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公开(公告)号：CN110002513B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910329430.0
申请日：2019-04-23
申请人： 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC分类号： C01G51/04
摘要： 本发明公开了一种四氧化三钴的制备方法，该方法通过随着合成时间的延长，加入反应釜中的钴溶液浓度梯度增加或减小，同时调节反应釜中浆料的固液比，湿法合成致密氢氧化钴；合成结束后将合成产物洗涤、干燥、煅烧，得到四氧化三钴产品。利用此工艺，能够制备出激光粒度D10在12~15μm，D50在17~19µm，D90在22~25μm，振实密度≧2.4g/cm3，比表面积1.0~3.0m2/g，形貌为球形或类球形的大粒度四氧化三钴产品或激光粒度D10在1~3μm，D50在3～5µm，D90在7~10μm，振实密度≧2.5g/cm3，比表面积1.0~3.0m2/g，形貌为球形或类球形的小粒度四氧化三钴产品。
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公开(公告)号：CN110217831A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910329907.5
申请日：2019-04-23
申请人： 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种高电压钴酸锂用大颗粒球形窄分布四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒球形窄分布碳酸钴连续生产阶段和大颗粒球形窄分布碳酸钴煅烧阶段。本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量和连续生产方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好。
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公开(公告)号：CN110217831B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910329907.5
申请日：2019-04-23
申请人： 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种高电压钴酸锂用大颗粒球形窄分布四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒球形窄分布碳酸钴连续生产阶段和大颗粒球形窄分布碳酸钴煅烧阶段。本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量和连续生产方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好。
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公开(公告)号：CN110217832A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910329925.3
申请日：2019-04-23
申请人： 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒窄分布掺铝碳酸钴连续合成阶段和大颗粒窄分布掺铝碳酸钴煅烧阶段；本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量、连续合成方法和特殊铝盐方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好，铝元素分布均匀；通过三段式煅烧方法，第一段温度为180-250℃，碳酸钴局部分解，形成微孔通道；第二段温度为300-500℃，碳酸钴彻底分解；第三段温度为650-800℃，颗粒表面致密化，亚钴相更低，晶型更完整，形成大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴。
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公开(公告)号：CN110217832B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910329925.3
申请日：2019-04-23
申请人： 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒窄分布掺铝碳酸钴连续合成阶段和大颗粒窄分布掺铝碳酸钴煅烧阶段；本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量、连续合成方法和特殊铝盐方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好，铝元素分布均匀；通过三段式煅烧方法，第一段温度为180‑250℃，碳酸钴局部分解，形成微孔通道；第二段温度为300‑500℃，碳酸钴彻底分解；第三段温度为650‑800℃，颗粒表面致密化，亚钴相更低，晶型更完整，形成大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴。
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公开(公告)号：CN110002513A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910329430.0
申请日：2019-04-23
申请人： 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC分类号： C01G51/04
摘要： 本发明公开了一种四氧化三钴的制备方法，该方法通过随着合成时间的延长，加入反应釜中的钴溶液浓度梯度增加或减小，同时调节反应釜中浆料的固液比，湿法合成致密氢氧化钴；合成结束后将合成产物洗涤、干燥、煅烧，得到四氧化三钴产品。利用此工艺22，~能25μ够m制，振备实出密激度光≧粒2度.4gD/1c0m在31，2比~1表5μ面m积，D15.00在~31.70~m129/µgm，形，D貌90在为球形或类球形的大粒度四氧化三钴产品或激光粒度D10在1~3μm1.，0D~530.在0m32～/g5，形µm貌，D为90球在形7~1或0μ类m球，振形实的密小度粒≧度2四.5g氧/c化m三3，钴比产表品面。积
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公开(公告)号：CN108946824B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811075697.3
申请日：2018-09-14
申请人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC分类号： C01G51/04
摘要： 本发明属于锂离子电池正极材料领域，是一种大粒度四氧化三钴的制备方法。该方法的具体步骤是：以一定浓度的钴溶液为钴源，氢氧化钠溶液为沉淀剂，氨水溶液为络合剂，水合肼溶液为还原剂，合成开始时，将一定量的氢氧化钴闪蒸干燥收尘料和水合肼溶液加入反应釜中，在强力搅拌下使收尘料转变为氢氧化钴晶种，然后通过一定的工艺条件，湿法合成出粒度为16～18µm的四氧化三钴前驱体产品；合成结束后，向反应釜中加入一定量的导电炭黑，陈化一段时间后，将混合物洗涤、干燥、在一定条件下煅烧，得到大粒度四氧化三钴产品。利用此工艺，能够制备出激光粒度在16～18µm，振实密度大于2.0g/cm3，比表面积1.0～3.0m2/g的球形或类球形四氧化三钴产品。
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公开(公告)号：CN108950199A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810769529.8
申请日：2018-07-13
申请人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用硫化镍钴矿制备用于合成三元前驱体的镍钴溶液的方法，属于冶金领域，解决了硫化镍钴矿难利用，以及现有的合成三元前驱体的方法步骤繁复、成本较高的问题。本发明的技术方案包括以下步骤：磨矿；浸出；浸出液萃取除杂；除钙镁；再次萃取除杂。本发明的有益效果是：本发明最终得到的纯净的镍钴溶液可作为生产锂离子电池三元前驱体的原料，溶液镍钴不分离，处理工艺简单，省去了结晶再溶解的过程，简化了步骤，降低了成本；浸出过程中硫元素生成硫磺或硫酸根，不产生有害物质，对环境友好；浸出效率高，浸出过程直接除铁；硫化镍钴矿浸出过程为放热过程，能降低能量成本；本发明可操作性强，设备简单，流程短。
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公开(公告)号：CN108682849A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810490923.8
申请日：2018-05-21
申请人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC分类号： H01M4/525 , H01M10/0525 , C01G51/00
CPC分类号： H01M4/525 , C01G51/42 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开了一种掺铝钴酸锂的制备方法，属于锂离子电池技术领域。该方法以一定浓度的钴和锂混合溶液为钴、锂源，碳酸钠溶液为沉淀剂，氨水溶液为络合剂，水合肼溶液为还原剂，铝盐无水乙醇溶液为掺杂剂，采用湿法合成出碳酸钴和碳酸锂混合物。在反应过程中，通过分散加液方式将掺杂溶液加入反应釜中参与反应；合成结束后在一定pH值条件下，利用一定浓度的双氧水溶液将碳酸钴氧化成羟基氧化钴，然后将混合物洗涤、干燥、在一定条件下煅烧，得到掺铝钴酸锂产品，生产效率高；且采用本发明方法制备出的掺铝钴酸锂产品掺铝量为0.2‑0.4%，且铝元素均匀分布，激光粒度为5‑15µm，振实密度≧2.0g/cm3，比表面积0.2‑0.6m2/g，呈块状或类球形形貌。
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公开(公告)号：CN109824094A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910214872.0
申请日：2019-03-20
申请人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC分类号： C01G51/06
摘要： 本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种高电压钴酸锂用大颗粒碳酸钴的生产方法，通过核生长和粒子生长工序来制造大颗粒碳酸钴的连续合成方法；所述核生长工序是在晶核生成釜内进行反应，以在线测定的pH值为6.8~8.5的方式控制核生成的工序；所述粒子生长工序是在初级反应釜内进行核初级生长，在优化反应釜内进行优化生长，改善粒子粒度分布及形貌，分别以在线测定的pH为6.8~8.0的方式控制含有该核生长工序中形成的核的粒子生长溶液。本发明能够使所生成的大颗粒碳酸钴的粒度分布更窄且更均质，形成形状和尺寸整齐均一的粒子。
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