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发明公开
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118678685A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410201369.2

申请日：2024-02-23

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 铃木拓也 , 小池聡

IPC分类号： H10B43/35 , H10B41/35 , H10B41/20 , H10B43/20

摘要： 本发明提供一种能够实现电气特性提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。所述装置具有第1积层体、第1分离部、第2积层体、第3积层体及位线。第1积层体中，多个第1绝缘膜与多个第1导电膜在第1方向交替地积层。第1分离部在与第1方向交叉的第2方向，与第1积层体相邻。第2积层体是：在第2方向与第1分离部相邻，多个第2绝缘膜与多个第2导电膜在第1方向交替地积层。第3积层体是：在第2方向与第2积层体相邻，多个第2绝缘膜与多个第3绝缘膜在第1方向交替地积层。多个第2导电膜中的至少1层的第3导电膜具有第1部分、及在第1方向位于第1部分之下，在第2方向比第1部分更向第3积层体的内部突出的第2部分。