公开(公告)号：CN116798866A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202211087691.4

申请日：2022-09-07

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 松本州作 ,  川野浩一郎 ,  加藤视红磨

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 实施方式提供能够将半导体基板等基板的基于处理液的处理均等化的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(1)具备：处理槽(2)，其贮存处理液，并且将由处理液处理的多个基板(W)以在预定方向上排列的状态进行容纳；内壁(3)，其以覆盖多个基板(W)的基板面及沿着排列方向的侧面的至少一部分且在该内壁(3)与处理槽(2)的底面之间存在供处理液流通的空间的方式设置于处理槽(2)的内部；及处理液喷嘴(4)，其设置于处理槽(2)的内部中的内壁(3)的外侧的位置，以在内壁(3)内形成上升流的方式开口。

公开(公告)号：CN112868090B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201980005515.1

申请日：2019-09-12

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 木下繁 ,  松本州作 ,  川野浩一郎 ,  藤田博 ,  北村嘉教

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 提供能够抑制液体流速的不匀的基板处理装置。本实施方式涉及的基板处理装置具备能够积存液体的处理槽。搬送部以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板，能够向处理槽内搬送多个半导体基板。多个液体供给部能够从处理槽的下方朝向处理槽的内侧方向供给液体。多个整流板配置在多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方。从多个半导体基板的排列方向观察时，多个整流板设置在搬送部的两侧的、搬送部与处理槽的侧壁之间的间隙中的位于半导体基板上方的第1间隙区域。

公开(公告)号：CN112868090A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980005515.1

申请日：2019-09-12

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 木下繁 ,  松本州作 ,  川野浩一郎 ,  藤田博 ,  北村嘉教

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 提供能够抑制液体流速的不匀的基板处理装置。本实施方式涉及的基板处理装置具备能够积存液体的处理槽。搬送部以多个半导体基板的表面朝向大致水平方向的方式排列该多个半导体基板，能够向处理槽内搬送多个半导体基板。多个液体供给部能够从处理槽的下方朝向处理槽的内侧方向供给液体。多个整流板配置在多个半导体基板的排列的一端侧和另一端侧中的至少一方。从多个半导体基板的排列方向观察时，多个整流板设置在搬送部的两侧的、搬送部与处理槽的侧壁之间的间隙中的位于半导体基板上方的第1间隙区域。