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公开(公告)号：CN110814575B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911180212.1
申请日：2019-11-27
申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 桂林电子科技大学
IPC分类号： B23K35/362 , B23K35/363 , B23K35/40
摘要： 本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，抗坏血酸所占质量百分比的份数为3至8，分散剂所占质量百分比的份数为2至8，增稠剂所占质量百分比的份数为2至8，触变剂所占质量百分比的份数为2至8。金属纳米颗粒具备了抗氧化性，可以有效地改善焊料层整体的导热、导电性能；少量其他纳米金属和还原氧化石墨烯对烧结后的焊料层缺陷能够进行有效的填充，减少焊料层整体的孔隙率，从而进一步提高焊料层整体的导电、散热和连接性能。
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公开(公告)号：CN111211163A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010158277.2
申请日：2020-03-09
申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 重庆大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN112238310A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011196115.4
申请日：2020-10-30
申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 重庆大学
摘要： 本发明提供了一种铜焊膏、铜焊膏制备方法和芯片。铜焊膏包括如下质量百分比的各组分：复合铜浆料：95％至99.8％；导电导热碳基材料：0.2％至5％。本发明通过在复合铜浆料中加入导电导热碳基材料，提高了铜焊膏的导电和导热性能，同时也增强了焊膏的力学性能。
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公开(公告)号：CN110814575A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911180212.1
申请日：2019-11-27
申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司
IPC分类号： B23K35/362 , B23K35/363 , B23K35/40
摘要： 本发明提供了一种焊膏和焊膏的制备方法，焊膏的组分包括：金属纳米颗粒、氧化石墨烯、抗坏血酸、分散剂、增稠剂和触变剂；其中，金属纳米颗粒包括纳米铜颗粒；金属纳米颗粒所占质量百分比的份数为75至85，氧化石墨烯所占质量百分比的份数为5至10，抗坏血酸所占质量百分比的份数为3至8，分散剂所占质量百分比的份数为2至8，增稠剂所占质量百分比的份数为2至8，触变剂所占质量百分比的份数为2至8。金属纳米颗粒具备了抗氧化性，可以有效地改善焊料层整体的导热、导电性能；少量其他纳米金属和还原氧化石墨烯对烧结后的焊料层缺陷能够进行有效的填充，减少焊料层整体的孔隙率，从而进一步提高焊料层整体的导电、散热和连接性能。
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公开(公告)号：CN211350656U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202020281237.2
申请日：2020-03-09
申请人： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 , 重庆大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/778
摘要： 本实用新型提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2-DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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