一种烧结钐钴永磁体的玻璃熔接方法

    公开(公告)号:CN112645614B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011540919.1

    申请日:2020-12-23

    Abstract: 本发明涉及一种烧结钐钴永磁体的玻璃熔接方法。选取两个未经表面电镀处理的烧结钐钴永磁体,加工成所需形状;分别对两个磁体的熔接面进行喷砂处理,依次用蒸馏水、丙酮清洗,干燥;将玻璃粉制成浆料涂覆在一个烧结钐钴永磁体的熔接面,涂敷层干燥后,将另一个一个烧结钐钴永磁体的熔接面放在涂敷层上;将两块磁体放于热处理炉中,加热至熔接温度并保温一定时间后,降温至室温,完成钐钴永磁体的熔接;所述熔接温度低于550℃。本发明提出的方法可以在550℃温度以下短时间快速完成烧结钐钴永磁体的熔接,且熔接体抗弯强度为80‑90MPa。

    一种含陶瓷相的铁基非晶纳米晶复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN101298654A

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200810115841.1

    申请日:2008-06-30

    Abstract: 本发明属于热喷涂领域,特别涉及一种含陶瓷相的铁基非晶纳米晶复合涂层及其制备方法。首先将Co或Ni包碳化物或氧化物陶瓷加入到药芯中,和具有非晶形成成分的铁基合金一起制备成药芯丝材作为喷涂材料,采用电弧喷涂方法将药芯丝材熔化并雾化成熔滴后沉积在基体上,制备出含有陶瓷相结构的铁基非晶纳米晶复合涂层,涂层结合强度高,有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗氧化等性能,显著延长基体使用寿命,可以广泛应用于冶金、电力、石油等行业的设备零件的修复和防护上。

    一种复合电磁屏蔽薄膜材料及其制造方法

    公开(公告)号:CN1787114A

    公开(公告)日:2006-06-14

    申请号:CN200510127809.1

    申请日:2005-12-06

    Abstract: 本发明属于磁性材料领域,涉及电磁屏蔽材料及其制造方法。本发明是在水溶液中在导电基片上经过多次沉积形成的复合金属薄膜。所得的复合金属薄膜厚度在1~100μm之间,复合薄膜的各个组成层的厚度在0.1~99.9μm。各个组成层之间的结合是化学键结合,并且各个组成层自身呈层状结构。基片可以是不锈钢、铜板、钛板、铝板以及各种耐腐蚀的合金板,也可以是导电的玻璃、导电塑料、聚合物高分子材料等;复合金属薄膜包括两层或两层以上不同的金属薄膜层构成;各个金属薄膜层可以是金属铜、金属铁、镍铁合金、镍钴合金、铁钴合金以及铁钴镍三元合金。本发明的优点是该多层金属薄膜具有优良的电磁屏蔽性能,其屏蔽的频率范围在50Hz-100MHz,屏蔽效能达到70dB以上。

    一种含陶瓷相的铁基非晶纳米晶复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN101298654B

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200810115841.1

    申请日:2008-06-30

    Abstract: 本发明属于热喷涂领域,特别涉及一种含陶瓷相的铁基非晶纳米晶复合涂层及其制备方法。首先将Co或Ni包碳化物或氧化物陶瓷加入到药芯中,和具有非晶形成成分的铁基合金一起制备成药芯丝材作为喷涂材料,采用电弧喷涂方法将药芯丝材熔化并雾化成熔滴后沉积在基体上,制备出含有陶瓷相结构的铁基非晶纳米晶复合涂层,涂层结合强度高,有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗氧化等性能,显著延长基体使用寿命,可以广泛应用于冶金、电力、石油等行业的设备零件的修复和防护上。

    辊嘴间距测量方法及传感器

    公开(公告)号:CN1266453C

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:CN200310118466.3

    申请日:2003-12-18

    Abstract: 本发明属于测量技术领域,主要适用于间接测量狭缝间距,尤其适用于非晶态合金铸造设备的喷嘴和冷却辊之间的间距。本发明所提出的技术方案是通过长焦距镜头将狭缝放大并成像在CCD摄像机上,狭缝与CCD摄像机镜头前端的间距为1.3~1.5米,由计算机控制的图像采集卡从CCD摄像机上获取放大后的图像并显示在计算机屏幕上,计算机软件根据图像的光强分布确定狭缝边缘并动态跟踪,根据标尺定标后将辊嘴间距实时显示在计算机屏幕上,同时显示辊嘴间距的历史数据并进行存储,实现辊嘴间距的测量,又同时将辊嘴间距以模拟电压的形式输出给控制电路,实现辊嘴间距的控制。本发明与现有技术相比具有测量精度高、测量范围宽和成本低,并可用于高温及工业恶劣环境下的优点。

    纳米晶软磁合金薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1794374A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510127811.9

    申请日:2005-12-06

    Abstract: 本发明属于软磁合金领域,本发明提供了一种纳米晶软磁合金薄膜材料,包括金属铁薄膜、铁镍合金薄膜、铁钴合金薄膜、铁镍钴合金薄膜。所述薄膜的厚度在5~100μm,晶粒尺寸在30nm~120nm。其制造方法是在含有待沉积金属离子的电解液中通过直流电沉积的方式制备纳米软磁合金薄膜。通过控制纳米晶软磁薄膜的制备工艺参数,即调整电沉积过程中的电流密度、电沉积时间以及电解液的pH值等,可以获得高饱和磁感应强度、低矫顽力的纳米软磁薄膜材料。本发明制备的纳米晶软磁合金薄膜材料适用于高频交变磁场环境中工作的各种电子器件以及低频屏蔽领域。

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