％、0.5mol％、0.5mol％、1.0mol％和0.45mol％，Dy(C2H3O2)3·4H2O的含量为0.01～0.9mol％。本发明中Dy(C2H3O2)3·4H2O既是改性剂又是助烧剂。本发明还提供了上述超高电压梯度和非线性系数ZnO压敏陶瓷的一种制备方法。本发明解决了现有的高压压敏陶瓷制备方法较难、得到的高压压敏陶瓷性能较差的问题，同时本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点。

公开(公告)号：CN119930273A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510002184.3

申请日：2025-01-02

Applicant: 重庆大学

Inventor： 赵学童 ,  康晟淋 ,  王祺 ,  侯欣源 ,  杨丽君 ,  成立 ,  廖瑞金

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种ZnO压敏陶瓷及简易低温烧结方法，ZnO压敏陶瓷的组成为[100‑(a+b+c+d+e)]mol％ZnO+amol％Bi2O3+bmol％Co3O4+cmol％Mn2O3+dmol％Cr2O3+emol％SnO2，其中2.1≤a+b+c+d+e≤7.5。在800～1000℃的烧结温度下对陶瓷进行烧结，得到所述ZnO压敏陶瓷的电压梯度Eb为1529～2362V/mm，非线性系数α为63～86，泄漏电流密度IL为0.2～0.7μA/cm2，性能优于现阶段商用的ZnO压敏陶瓷，能够满足实际生产环节对于压敏陶瓷性能的要求。

公开(公告)号：CN119859055A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411946757.X

申请日：2024-12-27

Applicant: 重庆大学

Inventor： 赵学童 ,  王祺 ,  康晟淋 ,  侯欣源 ,  李玉晨 ,  王江林 ,  杨丽君 ,  成立 ,  廖瑞金

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01C7/112 ,  H01C17/00

Abstract: 本发明公开了一种基于热处理辅助冷烧结的ZnO基压敏陶瓷制备方法，包括用去离子水与柠檬酸配制柠檬酸溶液；将初始ZnO粉体与金属氧化物掺杂剂混合以构成前驱粉体，再将前驱粉体与柠檬酸溶液混合，研磨分散后得到混合浆料；将混合浆料放入钢制模具中，施压，进行冷烧结；将冷烧结后的样品进行热处理，最终得到高性能ZnO基压敏陶瓷。本发明在≤950℃的条件下制备出相对密度高达99％的陶瓷，所制备的陶瓷还具备高达92的优异非线性系数，以及1600V/mm超高击穿强度，远超固相法所制备的ZnO基压敏电阻。相比传统高温烧结工艺，本发明不仅降低了烧结温度，节约了能源，并能显著提升电学性能。

公开(公告)号：CN119751043A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411946765.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 重庆大学 ,  国家电网有限公司西南分部

Inventor： 赵学童 ,  王祺 ,  张杰 ,  任成君 ,  康晟淋 ,  侯欣源 ,  杨丽君 ,  成立 ,  廖瑞金

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64 ,  H01C7/112

Abstract: 本发明公开了一种退火增强低温烧结制备ZnO基压敏陶瓷的方法，用去离子水与冰甲酸配制甲酸溶液；将初始ZnO粉体与金属氧化物掺杂剂混合以构成前驱粉体；再将前驱粉体与甲酸溶液混合，研磨分散后得到混合浆料，将混合浆料放入钢制模具中，施压冷烧结；将冷烧结后的样品进行退火，最终得到高性能ZnO基压敏陶瓷。本发明采用退火辅助冷烧结的工艺能够在低温条件下获得更加优异的机械性能，表现为高达134GPa的弹性模量和超过280HV的维氏硬度。该制备方法适合应用于高性能电子元件，既降低了能耗，又改善了陶瓷的力学性能。

公开(公告)号：CN119350017A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411545665.0

申请日：2024-11-01

Applicant: 重庆大学 ,  国家电网有限公司西南分部

Inventor： 赵学童 ,  王祺 ,  任成君 ,  张杰 ,  康晟淋 ,  侯欣源 ,  杨丽君 ,  廖瑞金

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种热处理辅助的ZnO冷烧结工艺，特别适用于制备20‑70mm直径的具有高致密度的大尺寸ZnO陶瓷材料。本发明通过在冷烧结过程中引入醋酸作为溶剂，结合特定浓度范围和添加量，实现了ZnO陶瓷的初步致密化。随后，通过700‑900℃的热处理步骤以解决冷烧结在大尺寸ZnO陶瓷中受热不均匀等问题，进一步提高材料的致密度，使其相对密度达到99％，超过工业生产所制备的ZnO陶瓷。相比于传统烧结工艺，本发明的热处理辅助工艺能够显著降低传统烧结所需的温度；相比于冷烧结工艺，本发明的热处理辅助工艺能有效提升了材料的机械性能和电学特性，适用于高性能电子元件的制造。