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公开(公告)号：CN115632629A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211289499.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 重庆大学 , 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及通信电路元件技术领域，具体涉及一种实现横波抑制的弹性波装置及制造方法，所述装置包括压电衬底层和叉指换能器电极结构，所述叉指换能器电极结构包括汇流条、真指电极和假指电极；所述汇流条倾斜角度θ设置，所述真指电极或假指电极与汇流条的连接角度α和倾斜角度θ互余；同一汇流条上的假指电极端部的与相邻真指电极之间设有质量负载调节条；所述真指电极的端部上设有质量负载调节块，所述真指电极靠近汇流条的中下部位置也设有质量负载调节块，一真指电极端部上的质量负载调节块与相邻真指电极中下部位置的质量负载调节块的连线与汇流条平行。本发明能有效抑制禁带区域内的横波杂散且不在反谐振点高频端出现杂散波纹。
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公开(公告)号：CN119543875A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311115759.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种叉指换能器、滤波器及电子装置，所述叉指换能器包括沿第一方向依次交替间隔分布的第一电极指、第二电极指；其中，叉指换能器在第一方向上具有互不交叠的至少两个分区，分区内包括至少一个电极组，一个电极组包括沿第一方向相邻的第一电极指、第二电极指；至少两个分区中，一个分区的至少一个电极组与另一个分区的至少一个电极组的周期及占空比不同且激发的声表面波频率相同，至少能够有效抑制换能器中横向模式分量。
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公开(公告)号：CN118337178A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410359309.3
申请日：2024-03-27
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域。本发明提供一种复合横波抑制结构的声表面波滤波器，滤波器的输入口和输出口之间设置有至少一个串联谐振子和至少一个并联谐振子；串联谐振子为第一横波抑制结构；并联谐振子为第二横波抑制结构；其中，第一横波抑制结构具有相对设置的两个汇流条，以及若干个沿谐振波的主要传播方向分布的多个电极指；电极指分别连接两个汇流条；在谐振波的主要传播方向上，横波抑制结构的占空比逐渐变化；第二横波抑制结构具有相对设置的两个汇流条，在谐振波的主要传播方向上，电极指的长度逐渐变化。本发明提供的复合横波抑制结构的声表面波滤波器，可以有效提升滤波器整体谐振子的叠加Q值。
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公开(公告)号：CN116366022A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310272917.6
申请日：2023-03-20
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种温度补偿声表面换能器及制造方法，其中温度补偿声表面换能器包括依序设置的基底层、电极层和温补层，温补层具有背离电极层的第一表面，第一表面上设有空腔结构，电极层具有叉指电极组，空腔结构靠近叉指电极组的端头周侧或叉指电极组的上表面；温度补偿声表面换能器的制造方法包括在基底层上生成电极层，在电极层上生成温补层，在温补层上制备空腔结构，并使空腔结构靠近电极层的叉指电极组；本申请的温度补偿声表面换能器，通过空腔结构可阻断声表面波在孔径方向上的泄露路径，对横模传播造成破坏，从而达到对横向模式进行有效抑制的目的。
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公开(公告)号：CN113922782A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111213290.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种温度补偿声表面波器件及其制备方法，该温度补偿声表面波器件包括：压电基底，负载层，叉指换能器，温度补偿层和钝化层，负载层位于压电基底上表面层或者从压电基底上表面层向压电基底内部延伸一定距离，负载层包括多个负载块，每个负载块位于叉指换能器指条端头对应的区域，叉指换能器的指条端头与负载块相接且不覆盖，部分覆盖或全覆盖所述负载块；温度补偿层位于叉指换能器之上，钝化层位于温度补偿层之上。本发明的温度补偿声表面波器件设计灵活、工艺简单，能够抑制横模，制作出的谐振器的Q值高。
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公开(公告)号：CN113824423A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111069916.9
申请日：2021-09-13
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提升Q值及抑制横模的换能器结构及声表面波谐振器，该换能器结构的指条端头设置有n块不在一条直线(偏离平衡位置)的负载块。本发明的换能器结构用于普通SAW滤波器时，通过在指条末端增加位置不规则的负载块，改变指条端头的电容分布，增加了叉指换能器在末端的激励，提高了声表面波在激励、传输和转换过程中的效率，可以明显提高谐振器的Q值。将本发明的结构加入到TC‑SAW或者POI晶圆基底的换能器中，除了具备普通SAW中的提高Q值的功能，还具有横向模抑制的功能。通过在指条端头增加本发明的位置不规则负载块，在温补层内部对指条的端头进行处理，阻断横向模产生。
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公开(公告)号：CN119945368A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411938444.X
申请日：2024-12-25
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种换能器结构及声表面波谐振器，该换能器结构包括相对设置的至少两个汇流条，每个汇流条连接有多个指条；不同汇流条连接的指条交错分布且有间隔；某汇流条连接的指条中有且仅有部分指条的末端部分倒相与另一汇流条连接，倒相指条的数量与倒相幅度可调节。本发明换能器结构的倒相指条的数量与倒相幅度可灵活调节，能够优化耦合特性，使通带的边界更加陡峭，即提升了滤波器的矩形度，也有效提高滤波器的带外抑制性能。
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公开(公告)号：CN113193849B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202110498780.7
申请日：2021-05-08
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Inventor： 姚远
Abstract: 本发明公开了一种多阶横模抑制的声表面波换能器及制造方法，声表面波换能器包括从下到上依次设置的晶圆基底、叉指金属层和温补层；还包括负载层，负载层采用如下结构之一或组合；结构一：负载层设置于温补层上或温补层中，负载层不与叉指金属层接触，负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头；结构二：负载层在晶圆基底内，负载层位于叉指金属层的指条端头位置对应处，负载层为导电材料；结构三：负载层位于叉指金属层和温补层之间，负载层覆盖叉指金属层中的全部或部分指条端头，负载层采用非金属材料制成。对指条端头区域进行处理阻断横向模，提高电性能指标和品质Q值；结构一负载层通过温补层与叉指金属层隔离，不与叉指金属层相连短路。
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公开(公告)号：CN118921035A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310511218.2
申请日：2023-05-08
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及声表面波换能器以及包括其的装置。该声表面波换能器包括：压电层；叉指电极，设置在压电层的表面，包括：第一汇流条和连接至第一汇流条的多个第一电极指，第二汇流条和连接至第二汇流条的多个第二电极指；叉指电极包括在声表面波的传播方向上布置的多个区域，多个区域至少包括相邻的第一区域和第二区域，第一区域内的多个第二电极指的端部的连线限定第一迹线，第二区域内的多个第二电极指的端部的连线限定第二迹线，其中：第一迹线和第二迹线相邻的端部在电极指的延伸方向上错开；第一区域内的指条孔径相等。
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公开(公告)号：CN117792328A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311757037.4
申请日：2023-12-19
Applicant: 江苏卓胜微电子股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种声表面波换能器及电子装置，声表面波换能器包括压电材料层及位于压电材料层上的叉指换能器层；其中，通过配置声表面波换能器的结构参数使得叉指换能器层发出的声表面波的慢度曲线在传播角为预设范围内垂直，至少能够有效抑制声表面波换能器中横向模式分量，且应用范围更广的声表面波换能器及电子装置。
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