公开(公告)号：CN118347482A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410465937.X

申请日：2024-04-18

申请人： 重庆天箭惯性科技股份有限公司

发明人： 林日乐 ,  詹传康 ,  许图 ,  熊珠珠 ,  肖凌

IPC分类号： G01C19/5684

摘要： 本发明属于MEMS环形陀螺技术领域，具体涉及一种大工艺容差的MEMS环形陀螺谐振子结构，包括具有空腔的圆环谐振质量、调节质量、位于圆环谐振质量的内腔中心的中心锚点，以及连接于中心锚点和圆环谐振质量之间的弹性支撑梁结构，圆环谐振质量具有圆环，调节质量施加在圆环谐振质量的圆环上平滑的改变环宽，本发明提出了一种新的大工艺容差的MEMS环形陀螺谐振子结构，通过对环上有效质量的重新分布，在保证高品质因数的同时，有效降低加工误差产生的频率裂解，提高陀螺加工鲁棒性，提高产品的一致性和可靠性。

公开(公告)号：CN118376263A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410465914.9

申请日：2024-04-18

申请人： 重庆天箭惯性科技股份有限公司

发明人： 林日乐 ,  熊珠珠 ,  许图 ,  詹传康 ,  肖凌

IPC分类号： G01C25/00 ,  G01C19/5684 ,  B81B7/02

摘要： 本发明属于陀螺加工技术领域，具体涉及一种外延硅补偿的环形振动陀螺及其制造方法，包括以下步骤：S1：衬底层的制备：在衬底硅片上刻蚀出凹腔，然后沉积一层绝缘层；S2：器件层的制备：器件层硅片与衬底层硅片键合连接，键合后对器件层硅片刻蚀出谐振结构；S3：器件层深槽内外延层的制备：在器件层深槽内沉积低阻硅外延层；S4：器件层深槽内外延硅表面介质层的制备：在器件层深槽内沉积生长一层介质层，本发明采用外延硅及介质膜沉积工艺对DRIE刻蚀出的深槽结构进行宽度补偿，从而实现将深槽结构深宽比的大幅提升，有效提高了陀螺的灵敏度，提高了信噪比。

公开(公告)号：CN118347481A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410422066.3

申请日：2024-04-09

申请人： 重庆天箭惯性科技股份有限公司

发明人： 林日乐 ,  詹传康 ,  许图 ,  熊珠珠 ,  肖凌

IPC分类号： G01C19/5684 ,  G01C19/5677 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明属于振动陀螺技术领域，具体涉及一种环形陀螺谐振子结构及其制造方法，包括基底、中心键合在基底上的环形谐振子、以及在环形谐振子内外环绕分布的固定电极组件，环形谐振子包括振动圆环，固定电极组件包括在振动圆环外环绕的外电极组，外电极组包括多个间隔设置的驱动电极和检测电极，驱动电极与振动圆环之间的间距大于检测电极与振动圆环之间的间距，本发明通过减小检测电容间距，可以提高陀螺灵敏度，本发明提出的不等电极间距驱动和检测的环形陀螺谐振子结构，可以在加宽驱动电极初始间距，提高驱动振幅的同时，减小检测电容间距，从两个方面同时提升了陀螺灵敏度，且保持了良好的线性度，同时避免了吸合效应导致的可靠性问题。