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公开(公告)号：CN117559471A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311494521.2
申请日：2023-11-10
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国网重庆市电力公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于桥臂电流前馈的SVG虚拟阻尼振荡抑制方法及系统，包括：S1.对级联H桥SVG的桥臂电流ia、ib、ic进行滤波处理，得到滤波后的桥臂电流信号；S2.将滤波后的桥臂电流信号进行虚拟阻尼处理，得到虚拟阻尼信号；S3.对虚拟阻尼信号进行改善处理，得到改善后的输出信号。本发明能够对高频振荡进行定频段振荡抑制，同时具有较好的动态响应。
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公开(公告)号：CN116973722A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310682804.3
申请日：2023-06-09
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种用于对桥式电路中桥臂的SiC MOSFET器件进行结温监测的方法，利用半桥结构电路中桥臂换流时不同阶段电流随上下管结温分别变化的特性，采用下管的电荷变化量与对应SiC MOSFET器件结温的线性关系，结合负载电流方向以获取半桥电路中桥臂上下两管的结温信息。采用本发明提供的结温监测方法具有良好的线性度、灵敏度，能够有效减少测量电路数量，避免了浮地测量所引起的共模干扰问题。
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公开(公告)号：CN108879781B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810865583.2
申请日：2018-08-01
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于虚拟阻抗校正法的并网电流控制方法，它包括：将信号采样后分别接电容电流反馈环节，并网电流反馈环节，锁相环环节以及分频段补偿电网电压前馈环节；锁相环输出与并网电流基准幅值接并网电流基准产生单元；并网电流反馈环节与并网电流基准产生单元接并网电流比较单元，其输出接电流调节器；电流调节器的输出与电容电流反馈环节以及电网电压前馈环节的输出接调制信号控制单元；调制信号控制单元的输出接PWM单元连接到逆变器。本发明将并网逆变器的输出阻抗模型分为容性的低频段，阻容性的中频段以及阻感性的高频段，以并联虚拟阻抗的方式引入一个可分频段调节的电网电压前馈函数，从而得到重塑后的等效输出阻抗。
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公开(公告)号：CN116626464A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310578346.9
申请日：2023-05-22
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开一种SiC MOSFET器件键合线老化监测电路及在线监测方法，所述电路包括峰值检测电路、模数转换电路和控制运算单元；峰值检测电路包括第一峰值检测电路和第二峰值检测电路；第一峰值检测电路获取器件外部KS端子和S端子之间的电压VKS‑S，第二峰值检测电路获取器件电路中杂散电感上的电压VCIR；模数转换电路用于对峰值检测电路获取的电压值进行转换，并传给控制运算单元；控制运算单元发出指令，并对模数转换电路获取的数据进行计算，将VKS‑S和VCIR的比值作为SiC MOSFET器件键合线疲劳老化的特征量指标。具有构思巧妙，设计合理，结构简单等特点，能够在器件开通瞬态过程中提取出老化特征量并进行键合线老化监测。
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公开(公告)号：CN115800379A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211671062.6
申请日：2022-12-25
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02J3/38
摘要： 本发明公开了一种变流器并网系统的小信号稳定运行域确定方法，包括：S1.构建包括有功变量和无功变量的环路增益Gloop(ωpc,P,Q)；S2.将无功变量Q离散为若干点，求解ωpc和P之间的关系；S3.基于ωpc和P之间的关系，计算得到有功变量P值的临界点；S4.判断P1、P2…Pn各值的左右稳定裕度，得到P1、P2…Pn分别对应的左临界参量P1l、P2l…Pnl以及右临界参量P1r、P2r…Pnr；S5.根据左临界参量以及右临界参量确定小信号稳定运行域。本发明分析简单，且不存在稳定运行域盲区。
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公开(公告)号：CN113972692A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111315006.4
申请日：2021-11-08
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02J3/38
摘要： 本发明公开了一种基于频率耦合特征量的并网稳定性分析方法，包括步骤：S1.确定考虑频率耦合现象的等效导纳模型；S2.基于考虑频率耦合现象的等效导纳模型，定义频率耦合特征量；S3.构建频率耦合特征量的求解方程；S4.测量不同电网阻抗下的等效导纳，并将所述等效导纳带入所述求解方程，计算得到频率耦合特征量；S5.将所述频率耦合特征量作为表征参数来分析并网的稳定性。本发明能够有效可行地测量频率耦合特征量，避免了互导纳的测量，进而对并网系统的稳定性进行准确有效地分析。
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公开(公告)号：CN108879781A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810865583.2
申请日：2018-08-01
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于虚拟阻抗校正法的并网电流控制方法，它包括：将信号采样后分别接电容电流反馈环节，并网电流反馈环节，锁相环环节以及分频段补偿电网电压前馈环节；锁相环输出与并网电流基准幅值接并网电流基准产生单元；并网电流反馈环节与并网电流基准产生单元接并网电流比较单元，其输出接电流调节器；电流调节器的输出与电容电流反馈环节以及电网电压前馈环节的输出接调制信号控制单元；调制信号控制单元的输出接PWM单元连接到逆变器。本发明将并网逆变器的输出阻抗模型分为容性的低频段，阻容性的中频段以及阻感性的高频段，以并联虚拟阻抗的方式引入一个可分频段调节的电网电压前馈函数，从而得到重塑后的等效输出阻抗。
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公开(公告)号：CN115986815A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211670017.9
申请日：2022-12-25
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H02J3/38 , H02J3/44 , G06F30/367 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种提升变流器并网稳定性的锁相环参数设计方法，包括：S1.分析不同运行功率下的变流器并网系统的稳定裕度，确定稳定裕度最低的变流器运行功率Pc；S2.分析运行功率Pc下含锁相环带宽fpll的等效环路增益Gloop的稳定特性，得到锁相环带宽fpll与相角∠Gloop的关系；S3.选取稳定裕度范围为(a,b)对应的锁相环带宽fpll，基于锁相环带宽fpll确定锁相环比例系数kp,pll和ki,pll。本发明能够保证锁相环动态响应的同时，实现并网变流器在所有运行功率下的安全稳定运行。
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公开(公告)号：CN107196342A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710583206.5
申请日：2017-07-17
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
IPC分类号： H02J3/38
摘要： 本发明公开了一种增强弱电网条件下三相并网逆变器稳定性的电流控制方法。本发明通过采用锁相环和矢量电流控制的控制器参数来实现三相并网逆变器的稳定性控制，无需引入新的控制器参数，控制方法实现简单。同时，该电流控制方法不受电网阻抗和并网逆变器主电路参数的影响，具有良好的鲁棒性，且适用范围广。
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公开(公告)号：CN116859205A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310888313.4
申请日：2023-07-19
申请人： 重庆大学 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种沟槽栅型SiC MOSFET器件栅极退化监测方法和监测电路。该方法利用SiC MOSFET器件第三象限零栅压、不同结温下的输出特性曲线交点处的体二极管压降作为特征量。在双脉冲电路中，下管待测SiC MOSFET器件的栅压始终保持零栅压；在电感电流通过下管待测SiC MOSFET器件续流时，侦测交点电流下待测SiC MOSFET器件的体二极管压降值，通过与全新器件在该交点电流下的体二极管压降值作对比以判断待测SiC MOSFET器件是否发生了栅极退化。本发明能够忽略结温的影响实现SiC MOSFET器件栅极退化的准确监测，且是一个很好的在线监测的候选方法，可以避免因停机检测造成的经济损失。
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