公开(公告)号：CN117894680A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311812689.3

申请日：2023-12-26

申请人： 金冠电气股份有限公司 ,  西安交通大学 ,  国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司

发明人： 厍海波 ,  张闯 ,  刘扬帆 ,  刘亚芸 ,  伍建新 ,  田冰 ,  郑舒赛 ,  冯阳 ,  李盛涛

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了IGBT器件及基于改性钝化层来提高压接型IGBT工作电压的方法，该方法包括：向IGBT用钝化层PI中掺杂非线性电导材料，采用掺杂得到的非线性纳米复合材料作为IGBT的钝化层材料。本发明通过对PI基体进行了改性，协同调控了聚酰亚胺的电导率、非线性系数和阈值场强，该方法能够有效缓解高压大功率IGBT固体绝缘介质界面处电场畸变，减少电荷积聚，提升IGBT用钝化层的耐压强度。

公开(公告)号：CN112608547A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011257508.1

申请日：2020-11-11

申请人： 西安交通大学

发明人： 郑舒赛 ,  王潇平 ,  李盛涛 ,  侯欣宾 ,  王立

IPC分类号： C08L23/08 ,  C08K9/00 ,  C08K3/34

摘要： 本发明公开了一种提高ETFE抗内带电特性的方法及得到的复合电介质，属于ETFE改性领域。本发明的提高ETFE抗内带电特性的方法，以SiC纳米粒子作为填料，采用熔融共混法将之混入基料ETFE中，每100份ETFE中添加0.5‑5份的SiC纳米粒子，得到ETFE/SiC复合电介质。本发明的生产过程简单，条件容易控制，便于大规模生产。本发明的ETFE/SiC复合电介质，在保持优秀绝缘性能的同时，具有优秀的非线性电导特性。非线性电导特性使得当材料内部电场畸变达到一定阈值时，材料的电导率升高，有助于电荷的泄放；而在正常工作情况下其电导率保持较低水平，其击穿场强保持较高水平，不影响其绝缘性能的使用。